2024年4月11日发(作者：鲍含海)
从内存条芯片编号看内存条的大小
SDRAM 内存芯片的新编号
HY
XX
X
XX
XX
X
A
B
C
D
E
F
X
G
XX
X
H
I
X
J
X
K
-
XX
L
X
M
A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代
表VDD电压为
3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；
W代表VDD电压为
2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/
D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代
表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28
代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷
新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、
8K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第
2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规
则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和
HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为
HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超
代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装
(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代
表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。
L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代
表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；
8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩
大温度。
DDR SDRAM 内存芯片的新编号
HY
XX
X
A
B
C
XX
XX
X
D
E
F
X
G
X
H
X
I
X
J
X
K
-
XX
L
X
M
A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。
2024年4月11日发(作者：鲍含海)
从内存条芯片编号看内存条的大小
SDRAM 内存芯片的新编号
HY
XX
X
XX
XX
X
A
B
C
D
E
F
X
G
XX
X
H
I
X
J
X
K
-
XX
L
X
M
A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代
表VDD电压为
3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；
W代表VDD电压为
2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/
D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代
表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28
代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷
新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、
8K刷新速度。
E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第
2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规
则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和
HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为
HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超
代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装
(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。
K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代
表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。
L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代
表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；
8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。
M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)。I代表工业温度；E代表扩
大温度。
DDR SDRAM 内存芯片的新编号
HY
XX
X
A
B
C
XX
XX
X
D
E
F
X
G
X
H
X
I
X
J
X
K
-
XX
L
X
M
A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。