2024年4月10日发(作者：戈依波)

模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式

7.1 半导体器件基础

GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：

i

D

I

R(sat)

(e

u

D

V

T

1)

式中，i

D

为流过二极管的电流，u

D

。为加在二极管两端的电压，V

T

称为温度的电压当量，与

热力学温度成正比，表示为V

T

= kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602

×10

-19

C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10

-23

J／K。室温下，可求得V

T

= 26mV。I

R(sat)

是二极管

的反向饱和电流。

GS0102 直流等效电阻R

D

直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U

D

与流过二极管的直流电流I

D

之比，即

R

D



U

D

I

D

R

D

的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注

意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一

般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆

之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。

GS0103 交流等效电阻r

d

r

d

(

du

D

)

Q

di

D

r

d

亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。

需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通

常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。

GS0104 I

Zmin

＜Iz＜I

Zmax

其中稳定电流I

Z

是指稳压管正常工作时的参考电流。I

Z

通常在最小稳定电流I

Zmin

与最大稳

定电流I

Zmax

之间。其中I

Zmin

是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压

效果差；I

Zmax

是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压

管将发生永久性击穿。故一般要求I

Zmin

＜Iz＜I

Zmax

。

- 70 -

电子技术基础知识点

GS0105 I

C

= I

NC

+ I

CBO

≈

I

NC

GS0106 I

B

= I

PB

+ I

PE

- I

CBO

≈

I

PB

- I

CBO

GS0107 I

E

＝

I

NE

＋

I

PE

≈

I

NE

GS0108 I

NE

＝ I

NC

＋

I

PB

GS0109

GS0110

GS0111

GS0112

GS0113

GS0114

GS0115

GS0116

GS017

GS0118

GS0119

GS0120

GS0121

GS0122

GS0123

GS0124

GS0125

GS0126

GS0127

I

E

＝I

C

＋

I

B





I

NC

I

C

I

CBO

I



I

PBB

I

CBO





I

C

I

B

I

C





I

B

(1



)I

CBO

I

C





I

B

I

CEO

I

E

(1



)I

B

I

CEO





I

NC

I

E



I

C

I

CBO

I

C

I



E

I

E

I

C





I

E

I

CBO

I

B

(1



)I

E

I

CBO





I

NC

I

NC

I

NC

I

NC



I



1



)II



E

(

BCEO

(1



)I

B

(1



)I

PB

1



I

B

f(U

BE

)|

U

CE

C

(C表示常数)

I

C

f(U

CE

)|

I

B

C

(C表示常数)





I

C

I

B





I

C

I

|

U

CE

B





I

C

I

|

U

CB

E

I

CEO

(1



)I

CBO

P

CM

＝I

C

U

CE

I

D

I

DSS

(1

U

GS

V

)

2

，I

DSS

是U

GS

＝0时的漏极饱和电流，V

P

称为夹断电压。

P

- 71 -



2024年4月10日发(作者：戈依波)

模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式

7.1 半导体器件基础

GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：

i

D

I

R(sat)

(e

u

D

V

T

1)

式中，i

D

为流过二极管的电流，u

D

。为加在二极管两端的电压，V

T

称为温度的电压当量，与

热力学温度成正比，表示为V

T

= kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602

×10

-19

C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10

-23

J／K。室温下，可求得V

T

= 26mV。I

R(sat)

是二极管

的反向饱和电流。

GS0102 直流等效电阻R

D

直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U

D

与流过二极管的直流电流I

D

之比，即

R

D



U

D

I

D

R

D

的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注

意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一

般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆

之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。

GS0103 交流等效电阻r

d

r

d

(

du

D

)

Q

di

D

r

d

亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。

需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通

常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。

GS0104 I

Zmin

＜Iz＜I

Zmax

其中稳定电流I

Z

是指稳压管正常工作时的参考电流。I

Z

通常在最小稳定电流I

Zmin

与最大稳

定电流I

Zmax

之间。其中I

Zmin

是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压

效果差；I

Zmax

是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压

管将发生永久性击穿。故一般要求I

Zmin

＜Iz＜I

Zmax

。

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电子技术基础知识点

GS0105 I

C

= I

NC

+ I

CBO

≈

I

NC

GS0106 I

B

= I

PB

+ I

PE

- I

CBO

≈

I

PB

- I

CBO

GS0107 I

E

＝

I

NE

＋

I

PE

≈

I

NE

GS0108 I

NE

＝ I

NC

＋

I

PB

GS0109

GS0110

GS0111

GS0112

GS0113

GS0114

GS0115

GS0116

GS017

GS0118

GS0119

GS0120

GS0121

GS0122

GS0123

GS0124

GS0125

GS0126

GS0127

I

E

＝I

C

＋

I

B





I

NC

I

C

I

CBO

I



I

PBB

I

CBO





I

C

I

B

I

C





I

B

(1



)I

CBO

I

C





I

B

I

CEO

I

E

(1



)I

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

I

NC

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I

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I

C

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

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I

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

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I

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I

B

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

)I

E

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I

NC

I

NC

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NC

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

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)|

U

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(C表示常数)

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C

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I

C

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|

U

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B

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CBO

P

CM

＝I

C

U

CE

I

D

I

DSS

(1

U

GS

V

)

2

，I

DSS

是U

GS

＝0时的漏极饱和电流，V

P

称为夹断电压。

P

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