2024年3月16日发(作者：浦平萱)
第５Ｏ卷第７期
电讯技术
Ｖ０１．５０ Ｎｏ．７
２０１０年７月
Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
Ｊｕ１．２０１０
文章编号：１００１—８９３Ｘ｛２０１０）０７—０１４０—０５
射频仿真暗室静区性能测量与优化
郑 星，樊友谊，焦 斌，王向阳，柳锐锋
（解放军６３８８０部队，河南洛阳４７１００３）
摘要：在评价射频仿真暗室性能的各项指标中以静区反射电平性能最为重要，实际应用中以实测
的结果作为评价暗室性能和仿真试验结果评定的依据。研究了针对某特殊静区位置的某射频仿真
暗室，阐述了采用自由空间驻波比法进行暗室静区反射电平测试方案，将测试得到的数据与仿真结
果进行了相应的比对，重点分析了射频仿真暗室静区性能测试数据与仿真结果存在偏差的主要原
因，并有针对性地提出了静区性能改善的几项可行措施，希望能够为国内射频仿真系统设计、建设和
改造提供一定的借鉴和帮助。
关键词：射频仿真暗室；静区性能；吸波材料；反射电平
中图分类号：ＴＮ９５５ 文献标识码：Ａ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１—８９３ｘ．２０１０．０７．０３０
Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ａｎｄ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｑｕｉｅｔ Ｚｏｎｅ
ｉｎ ＲＦ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ａｎｅｃｈｏｉｃ Ｃｈａｍｂｅｒ
ＺＨＥＮＧ ，ＦＡＮ Ｙｏｕ—ｙｉ，ＪＩＡＯ Ｂｉｎ，ＷＡＮＧ Ｘｉａｎｇ一 ，ＬＩＵ Ｒｕｉ－ｆｅｎｇ
（Ｕｎｉｔ ６３８８０ ｏｆ ＰＬＡ，Ｌｕｏｙａｎｇ ４７１００３，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｍｏｎｇ ｔｈｅ ｉｎｄｅｘｅｓ ｅｖａｌｕａｔｉｎｇ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ｌｅｖｅｌ ｉｎ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｉｓ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｉｍｐｏｒｔｎａｔ．Ｉｎ ｐｒａｃｔｉｃａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｒｅ ｔｈｅ ｂａｓｅ ｆｏｒ ｅｖａｌｕａｔｉｎｇ
ｃｈａｍｂｅｒ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ａｃｔｕａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ｑｕｉｅｔ ａｒｅａｓ
ｆｏｒ ｓｐｅｃｉｉｆｃ ｌｏｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ，ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ－ｓｐａｃｅ ＶＳＷＲ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｔｅｓｔ ｔｈｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ ｉｎ ａＢｅ－
ｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｉＳ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ，ｔｅｓｔ ｄａｔａ ｉｓ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｗｉｔｈ ｆｏｃｕｓ ｏｎ ｔｈｅ ａｎａｌｙｓｉｓ
ｏｆ ｔｈｅ ｒｅａｓｏｎ ｗｈｙ ｔｈｅｒｅ ｅｘｉｓｔｓ ｄｅｖｉａｔｉｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｅｓｔ ｄａｔａ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ，ａｎｄ ｓｅｖｅｒａｌ ｍｅａｓｕｒｅｓ ｔｏ ｉｍ・
ｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｕｑｉｅｔ ｚｏｎｅ ａｒｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｉｎ ｈｏｐｅ ｏｆ ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ ｈｅｌｐ ｆｏｒ ｄｏｍｅｓｔｉｃ ＲＦ ｓｉｍｕ－
ｌａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ ｄｅｓｉｇｎ，ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｒｅｎｏｖａｔｉｏｎ．
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ；ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｅｐｒｆｏｒｍａｎｃｅ；ａｂｓｏｒｂ ｍａｔｅｒｉｌａ；ｒｅｆｌｃｅｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ
