2024年1月17日发(作者：都鹏程)
百度文库 - 让每个人平等地提升自我
金士顿
KVR ***
1
X ** （s）
4 5
C* / ***
2 3
外频
6 7 8
延迟时间 容量
代表kingston value RAM
2.外频速度 单位：兆赫
3.一般为X
4. 64为没有ECC；72代表有ECC
5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存
6. 一般为C C3： CAS=3；
C2.5： CAS=2.5；
C2： CAS=2
7.分隔符号
8.内存的容量
我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：
编号为ValueRAM KVR400X64C25/256
这条内存就是.金士顿ValueRAM
外频400MHZ
不带有ECC校验
CAS=2.5
256M内存
HY（现代HYNIX）
现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代.
2、一般是57，代表SDRAM.
3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新.
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗.
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：1
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10NS，12： 12NS，15：15NS
LGS(LG Semicon)
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、GM代表LGS公司.
2、72代表SDRAM.
3、V代表3V电压.
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F.
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义：
MT——Micron的厂商名称.
2
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48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式，TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.
Kingmax(胜创)
Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.
KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.
Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：
红色金条是PC133内存；
金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
绿色金条是PC100内存；
3
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蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.
金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；
GP代表金邦科技的产品；
6代表产品家族（6=SDRAM）；
LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；
16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =
128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；
8 = 基粒数目；
M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；
4表示版本；
TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；
AMIR是内部标识号.
以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.
MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM.
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量.
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式.
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通.
HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立.
4
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2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错.
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
TOSHIBA（东芝）
东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
5
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4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见.
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、M2代表三菱产品
2、I／O界面.一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.
10、空白为普通，L为低耗.
6
2024年1月17日发(作者：都鹏程)
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金士顿
KVR ***
1
X ** （s）
4 5
C* / ***
2 3
外频
6 7 8
延迟时间 容量
代表kingston value RAM
2.外频速度 单位：兆赫
3.一般为X
4. 64为没有ECC；72代表有ECC
5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存
6. 一般为C C3： CAS=3；
C2.5： CAS=2.5；
C2： CAS=2
7.分隔符号
8.内存的容量
我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：
编号为ValueRAM KVR400X64C25/256
这条内存就是.金士顿ValueRAM
外频400MHZ
不带有ECC校验
CAS=2.5
256M内存
HY（现代HYNIX）
现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代.
2、一般是57，代表SDRAM.
3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新.
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗.
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：1
百度文库 - 让每个人平等地提升自我
10NS，12： 12NS，15：15NS
LGS(LG Semicon)
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、GM代表LGS公司.
2、72代表SDRAM.
3、V代表3V电压.
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F.
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义：
MT——Micron的厂商名称.
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48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式，TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.
Kingmax(胜创)
Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.
KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.
Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：
红色金条是PC133内存；
金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；
绿色金条是PC100内存；
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百度文库 - 让每个人平等地提升自我
蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；
蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；
银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.
金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32
其中GL2000代表芯片类型
GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；
GP代表金邦科技的产品；
6代表产品家族（6=SDRAM）；
LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；
16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =
128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；
8 = 基粒数目；
M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；
4表示版本；
TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13
FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；
-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；
AMIR是内部标识号.
以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.
MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM.
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量.
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式.
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通.
HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立.
4
百度文库 - 让每个人平等地提升自我
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错.
HYB39S XX XX 0 X T X －X
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1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
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1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
TOSHIBA（东芝）
东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.
TC59S XX XX X FT X－XX
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1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
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4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见.
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
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1、M2代表三菱产品
2、I／O界面.一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.
10、空白为普通，L为低耗.
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