2024年4月14日发(作者：鱼宵)
内存编号大集合
内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY
的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10>
<11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：
点击放大
其中HY代表现代的产品：
5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，
65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，
256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和
32位）；
<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，
是2的幂次关系）；
<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代
表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-
Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100
CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，
15=5ns［66MHz］）。
另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS
SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>
2024年4月14日发(作者：鱼宵)
内存编号大集合
内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY
的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10>
<11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：
点击放大
其中HY代表现代的产品：
5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，
65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，
256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和
32位）；
<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，
是2的幂次关系）；
<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代
表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-
Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100
CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，
15=5ns［66MHz］）。
另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS
SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>