静区反射电平性能最为重要，实际应用中也都是以
１ 引 言
实际测试得到的静区反射电平作为评价暗室性能和
随着射频仿真技术的不断发展和军民用装备系
仿真试验结果评定的依据。为确保静区性能，在暗
室建造和应用时常常采用静区轴线与暗室纵轴重合
统研制、生产、试验鉴定的需要，射频仿真以其经济、
的设计。本文主要针对静区位置为未与暗室纵轴重
方便、用途广等特点，在国内外军事领域得到了广泛
合的某射频仿真暗室，阐述了暗室静区性能测试方
的应用。在评价射频仿真暗室性能的各项指标中以
案，并将实测数据与仿真结果进行了详细比对。分
＊收稿日期：２００９—１１—２３：修回日期：２０１０—０３—３１
・
１４０・
第７期 郑星等：射频仿真暗室静区性能测量与优化 总第２６０期
析发现实测数据和仿真结果有一定的偏差，研究将
重点针对这种情况，分析了天线、吸波材料、电磁波
面评估阵面天线各个部位对静区反射电平的影响，
选取最不利位置（如阵面边缘部位）和最典型位置
（如阵面中心部位）处的天线作为测试时的辐射源。
绕射等可能引起射频仿真暗室静区性能不十分理想
的原因，并提出了详细的静区性能改善措施。
２某射频仿真暗室的基本情况
射频仿真暗室的一端放置在静区的三轴飞行转
台，导引头通过固定支架安装在该转台上，暗室的
另一端是球形天线阵列＿ｌ Ｊ。射频仿真的工作原理
为：将射频源产生的射频信号在目标阵列的某一位
置辐射出去，模拟空间目标信号。目标阵列辐射的
信号由安装在三轴飞行转台上的导引头接收，用来
测试导弹的性能ｌ２Ｊ。
图１为某微波暗室侧视静区位置示意图，图中
虚线框带阴影的部分表示静区。该微波暗室静区为
关于暗室纵轴左右对称、上下不对称的一个区域，尺
寸为２５ ＩＴＩＩＴＩ ｘ １５ １ＴＩＩＴＩ×１４．５ ｔｎｌＴｌ，静区大小为１．５ ｍ×
１．５ ｍ×１．５ ｍ
””＂”””＂”””ＴＴ｜
●
暗室纵轴 一！
ｌ！：Ⅲ …“ ▲▲
图１微波暗室侧视静区位置示意图
Ｆｉｇ．１ Ｔｈｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｄｉａｇｒａｍ
３静区性能测试方案
测试暗室静区反射电平的常用方法有天线方向
图比较法（简称ＡＰＣ法）、自由空间电压驻波比法
（简称ＶＳＷＲ法）、场一探针绘制法、等效雷达横截面
测量法和伪随机码调制载波法等５种 ３１。目前，我
国尚未颁布微波暗室的电性能测试方法（或标准），
国际上对静区静度（反射电平）的鉴定一般采用自由
空间驻波比法或天线方向图比较法。
这里我们采用目前国内外针对高性能微波暗室
静区反射电平评价的最主要和最常用的测量方法
——
ＶｓｗＲ法，该方法测试原理理论比较成熟，具有
很好的测试重复性和准确性。
静区性能测试时发射天线直接采用辐射天线阵
面上的天线。为了既不使测试工作量过大，又能全
图２选取的发射天线位置示意图
Ｆｉｇ．２ Ｄｉａｇｒａｍ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｎｔｅｎｎａ
暗室静区的测试线分别选取纵向线ＭＮ、横向
线ＸＹ、垂直线碰，静区测试坐标系定义和行程线命
名如图３所示。静区中心沿暗室纵轴并指向阵面天
线的方向为０。方向，在此基础上进行方位角和俯仰
角的改变。
／ 一莨
ｉ
Ｘ １ｏ．
—
ｙ
／，／： ， － ●工一 － ／Ｇ
Ｃ
／
暗室纵轴方向
图３静区坐标系定义和选取的行程线命名图
Ｆｉｇ．３ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｅｌｅｃｔｄｅ ｔｒａｖｅｌ ｌｉｎｅ
测量时选取暗室静区中的任一条测试行程线即
横向线、垂直线或纵向线，探测天线保持一定方向
（即探测天线接收信号最大方向），沿这条行程线连
续移动，记录接收电平作为参考电平。然后改变探
测天线的方位角或俯仰角，沿这条行程线移动并记
录接收电平（即驻波曲线）。把参考电平和驻波曲线
进行归一化处理，由参考电平和驻波曲线之间的电
平差值就可得到偏离量４，由驻波曲线虚拟的包络
线就可得到驻波大小 ，再由式（１）就可以求出反射
电平Ｒ值（ｄＢ）：
Ｒ＝２０ ｌｇ ＥＲ一２０ ｌ
ｇ （１）
４数据分析
数据分析主要是对实测结果与暗室设计时的仿
真结果进行比较。采用几何光学法对暗室静区反射
・
１４１ ・
电讯技术 ２０１０钲
电平进行建模＿４ｊ，部分仿真结果如图４所示。
（ａ）２ ＧＩ－Ｉｚ源点在Ａ点时静区反射电平
（ｂ）１０ ＧＨｚ源点在Ｂ点时静区反射电平
（Ｃ）１８ ＧＨｚ源点在Ｃ点时静区反射电平
图４部分仿真结果
Ｆｉｇ．４ Ｓｏｍｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ
因为仿真计算和测试过程存在差别，仿真计算
时接收天线认为是无方向性的，但在测试时，接收天
线是有方向性的，所以，要将计算结果和实测结果进
行比较是比较困难的，但还是可以进行一些近似的
量化比较，即用实测时接收天线不同方向的测试结
果与仿真结果进行比较，如表１所示。
・
１４２・
表１实测结果与仿真结果比较
Ｔａｂｌｅ １ Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ
从表１可以看到，对于同一源点、同一场点，静
区反射电平随着频率的升高而明显改善。同时可以
发现仿真结果均在实测结果范围内，但各频点实测
结果的下限值并不理想。
５原因分析
通过对影响暗室静区反射电平诸因素的分析，
认为致使实测结果的下限值并不理想的原因有以下
几方面。
５．１天线因素
由于天线阵列包含大量的阵元天线，阵面较大，
几乎占满了暗室整个前墙，所以靠近阵列天线边缘的
