2024年3月15日发(作者：硕子珍)
flash 存储器分类
全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、
Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，
分为几大阵营。
1. NOR技术
NOR
NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍
是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术
相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的
场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器
的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1) 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有
独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，
而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，
必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进
行预编程和擦除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸
又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR
技术显得力不从心。不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续
看好这种技术。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技
术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在
同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了
支持高存储容量和低成本的MLC技术。所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶
硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设
有4个阈电压（00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只
有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。在相同的空间中提供双倍的存储容量，是以降
低写性能为代价的。Intel通过采用称为VFM（虚拟小块文件管理器）的软件方法将大存
储块视为小扇区来管理和操作，在一定程度上改善了写性能，使之也能应用于数据存储中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术，
从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足。DINOR技术Flash Memory和NOR
技术一样具有快速随机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于NOR，而块擦除速度快
于NOR。这是因为NOR技术Flash Memory编程时，存储单元内部电荷向晶体管阵列的
浮栅极移动，电荷聚集，从而使电位从1变为0；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，
使电位从0变为1。而DINOR技术Flash Memory在编程和擦除操作时电荷移动方向与
前者相反。DINOR技术Flash Memory在执行擦除操作时无须对页进行预编程，且编程
操作所需电压低于擦除操作所需电压，这与NOR技术相反。
尽管DINOR技术具有针对NOR技术的优势，但由于自身技术和工艺等因素的限制，
在当前闪速存储器市场中，它仍不具备与发展数十年，技术、工艺日趋成熟的NOR技术
相抗衡的能力。目前DINOR技术Flash Memory的最大容量达到64Mb。Mitsubishi公
司推出的DINOR技术器件——M5M29GB/T320，采用Mitsubishi和Hitachi的专利
2024年3月15日发(作者：硕子珍)
flash 存储器分类
全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、
Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，
分为几大阵营。
1. NOR技术
NOR
NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍
是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术
相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的
场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器
的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1) 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有
独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，
而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，
必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进
行预编程和擦除操作。由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸
又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR
技术显得力不从心。不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续
看好这种技术。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技
术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在
同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了
支持高存储容量和低成本的MLC技术。所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶
硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设
有4个阈电压（00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只
有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。在相同的空间中提供双倍的存储容量，是以降
低写性能为代价的。Intel通过采用称为VFM（虚拟小块文件管理器）的软件方法将大存
储块视为小扇区来管理和操作，在一定程度上改善了写性能，使之也能应用于数据存储中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术，
从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足。DINOR技术Flash Memory和NOR
技术一样具有快速随机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于NOR，而块擦除速度快
于NOR。这是因为NOR技术Flash Memory编程时，存储单元内部电荷向晶体管阵列的
浮栅极移动，电荷聚集，从而使电位从1变为0；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，
使电位从0变为1。而DINOR技术Flash Memory在编程和擦除操作时电荷移动方向与
前者相反。DINOR技术Flash Memory在执行擦除操作时无须对页进行预编程，且编程
操作所需电压低于擦除操作所需电压，这与NOR技术相反。
尽管DINOR技术具有针对NOR技术的优势，但由于自身技术和工艺等因素的限制，
在当前闪速存储器市场中，它仍不具备与发展数十年，技术、工艺日趋成熟的NOR技术
相抗衡的能力。目前DINOR技术Flash Memory的最大容量达到64Mb。Mitsubishi公
司推出的DINOR技术器件——M5M29GB/T320，采用Mitsubishi和Hitachi的专利