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三星单片机开发网

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2024年1月18日发(作者:由博明)

三星单片机开发网 /

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常用三星单片机烧写电压设置参考表

芯片说明:

三星MCU命名方式与ROM大小及类型相关, 尾缀以2/4/8/5/7/9/A/B结尾,分别表示具有2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.

S3C开头代表是MASK ROM类型, S3P开头代表是OTP ROM类型,

S3F开头代表是FLASH ROM类型.

以下列表为简化起见,均以S3C起头,其S3P,S3F类型片子与其有完全相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.

编程器说明:

我站超级型编程器SSWPRO V2.0可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加载一拖八的烧写板即可作为一拖四/一拖八高速烧写应用.

/gongju/

我站商用型编程器SSW V2.0A可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写.

/gongju/

我站经济型编程器SSW V2.0C可适用于烧写三星所有ROM<=32

KBYTES的4/8位单片机, 具在线/离线烧写功能,速度较快,操作简便,

可应用于学习开发设计及量产烧写.

/gongju/

我站简易型编程器SSW V2.0B推荐应用于烧写三星8位FLASH ROM类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持VDD=5V电压芯片烧写,不支持3.3V类型芯片,适用于FLASH芯片学习开发应用.

/gongju/

三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页

三星单片机烧写电压设置参考表

三星单片机开发网 /

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烧写电压说明:

Vdd电压指烧写时加载到芯片Vdd端子的逻辑电压,Vpp电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp电压均为12V,

因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:

2009年上半年以前的老型号系列烧写器处理方法:

(烧写器软件界面上没有VPP电压选择项,只输出VPP=12V)

将烧写器烧写座引出的Vpp端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp端即可.

注意烧写器的VPP端子必须完全空置不用,不要再行连接到芯片端,否则会损坏烧写器VPP电路.

2009年下半年及以后的新型号系列烧写器,则无须作特别处理,只在烧写器软件界面上直接选择VPP=VCC即可, 烧写器即会按照用户所设定的VPP电压进行烧写.

特别说明:

当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104的电容入地, 并且电容尽可能的靠近芯片VPP-GND两脚, 可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp脚而造成Vpp击穿.

根据三星单片机芯片相关DATA SHEET说明来看,一般情况下,如果芯片有内置EMBEDDED FLASH MEMORY INTERFACE且有USER PROGRAM

MODE功能的片子, 由于其片内已予置了VPP升压电路,则都会要求采有VPP=VCC方式 来烧写芯片,否则容易烧坏片子.

若芯片的DATA SHEET中没有上述两项特殊功能说明, 则必须采用VPP=12V方式来烧写芯片.

由于三星的芯片内部结构经常更新, 一些老的DATA SHEET并没有对新功能进行说明, 建议用户在三星半导体官方网站下载最新的芯片DATA SHEET来参考应用.

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三星单片机烧写电压设置参考表

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三星S3C7XXX系列单片机

型 号

S3C7048

S3C70F4

S3C7235

S3C72H8

S3C72K8

S3C72M9

S3C72N5

S3C72P9

S3C72Q5

S3C7324

S3C7335

S3C7414

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S3C7528

S3C7544

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S3C7565

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Vdd

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烧 写 器 支 持

SSWPRO V2.0 SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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说明: 三星S3C/S3P7XXX系列属4位MCU芯片,OTP片子,只能烧写一次,要求全部使用VDD=5.0V, VPP=12V进行烧写

三星单片机烧写电压设置参考表 第 2 页 三星单片机烧写电压设置参考表

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S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C8075

S3C80A4

S3C80A5

S3C80A8

S3C80B4

S3C80B5

S3C80B8

S3C80C5

S3C80E5

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S3C80F7

S3C80F9

S3C80G7

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S3C80J9

S3C80JB

S3C80K5

S3C80K9

S3C80KB

S3C80L4

S3C80M4

S3C80N8

S3C820B

S3C821A

S3C822B

S3C8235

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S3C825A

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Vdd

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烧 写 器 支 持

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SSW V2.0A SSW

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SSW V.0C

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S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C8274

S3C8275

S3C8278

S3C8285

S3C8289

S3C828B

S3C82E5

S3C82F5

S3C82HB

S3C82I9

S3C830A

S3C831B

S3C8325

S3C833B

S3C834B

S3C8454

S3C8469

S3C8475

S3C848A

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S3C84A5

S3C84BB

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烧 写 器 支 持

SSWPRO

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SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C84I8

S3C84I9

S3C84K4

S3C84MB

S3C84NB

S3C84P4

S3C84Q5

S3C84Q8

S3C84S5

S3C84T5

S3C84U5

S3C84UA

S3C84V5

S3C84V9

S3C84VB

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S3C84ZB

S3C851B

S3C852B

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S3C8629

S3C863A

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烧 写 器 支 持

SSWPRO

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SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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S3C9XXX系列单片机

型 号

S3C9004

S3C9014

S3C921F

S3C9228

S3C9234

S3C9404

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S3C9498

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烧 写 器 支 持

SSWPRO

V2.0

SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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三星单片机烧写电压设置参考表

2024年1月18日发(作者:由博明)

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常用三星单片机烧写电压设置参考表

芯片说明:

三星MCU命名方式与ROM大小及类型相关, 尾缀以2/4/8/5/7/9/A/B结尾,分别表示具有2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.