阵元天线副瓣电平对暗室静区反射电平的影响较大。
５．２吸波材料因素
从辐射源发射出的电磁信号在各墙面的人射角
度的大小直接影响到吸波材料的吸波性能。根据本
文研究的射频仿真暗室的尺寸、阵列天线分布和静
区位置，通过几何计算，得到电磁信号在各墙面的人
射夹角：侧墙的入射角度为３７．６。一５０．７。，顶墙的入
射角度为４１．２。～４８．４。，地面的入射角度为４８．７。～
７４．９。，后墙的入射角度为０。～１９．８。。
通常，暗室吸波材料在达到或超过入射角６０。
后，吸波性能就急剧下降。注意到电磁信号在地面
的入射夹角非常大，直接影响到暗室吸波材料的吸
波性能。
５．３电磁波的绕射因素
暗室静区反射电平仿真建模采用几何光学法，
没有考虑电磁波的绕射，事实上，阵元辐射的电磁波
的绕射在传播途径上大量存在，吸波材料的边缘和
第７期 郑星等：射频仿真暗室静区性能测量与优化 总第２６０期
顶角都会产生绕射波而进人静区，由于其绕射波幅
度与镜面反射波幅度相比要小得多，因此在反射波
意图如图５所示。
占主导地位时，常常忽略了绕射波的贡献。
６静区性能优化设想
６．１天线因素
对于由于天线因素导致静区性能变差的情况，
认为可从以下几个方面采取措施来提高静区性能。
（１）抑制天线副瓣电平
在进行天线阵列阵元设计时，对于靠近墙边的
阵元应采取抑制副瓣电平的措施。天线的设计不是
本文研究的内容，这里就不详述了。
（２）改进暗室设计
在暗室设计阶段，充分考虑阵列面的大小和各
天线阵元副瓣电平大小，可以采取增加暗室宽度和
高度的办法降低天线副瓣对静区反射电平的影响。
如果暗室的天线阵元等工程基础都已建成，则
从天线因素人手来提高暗室静区性能的措施不可
取，但对天线因素的考虑可以为其它同类型暗室的
设计提供有益的借鉴。
６．２吸波材料因素
对于由于吸波材料因素导致静区性能变差的情
况，可以从以下几个方面采取措施。
（１）选用高性能的吸波材料
吸波材料的性能对暗室静区性能起着决定性的
作用，由于角锥型吸波材料尖劈愈长、锥角越小，吸波
性能就越好。所以，如果不考虑经费因素，尽量多地
采用长尖劈、小锥角的高性能吸波材料对于提高暗室
的静区性能也会起到非常明显的作用。但尖劈愈长，
造价越高；锥角越小，加工越困难，造价也会增大［引。
另外，高性能的吸波材料具有较低的反射率，可
以减小绕射波的强度，从而减低绕射对暗室静区性
能的影响。
（２）抑制入射角大于６Ｏ。的电磁波进入静区
为了改善地面吸波材料对天线阵元辐射的电磁
波的吸收，就必须对入射角大于６ｏ。的电磁入射信号
采取措施。可以考虑在暗室内部菲涅尔区加吸收挡
板或进行内壁倾斜的设计。
加吸收挡板措施是在地面电磁反射信号大的位
置上加装介质吸收栅栏，经过对介质吸收栅栏的位
置、高度和形状的精心设计，使它保证对入射角大于
６ｏ。的电磁反射信号能够有效地吸收衰减，其几何示
图５加吸收挡板措施几何示意图
Ｆｉｇ．５ Ｇｅｏｍｅｔｒｙ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｂｕｍｐｅｒｓ
内壁倾斜措施是将镜面区的吸波材料的平面敷
设改为倾斜敷设，这样可使镜面区反射波的方向偏离
静区。如图６所示，在没有倾斜铺设吸波材料时，反
射波（用虚线表示）进入了静区；斜放置粘贴有吸波材
料的金属板后，反射线（用实线表示）偏离了静区。
图６内壁倾斜措施几何示意图
，
Ｆｉｇ．６ Ｇｅｏｍｅｔｒｙ ｏｆ ｗａｌｌ ｔｉｈ
显然，这两种措施都是通过阻止反射波进入暗
室静区，从而达到降低静区反射电平的目的。通过
缩比模型试验，证明这种措施对于提高暗室静区性
能是有效的 Ｊ。
因为影响暗室静区性能的反射波主要是来自各
墙面主反射区的反射波，所以在采用上述措施进行
静区性能改善时，只需要重点对影响暗室静区性能
的地面主反射区进行处理。
７结束语
射频仿真暗室静区性能直接影响着暗室的试验
能力和在暗室内进行测试的精度和结果的可信度。
本文针对某射频仿真暗室静区位置特殊的实际，阐
述了暗室静区性能测试方案，并将实测数据与仿真
结果进行了详细比较。重点分析了影响射频仿真暗
室静区性能不理想的天线、吸波材料、电磁波的绕射
等主要原因，并且基于几何光学法针对性地提出了
静区性能优化的多项措施。由于射频仿真暗室建设
的不可逆性，很难通过将这些措施付诸实践来证明
・
１４３・
ＷＷＷ．ｔｅｌｅｏｎｌｉｎｅ．ｏｎ 电讯技术 ２０１０焦
其效果如何，但理论分析认为这些措施都是可行的，
希望本文的研究能够为国内射频仿真暗室设计、建
设、改造提供一定的借鉴和帮助。
参考文献：
［１］ 肖卫国，尔联洁．雷达寻的制导半实物仿真误差研究
［Ｊ］．计算机仿真，２００７，２４（５）：２５９—２６３．
ＸＩＡＯ Ｗｅｉ－ｇｕｏ，ＥＲ Ｌｉａｎ－ｊｉｅ．Ｒａｄａｒ ｎｇｉｄａｎｃｅ－ｔｈｅ—ｌｏｏｐ ｓｉｍｕ—
ｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｅｒｒｏｒ ｓｔｕｄｙ［Ｊ］．Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，２００７，２４（５）：
５２９—２６３．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［２］张强．电子战半实物仿真系统设计［Ｊ］．舰船电子工程，
２００６．２６（４）：ｌ１１—１１４．
ＺＩ－ＩＡＮＧ Ｑｉａｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｗａｒｆａｒｅ－ｔｈｅ－ｌｏｐ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ
