2024年3月28日发(作者：海傲南)
内存概述
存储器： 主存储器（主存）——内存 DRAM：系统内存 SRAM：L1 Cache和L2 Cache
辅助存储器（外存）——外存 指磁性介质或光盘，能长期保存信息
一、静态RAM（SRAM）：
主要特点：不需刷新；读写速度很快；电路元件多，生产成本高
结构：一个存储单元由4个晶体管和2个电阻组成
转换时间：≤20ns
工作原理：SRAM的基本结构采用一个双稳态电路，由于读、写的转换由写电路控制，所
以只要电路不动作，电路有电，开关就保持现状，不刷新。
双稳态电路：如：高电平时，相当开关处于开状态，在读过程保持不变。
如：低电平时，相当开关处于关状态，在读过程其他电路不变。
二、动态RAM（DRAM）：
主要特点：需不断刷新，刷新过程不能读写数据；读写时间慢于SRAM；结构简单，集成
度高，成本低。
结构：一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。
刷新时间：60～120ns
工作原理：DRAM是一个晶体管和一人小电容组成。晶体管通过小电容的电压来保持断开，
接通状态。当小电容有电时，晶体管接通表示“1”；当小电路没电时，晶体管断开表示“0”，
但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失，所以需不断的进行“刷新”
内存的基本知识
1、数据带宽
——指内存的数据传输速度，是衡量内存的重要指标。
例如：PC 100 SDRAM 外频100MHz时，传输率800MB/s
PC 133 SDRAM 外频133MHz时，传输率1.6GB/s
DDR DRAM 外频133MHz时，传输率2.1GB/s
2、时钟周期
——代表SDRAM所能运行的最大频率，该数字越小，SDRAM所能运行的频率就越高。
例如：PC 100 SDRAM 芯片上标识“-10”代表的运行时钟周期为10ns，即可在100MHz
的外频下正常工作。
计算公式： 频率=1/周期
3、CAS延时时间
——指纵向地址脉冲的反应时间。
例如：SDRAM （100MHz外频下）都能运行在CL=2或CL=3模式下，也就说这时读取数据
的延时时间可以是两个时钟周期或三个时钟周期。
4、存取时间
——大多数据SDRAM芯片的存取时间为5ns、6ns、7ns、8ns、10ns
对于内存的总延时时间，计算公式：
总延时时间=时钟周期×CAS延时时间+存取时间
5、SPD（电子可擦写编只读存储器）芯片
——它是一个8针的SOIC封装256字节的EEPROM芯片，该芯片位于内存条的正面的右
侧，里面记录了内存的速度，容量、电压、行地址、列地址、带宽等参数。
内存条的编号识别
一、现代DDR内存编号
HY
XX
X
XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref65=64Mbits、4K Ref；
128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、
8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm
TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4:250MHZ、33 :300NHZ、
L:DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A
二、Micron DDR内存编号
MT
XX
XX
XX X
XX XX XX XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024年3月28日发(作者：海傲南)
内存概述
存储器： 主存储器（主存）——内存 DRAM：系统内存 SRAM：L1 Cache和L2 Cache
辅助存储器（外存）——外存 指磁性介质或光盘，能长期保存信息
一、静态RAM（SRAM）：
主要特点：不需刷新；读写速度很快；电路元件多，生产成本高
结构：一个存储单元由4个晶体管和2个电阻组成
转换时间：≤20ns
工作原理：SRAM的基本结构采用一个双稳态电路，由于读、写的转换由写电路控制，所
以只要电路不动作，电路有电，开关就保持现状，不刷新。
双稳态电路：如：高电平时，相当开关处于开状态，在读过程保持不变。
如：低电平时，相当开关处于关状态，在读过程其他电路不变。
二、动态RAM（DRAM）：
主要特点：需不断刷新，刷新过程不能读写数据；读写时间慢于SRAM；结构简单，集成
度高，成本低。
结构：一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成。
刷新时间：60～120ns
工作原理：DRAM是一个晶体管和一人小电容组成。晶体管通过小电容的电压来保持断开，
接通状态。当小电容有电时，晶体管接通表示“1”；当小电路没电时，晶体管断开表示“0”，
但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失，所以需不断的进行“刷新”
内存的基本知识
1、数据带宽
——指内存的数据传输速度，是衡量内存的重要指标。
例如：PC 100 SDRAM 外频100MHz时，传输率800MB/s
PC 133 SDRAM 外频133MHz时，传输率1.6GB/s
DDR DRAM 外频133MHz时，传输率2.1GB/s
2、时钟周期
——代表SDRAM所能运行的最大频率，该数字越小，SDRAM所能运行的频率就越高。
例如：PC 100 SDRAM 芯片上标识“-10”代表的运行时钟周期为10ns，即可在100MHz
的外频下正常工作。
计算公式： 频率=1/周期
3、CAS延时时间
——指纵向地址脉冲的反应时间。
例如：SDRAM （100MHz外频下）都能运行在CL=2或CL=3模式下，也就说这时读取数据
的延时时间可以是两个时钟周期或三个时钟周期。
4、存取时间
——大多数据SDRAM芯片的存取时间为5ns、6ns、7ns、8ns、10ns
对于内存的总延时时间，计算公式：
总延时时间=时钟周期×CAS延时时间+存取时间
5、SPD（电子可擦写编只读存储器）芯片
——它是一个8针的SOIC封装256字节的EEPROM芯片，该芯片位于内存条的正面的右
侧，里面记录了内存的速度，容量、电压、行地址、列地址、带宽等参数。
内存条的编号识别
一、现代DDR内存编号
HY
XX
X
XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref65=64Mbits、4K Ref；
128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、
8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm
TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4:250MHZ、33 :300NHZ、
L:DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A
二、Micron DDR内存编号
MT
XX
XX
XX X
XX XX XX XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10