2024年4月14日发(作者：印芮悦)
[技术资料] 内存条DDR I、II、III的含义和区别
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思
义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM
都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进
行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波
上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR
则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内
存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存不向后兼容SDRAM
DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与
系统。
DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包
括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。从JEDEC组织者阐述的
DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时
钟频率。
高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-
针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压
为1.8V，容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使
DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和
中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB
内存2KB的寻址设置。
DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只
有2位。
DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，
就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3
是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再
向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由
于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求
内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800
的核心工作频率只有100MHz
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ
校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新
成员。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而
DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个
逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，
16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3
必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2
和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突
发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的
2024年4月14日发(作者：印芮悦)
[技术资料] 内存条DDR I、II、III的含义和区别
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思
义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM
都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进
行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波
上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR
则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内
存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR内存不向后兼容SDRAM
DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与
系统。
DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包
括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。从JEDEC组织者阐述的
DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时
钟频率。
高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-
针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压
为1.8V，容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使
DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和
中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB
内存2KB的寻址设置。
DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只
有2位。
DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，
就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3
是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再
向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由
于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求
内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是：
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800
的核心工作频率只有100MHz
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ
校准功能。
下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新
成员。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而
DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个
逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，
16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3
必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2
和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突
发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的