ｄｅｓｉｇｎ［Ｊ］．Ｓｈｉｐ Ｅｌｃｅｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００６，６２（４）：１１１—
１１４．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［３］陈云，周军．采用自由空间驻波法测试微波暗室反射电
平［Ｊ］．通信对抗，２００５（３）：５７—５９．
ＣＨＥＮ Ｙｕｎ，ＺＨＯＵ Ｊｕｎ．Ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ ｍｅｔｈｏｄ ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ－ｓｐａｃｅ
ｔｅｓｔ ｍｉｃｏｒｗａｖｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｒｅｌｆｃｅｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ【ＪＪ．Ｃｏｒｒｒｎｕｎｉ・
ｃａｔｉｏｎｓ Ｃｏｕｎｔ￣，加晒（３）：５７—５９．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［４］郑星．微波暗室静区性能分析研究［Ｄ］．长沙：国防科学
技术大学，２００６．
ＺＨＥＮＧ Ｘｉｎｇ．Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ
ｎａａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｑｕｉｅｔ Ｚｏｎｅ Ｓｔｕｄｙ［Ｄ】．Ｃｈａｎｇｓｈａ：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒ－
ｓｉｔｙ ｏｆ Ｄｅｆｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００６．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［５］刘维新．电波暗室用吸波材料的工艺和性能［Ｊ］．安全
与电磁兼容，９００７（２）：８４—８７．
ＬＩＵＷｅｉ—ｘｉｎ．Ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒｗｉｈｔｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄｐｅｒｆｏｒ—
ｍａｎｃｅ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ｓａｆｅｔｙ ｎａｄ ｌＥｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，２００７（２）：８４—８７．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［６］ 郑星，汪连栋．缩比模型试验技术在射频仿真暗室设计
中的应用［Ｊ］．电讯技术，２００８，４８（５）：３２—３５．
ＺＨＥＮＧ）【ｉｎｇ，ＷＡＮＧ Ｌｉｎａ－ｄｏｎｇ．Ｓｃａｌｅ ｍｏｄｅｌ ｔｅｓｔ ＲＦ ｓｉｍｕ－
ｌａｔｉｏｎ ｔｃｅｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ ｔｈｅ ｄａｒｋｒｏｏｍ ｄｅｓｉｎｇ［Ｊ］．Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉ・
ｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，８４（５）：３２—３５．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
作者简介：
郑星（１９７６一），男，陕西西安人，硕士，工程师，主要研
究方向为射频仿真技术及其应用；
ＺＨＥＮＧⅪｎｇ ｗａｓ ｂｏｍ ｉｎ Ｘｉ ａｎ，Ｓｈａａｎｘｉ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，ｉｎ １９７６．
Ｈｅ ｉｓ ｎｏｗａｎ ｅ￣ｎｅｅｒｗｉｔｈｔｈｅＭ．Ｓ．ｄｅｇｒｅｅ．Ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｃｏｎｃｅｒｎｓ
ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．
Ｅｍａｉｌ：ｚｈｘ９６１０７９－＠ｙａｈｏｏ．ｅｏｍ．ｃａ
樊友谊（１９６６一），男，湖北宜昌人，硕士，高级工程师，主
要研究方向为射频仿真试验技术及其应用。
ＦＡＮ Ｙｏｕ．ｙｉ Ｗａｓ ｌｏｏｍ ｉｎ Ｙｉｃｈａｎｇ，Ｈｕｂｅｉ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，ｉｎ １９６６．
Ｈｅ ｉｓ ｎｏｗ ａ ｓｅｎｉｏｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒ ｗｉｔｈ ｔｈｅ Ｍ．Ｓ．ｄｅｇｒｅｅ．Ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ
ｅｏｎｃｅｒｆｌｓ ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｃｅｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．
2024年3月16日发(作者：浦平萱)
第５Ｏ卷第７期
电讯技术