S3C开头代表是MASK ROM类型, S3P开头代表是OTP ROM类型,

S3F开头代表是FLASH ROM类型.

以下列表为简化起见,均以S3C起头,其S3P,S3F类型片子与其有完全相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.

编程器说明:

我站超级型编程器SSWPRO V2.0可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加载一拖八的烧写板即可作为一拖四/一拖八高速烧写应用.

/gongju/

我站商用型编程器SSW V2.0A可烧写三星全系列4位/8位单片机,并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,可应用于学习开发设计及量产烧写.

/gongju/

我站经济型编程器SSW V2.0C可适用于烧写三星所有ROM<=32

KBYTES的4/8位单片机, 具在线/离线烧写功能,速度较快,操作简便,

可应用于学习开发设计及量产烧写.

/gongju/

我站简易型编程器SSW V2.0B推荐应用于烧写三星8位FLASH ROM类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持VDD=5V电压芯片烧写,不支持3.3V类型芯片,适用于FLASH芯片学习开发应用.

/gongju/

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三星单片机烧写电压设置参考表

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烧写电压说明:

Vdd电压指烧写时加载到芯片Vdd端子的逻辑电压,Vpp电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp电压均为12V,

因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:

2009年上半年以前的老型号系列烧写器处理方法:

(烧写器软件界面上没有VPP电压选择项,只输出VPP=12V)

将烧写器烧写座引出的Vpp端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp端即可.

注意烧写器的VPP端子必须完全空置不用,不要再行连接到芯片端,否则会损坏烧写器VPP电路.

2009年下半年及以后的新型号系列烧写器,则无须作特别处理,只在烧写器软件界面上直接选择VPP=VCC即可, 烧写器即会按照用户所设定的VPP电压进行烧写.

特别说明:

当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104的电容入地, 并且电容尽可能的靠近芯片VPP-GND两脚, 可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp脚而造成Vpp击穿.

根据三星单片机芯片相关DATA SHEET说明来看,一般情况下,如果芯片有内置EMBEDDED FLASH MEMORY INTERFACE且有USER PROGRAM

MODE功能的片子, 由于其片内已予置了VPP升压电路,则都会要求采有VPP=VCC方式 来烧写芯片,否则容易烧坏片子.

若芯片的DATA SHEET中没有上述两项特殊功能说明, 则必须采用VPP=12V方式来烧写芯片.

由于三星的芯片内部结构经常更新, 一些老的DATA SHEET并没有对新功能进行说明, 建议用户在三星半导体官方网站下载最新的芯片DATA SHEET来参考应用.

三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页

三星单片机烧写电压设置参考表

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三星S3C7XXX系列单片机

型 号

S3C7048

S3C70F4

S3C7235

S3C72H8

S3C72K8

S3C72M9

S3C72N5

S3C72P9

S3C72Q5

S3C7324

S3C7335

S3C7414

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S3C7544

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烧 写 器 支 持

SSWPRO V2.0 SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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说明: 三星S3C/S3P7XXX系列属4位MCU芯片,OTP片子,只能烧写一次,要求全部使用VDD=5.0V, VPP=12V进行烧写

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S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C8075

S3C80A4

S3C80A5

S3C80A8

S3C80B4

S3C80B5

S3C80B8

S3C80C5

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S3C80F9

S3C80G7

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S3C80J9

S3C80JB

S3C80K5

S3C80K9

S3C80KB

S3C80L4

S3C80M4

S3C80N8

S3C820B

S3C821A

S3C822B

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S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C8274

S3C8275

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S3C8285

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S3C828B

S3C82E5

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三星单片机烧写电压设置参考表 第 4 页 三星单片机烧写电压设置参考表

三星单片机开发网 /

S3C8XXX系列单片机

型 号

S3C84I8

S3C84I9

S3C84K4

S3C84MB

S3C84NB

S3C84P4

S3C84Q5

S3C84Q8

S3C84S5

S3C84T5

S3C84U5

S3C84UA

S3C84V5

S3C84V9

S3C84VB

S3C84YB

S3C84ZB

S3C851B

S3C852B

S3C8615

S3C8618

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S3C8627

S3C8629

S3C863A

S3C8647

S3C865B

S3C866B

S3C8837

S3C8849

Vdd

5.0V

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3.3V

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3.3V

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Vpp

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烧 写 器 支 持

SSWPRO

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SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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三星单片机烧写电压设置参考表

三星单片机开发网 /

S3C9XXX系列单片机

型 号

S3C9004

S3C9014

S3C921F

S3C9228

S3C9234

S3C9404

S3C9414

S3C9428

S3C9434

S3C9444

S3C9454

S3C9488

S3C9498

S3C94A5

S3C9614

S3C9648

S3C9658

S3C9664

S3C9678

S3C9688

Vdd

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烧 写 器 支 持

SSWPRO

V2.0

SSW V2.0A SSW V2.0B SSW V.0C

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三星单片机烧写电压设置参考表

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