2024年3月24日发(作者：龙清馨)
光电探测技术
实验报告
班 级：08050341X
学 号：28
* ****
实验一 光敏电阻特性实验
实验原理:
光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体
在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面
就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构
是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。
实验所需部件:
稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、
各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）
实验步骤:
1、 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻
观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩
盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻
R
暗,
移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的
阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光
电阻越大，则灵敏度越高。
在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，
试作性能比较分析。
2、 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流
按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压
V
暗
和V
亮
则暗电流L
暗
=V
暗
/R
L
,亮电流L
亮
=V
亮/
R
L，
亮电流与暗电流之差称为光电流，
光电流越大则灵敏度越高。
分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。
图（2）几种光敏电阻的光谱特性
3、 伏安特性:
光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。
按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光
源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表
格并作出V/I曲线。
注意事项:
实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P
MAX
, P
MAX
=LV。 光源照射时灯胆及
灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用
在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。
2024年3月24日发(作者：龙清馨)
光电探测技术
实验报告
班 级：08050341X
学 号：28
* ****
实验一 光敏电阻特性实验
实验原理:
光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体
在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面
就制成了光敏电阻，不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构
是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。
实验所需部件:
稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、
各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（由用户选配）
实验步骤:
1、 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻
观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩
盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻
R
暗,
移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的
阻值为亮电阻，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光
电阻越大，则灵敏度越高。
在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，
试作性能比较分析。
2、 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流
按照图(3)接线，电源可从+2~+8V间选用，分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压
V
暗
和V
亮
则暗电流L
暗
=V
暗
/R
L
,亮电流L
亮
=V
亮/
R
L，
亮电流与暗电流之差称为光电流，
光电流越大则灵敏度越高。
分别测出两种光敏电阻的亮电流，并做性能比较。
图（2）几种光敏电阻的光谱特性
3、 伏安特性:
光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。
按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流，并尝试高照射光
源的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表
格并作出V/I曲线。
注意事项:
实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P
MAX
, P
MAX
=LV。 光源照射时灯胆及
灯杯温度均很高，请勿用手触摸，以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用
在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法，同时也须考虑到环境光照的影响。