Ｖ０１．５０ Ｎｏ．７
２０１０年７月
Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
Ｊｕ１．２０１０
文章编号：１００１—８９３Ｘ｛２０１０）０７—０１４０—０５
射频仿真暗室静区性能测量与优化
郑 星，樊友谊，焦 斌，王向阳，柳锐锋
（解放军６３８８０部队，河南洛阳４７１００３）
摘要：在评价射频仿真暗室性能的各项指标中以静区反射电平性能最为重要，实际应用中以实测
的结果作为评价暗室性能和仿真试验结果评定的依据。研究了针对某特殊静区位置的某射频仿真
暗室，阐述了采用自由空间驻波比法进行暗室静区反射电平测试方案，将测试得到的数据与仿真结
果进行了相应的比对，重点分析了射频仿真暗室静区性能测试数据与仿真结果存在偏差的主要原
因，并有针对性地提出了静区性能改善的几项可行措施，希望能够为国内射频仿真系统设计、建设和
改造提供一定的借鉴和帮助。
关键词：射频仿真暗室；静区性能；吸波材料；反射电平
中图分类号：ＴＮ９５５ 文献标识码：Ａ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１—８９３ｘ．２０１０．０７．０３０
Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ａｎｄ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｑｕｉｅｔ Ｚｏｎｅ
ｉｎ ＲＦ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ａｎｅｃｈｏｉｃ Ｃｈａｍｂｅｒ
ＺＨＥＮＧ ，ＦＡＮ Ｙｏｕ—ｙｉ，ＪＩＡＯ Ｂｉｎ，ＷＡＮＧ Ｘｉａｎｇ一 ，ＬＩＵ Ｒｕｉ－ｆｅｎｇ
（Ｕｎｉｔ ６３８８０ ｏｆ ＰＬＡ，Ｌｕｏｙａｎｇ ４７１００３，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｍｏｎｇ ｔｈｅ ｉｎｄｅｘｅｓ ｅｖａｌｕａｔｉｎｇ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ｌｅｖｅｌ ｉｎ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｉｓ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｉｍｐｏｒｔｎａｔ．Ｉｎ ｐｒａｃｔｉｃａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｈｅ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｒｅ ｔｈｅ ｂａｓｅ ｆｏｒ ｅｖａｌｕａｔｉｎｇ
ｃｈａｍｂｅｒ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ａｃｔｕａｌ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ｑｕｉｅｔ ａｒｅａｓ
ｆｏｒ ｓｐｅｃｉｉｆｃ ｌｏｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ，ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ－ｓｐａｃｅ ＶＳＷＲ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｔｅｓｔ ｔｈｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ ｉｎ ａＢｅ－
ｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｉＳ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ，ｔｅｓｔ ｄａｔａ ｉｓ ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｗｉｔｈ ｆｏｃｕｓ ｏｎ ｔｈｅ ａｎａｌｙｓｉｓ
ｏｆ ｔｈｅ ｒｅａｓｏｎ ｗｈｙ ｔｈｅｒｅ ｅｘｉｓｔｓ ｄｅｖｉａｔｉｏｎ ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｅｓｔ ｄａｔａ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ，ａｎｄ ｓｅｖｅｒａｌ ｍｅａｓｕｒｅｓ ｔｏ ｉｍ・
ｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｕｑｉｅｔ ｚｏｎｅ ａｒｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｉｎ ｈｏｐｅ ｏｆ ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ ｈｅｌｐ ｆｏｒ ｄｏｍｅｓｔｉｃ ＲＦ ｓｉｍｕ－
ｌａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ ｄｅｓｉｇｎ，ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ ｒｅｎｏｖａｔｉｏｎ．
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ；ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｅｐｒｆｏｒｍａｎｃｅ；ａｂｓｏｒｂ ｍａｔｅｒｉｌａ；ｒｅｆｌｃｅｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ
静区反射电平性能最为重要，实际应用中也都是以
１ 引 言
实际测试得到的静区反射电平作为评价暗室性能和
随着射频仿真技术的不断发展和军民用装备系
仿真试验结果评定的依据。为确保静区性能，在暗
室建造和应用时常常采用静区轴线与暗室纵轴重合
统研制、生产、试验鉴定的需要，射频仿真以其经济、
的设计。本文主要针对静区位置为未与暗室纵轴重
方便、用途广等特点，在国内外军事领域得到了广泛
合的某射频仿真暗室，阐述了暗室静区性能测试方
的应用。在评价射频仿真暗室性能的各项指标中以
案，并将实测数据与仿真结果进行了详细比对。分
＊收稿日期：２００９—１１—２３：修回日期：２０１０—０３—３１
・
１４０・
第７期 郑星等：射频仿真暗室静区性能测量与优化 总第２６０期
析发现实测数据和仿真结果有一定的偏差，研究将
重点针对这种情况，分析了天线、吸波材料、电磁波
面评估阵面天线各个部位对静区反射电平的影响，
选取最不利位置（如阵面边缘部位）和最典型位置
（如阵面中心部位）处的天线作为测试时的辐射源。
绕射等可能引起射频仿真暗室静区性能不十分理想
的原因，并提出了详细的静区性能改善措施。
２某射频仿真暗室的基本情况
射频仿真暗室的一端放置在静区的三轴飞行转
台，导引头通过固定支架安装在该转台上，暗室的
另一端是球形天线阵列＿ｌ Ｊ。射频仿真的工作原理
为：将射频源产生的射频信号在目标阵列的某一位
置辐射出去，模拟空间目标信号。目标阵列辐射的
信号由安装在三轴飞行转台上的导引头接收，用来
测试导弹的性能ｌ２Ｊ。
图１为某微波暗室侧视静区位置示意图，图中
虚线框带阴影的部分表示静区。该微波暗室静区为
关于暗室纵轴左右对称、上下不对称的一个区域，尺
寸为２５ ＩＴＩＩＴＩ ｘ １５ １ＴＩＩＴＩ×１４．５ ｔｎｌＴｌ，静区大小为１．５ ｍ×
１．５ ｍ×１．５ ｍ
””＂”””＂”””ＴＴ｜
●
暗室纵轴 一！
ｌ！：Ⅲ …“ ▲▲
图１微波暗室侧视静区位置示意图
Ｆｉｇ．１ Ｔｈｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｑｕｉｅｔ ｚｏｎｅ ｄｉａｇｒａｍ
３静区性能测试方案
测试暗室静区反射电平的常用方法有天线方向
图比较法（简称ＡＰＣ法）、自由空间电压驻波比法
（简称ＶＳＷＲ法）、场一探针绘制法、等效雷达横截面
测量法和伪随机码调制载波法等５种 ３１。目前，我
国尚未颁布微波暗室的电性能测试方法（或标准），
国际上对静区静度（反射电平）的鉴定一般采用自由
空间驻波比法或天线方向图比较法。
这里我们采用目前国内外针对高性能微波暗室
静区反射电平评价的最主要和最常用的测量方法
——
ＶｓｗＲ法，该方法测试原理理论比较成熟，具有
很好的测试重复性和准确性。
静区性能测试时发射天线直接采用辐射天线阵
面上的天线。为了既不使测试工作量过大，又能全
图２选取的发射天线位置示意图
Ｆｉｇ．２ Ｄｉａｇｒａｍ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｎｔｅｎｎａ
暗室静区的测试线分别选取纵向线ＭＮ、横向
线ＸＹ、垂直线碰，静区测试坐标系定义和行程线命
名如图３所示。静区中心沿暗室纵轴并指向阵面天
线的方向为０。方向，在此基础上进行方位角和俯仰
角的改变。
／ 一莨
ｉ
Ｘ １ｏ．
—
ｙ
／，／： ， － ●工一 － ／Ｇ
Ｃ
／
暗室纵轴方向
图３静区坐标系定义和选取的行程线命名图
Ｆｉｇ．３ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｅｌｅｃｔｄｅ ｔｒａｖｅｌ ｌｉｎｅ
测量时选取暗室静区中的任一条测试行程线即
横向线、垂直线或纵向线，探测天线保持一定方向
（即探测天线接收信号最大方向），沿这条行程线连
续移动，记录接收电平作为参考电平。然后改变探
测天线的方位角或俯仰角，沿这条行程线移动并记
录接收电平（即驻波曲线）。把参考电平和驻波曲线
进行归一化处理，由参考电平和驻波曲线之间的电
平差值就可得到偏离量４，由驻波曲线虚拟的包络
线就可得到驻波大小 ，再由式（１）就可以求出反射
电平Ｒ值（ｄＢ）：
Ｒ＝２０ ｌｇ ＥＲ一２０ ｌ
ｇ （１）
４数据分析
数据分析主要是对实测结果与暗室设计时的仿
真结果进行比较。采用几何光学法对暗室静区反射
・
１４１ ・
电讯技术 ２０１０钲
电平进行建模＿４ｊ，部分仿真结果如图４所示。
（ａ）２ ＧＩ－Ｉｚ源点在Ａ点时静区反射电平
（ｂ）１０ ＧＨｚ源点在Ｂ点时静区反射电平
（Ｃ）１８ ＧＨｚ源点在Ｃ点时静区反射电平
图４部分仿真结果
Ｆｉｇ．４ Ｓｏｍｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ
因为仿真计算和测试过程存在差别，仿真计算
时接收天线认为是无方向性的，但在测试时，接收天
线是有方向性的，所以，要将计算结果和实测结果进
行比较是比较困难的，但还是可以进行一些近似的
量化比较，即用实测时接收天线不同方向的测试结
果与仿真结果进行比较，如表１所示。
・
１４２・
表１实测结果与仿真结果比较
Ｔａｂｌｅ １ Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ａｎｄ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ
从表１可以看到，对于同一源点、同一场点，静
区反射电平随着频率的升高而明显改善。同时可以
发现仿真结果均在实测结果范围内，但各频点实测
结果的下限值并不理想。
５原因分析
通过对影响暗室静区反射电平诸因素的分析，
认为致使实测结果的下限值并不理想的原因有以下
几方面。
５．１天线因素
由于天线阵列包含大量的阵元天线，阵面较大，
几乎占满了暗室整个前墙，所以靠近阵列天线边缘的
阵元天线副瓣电平对暗室静区反射电平的影响较大。
５．２吸波材料因素
从辐射源发射出的电磁信号在各墙面的人射角
度的大小直接影响到吸波材料的吸波性能。根据本
文研究的射频仿真暗室的尺寸、阵列天线分布和静
区位置，通过几何计算，得到电磁信号在各墙面的人
射夹角：侧墙的入射角度为３７．６。一５０．７。，顶墙的入
射角度为４１．２。～４８．４。，地面的入射角度为４８．７。～
７４．９。，后墙的入射角度为０。～１９．８。。
通常，暗室吸波材料在达到或超过入射角６０。
后，吸波性能就急剧下降。注意到电磁信号在地面
的入射夹角非常大，直接影响到暗室吸波材料的吸
波性能。
５．３电磁波的绕射因素
暗室静区反射电平仿真建模采用几何光学法，
没有考虑电磁波的绕射，事实上，阵元辐射的电磁波
的绕射在传播途径上大量存在，吸波材料的边缘和
第７期 郑星等：射频仿真暗室静区性能测量与优化 总第２６０期
顶角都会产生绕射波而进人静区，由于其绕射波幅
度与镜面反射波幅度相比要小得多，因此在反射波
意图如图５所示。
占主导地位时，常常忽略了绕射波的贡献。
６静区性能优化设想
６．１天线因素
对于由于天线因素导致静区性能变差的情况，
认为可从以下几个方面采取措施来提高静区性能。
（１）抑制天线副瓣电平
在进行天线阵列阵元设计时，对于靠近墙边的
阵元应采取抑制副瓣电平的措施。天线的设计不是
本文研究的内容，这里就不详述了。
（２）改进暗室设计
在暗室设计阶段，充分考虑阵列面的大小和各
天线阵元副瓣电平大小，可以采取增加暗室宽度和
高度的办法降低天线副瓣对静区反射电平的影响。
如果暗室的天线阵元等工程基础都已建成，则
从天线因素人手来提高暗室静区性能的措施不可
取，但对天线因素的考虑可以为其它同类型暗室的
设计提供有益的借鉴。
６．２吸波材料因素
对于由于吸波材料因素导致静区性能变差的情
况，可以从以下几个方面采取措施。
（１）选用高性能的吸波材料
吸波材料的性能对暗室静区性能起着决定性的
作用，由于角锥型吸波材料尖劈愈长、锥角越小，吸波
性能就越好。所以，如果不考虑经费因素，尽量多地
采用长尖劈、小锥角的高性能吸波材料对于提高暗室
的静区性能也会起到非常明显的作用。但尖劈愈长，
造价越高；锥角越小，加工越困难，造价也会增大［引。
另外，高性能的吸波材料具有较低的反射率，可
以减小绕射波的强度，从而减低绕射对暗室静区性
能的影响。
（２）抑制入射角大于６Ｏ。的电磁波进入静区
为了改善地面吸波材料对天线阵元辐射的电磁
波的吸收，就必须对入射角大于６ｏ。的电磁入射信号
采取措施。可以考虑在暗室内部菲涅尔区加吸收挡
板或进行内壁倾斜的设计。
加吸收挡板措施是在地面电磁反射信号大的位
置上加装介质吸收栅栏，经过对介质吸收栅栏的位
置、高度和形状的精心设计，使它保证对入射角大于
６ｏ。的电磁反射信号能够有效地吸收衰减，其几何示
图５加吸收挡板措施几何示意图
Ｆｉｇ．５ Ｇｅｏｍｅｔｒｙ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｂｕｍｐｅｒｓ
内壁倾斜措施是将镜面区的吸波材料的平面敷
设改为倾斜敷设，这样可使镜面区反射波的方向偏离
静区。如图６所示，在没有倾斜铺设吸波材料时，反
射波（用虚线表示）进入了静区；斜放置粘贴有吸波材
料的金属板后，反射线（用实线表示）偏离了静区。
图６内壁倾斜措施几何示意图
，
Ｆｉｇ．６ Ｇｅｏｍｅｔｒｙ ｏｆ ｗａｌｌ ｔｉｈ
显然，这两种措施都是通过阻止反射波进入暗
室静区，从而达到降低静区反射电平的目的。通过
缩比模型试验，证明这种措施对于提高暗室静区性
能是有效的 Ｊ。
因为影响暗室静区性能的反射波主要是来自各
墙面主反射区的反射波，所以在采用上述措施进行
静区性能改善时，只需要重点对影响暗室静区性能
的地面主反射区进行处理。
７结束语
射频仿真暗室静区性能直接影响着暗室的试验
能力和在暗室内进行测试的精度和结果的可信度。
本文针对某射频仿真暗室静区位置特殊的实际，阐
述了暗室静区性能测试方案，并将实测数据与仿真
结果进行了详细比较。重点分析了影响射频仿真暗
室静区性能不理想的天线、吸波材料、电磁波的绕射
等主要原因，并且基于几何光学法针对性地提出了
静区性能优化的多项措施。由于射频仿真暗室建设
的不可逆性，很难通过将这些措施付诸实践来证明
・
１４３・
ＷＷＷ．ｔｅｌｅｏｎｌｉｎｅ．ｏｎ 电讯技术 ２０１０焦
其效果如何，但理论分析认为这些措施都是可行的，
希望本文的研究能够为国内射频仿真暗室设计、建
设、改造提供一定的借鉴和帮助。
参考文献：
［１］ 肖卫国，尔联洁．雷达寻的制导半实物仿真误差研究
［Ｊ］．计算机仿真，２００７，２４（５）：２５９—２６３．
ＸＩＡＯ Ｗｅｉ－ｇｕｏ，ＥＲ Ｌｉａｎ－ｊｉｅ．Ｒａｄａｒ ｎｇｉｄａｎｃｅ－ｔｈｅ—ｌｏｏｐ ｓｉｍｕ—
ｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｅｒｒｏｒ ｓｔｕｄｙ［Ｊ］．Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，２００７，２４（５）：
５２９—２６３．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［２］张强．电子战半实物仿真系统设计［Ｊ］．舰船电子工程，
２００６．２６（４）：ｌ１１—１１４．
ＺＩ－ＩＡＮＧ Ｑｉａｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｗａｒｆａｒｅ－ｔｈｅ－ｌｏｐ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ
ｄｅｓｉｇｎ［Ｊ］．Ｓｈｉｐ Ｅｌｃｅｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００６，６２（４）：１１１—
１１４．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［３］陈云，周军．采用自由空间驻波法测试微波暗室反射电
平［Ｊ］．通信对抗，２００５（３）：５７—５９．
ＣＨＥＮ Ｙｕｎ，ＺＨＯＵ Ｊｕｎ．Ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ ｍｅｔｈｏｄ ｕｓｉｎｇ ｆｒｅｅ－ｓｐａｃｅ
ｔｅｓｔ ｍｉｃｏｒｗａｖｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｒｅｌｆｃｅｔｉｏｎ ｌｅｖｅｌ【ＪＪ．Ｃｏｒｒｒｎｕｎｉ・
ｃａｔｉｏｎｓ Ｃｏｕｎｔ￣，加晒（３）：５７—５９．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［４］郑星．微波暗室静区性能分析研究［Ｄ］．长沙：国防科学
技术大学，２００６．
ＺＨＥＮＧ Ｘｉｎｇ．Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ
ｎａａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｑｕｉｅｔ Ｚｏｎｅ Ｓｔｕｄｙ［Ｄ】．Ｃｈａｎｇｓｈａ：Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｖｅｒ－
ｓｉｔｙ ｏｆ Ｄｅｆｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００６．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［５］刘维新．电波暗室用吸波材料的工艺和性能［Ｊ］．安全
与电磁兼容，９００７（２）：８４—８７．
ＬＩＵＷｅｉ—ｘｉｎ．Ａｎｅｃｈｏｉｃ ｃｈａｍｂｅｒｗｉｈｔｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄｐｅｒｆｏｒ—
ｍａｎｃｅ ｏｆ ａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．Ｓａｆｅｔｙ ｎａｄ ｌＥｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ，２００７（２）：８４—８７．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
［６］ 郑星，汪连栋．缩比模型试验技术在射频仿真暗室设计
中的应用［Ｊ］．电讯技术，２００８，４８（５）：３２—３５．
ＺＨＥＮＧ）【ｉｎｇ，ＷＡＮＧ Ｌｉｎａ－ｄｏｎｇ．Ｓｃａｌｅ ｍｏｄｅｌ ｔｅｓｔ ＲＦ ｓｉｍｕ－
ｌａｔｉｏｎ ｔｃｅｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ ｔｈｅ ｄａｒｋｒｏｏｍ ｄｅｓｉｎｇ［Ｊ］．Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉ・
ｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００８，８４（５）：３２—３５．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ）
作者简介：
郑星（１９７６一），男，陕西西安人，硕士，工程师，主要研
究方向为射频仿真技术及其应用；
ＺＨＥＮＧⅪｎｇ ｗａｓ ｂｏｍ ｉｎ Ｘｉ ａｎ，Ｓｈａａｎｘｉ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，ｉｎ １９７６．
Ｈｅ ｉｓ ｎｏｗａｎ ｅ￣ｎｅｅｒｗｉｔｈｔｈｅＭ．Ｓ．ｄｅｇｒｅｅ．Ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｃｏｎｃｅｒｎｓ
ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．
Ｅｍａｉｌ：ｚｈｘ９６１０７９－＠ｙａｈｏｏ．ｅｏｍ．ｃａ
樊友谊（１９６６一），男，湖北宜昌人，硕士，高级工程师，主
要研究方向为射频仿真试验技术及其应用。
ＦＡＮ Ｙｏｕ．ｙｉ Ｗａｓ ｌｏｏｍ ｉｎ Ｙｉｃｈａｎｇ，Ｈｕｂｅｉ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，ｉｎ １９６６．
Ｈｅ ｉｓ ｎｏｗ ａ ｓｅｎｉｏｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒ ｗｉｔｈ ｔｈｅ Ｍ．Ｓ．ｄｅｇｒｅｅ．Ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ
ｅｏｎｃｅｒｆｌｓ ＲＦ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｔｃｅｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｉｔｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ．