2024年4月15日发(作者：纳春英)
国际整流器IR
IRF3205S/L
HEXFET
®
Power MOSFET
*先进的加工技术
Thermal Resistance
*极低的导通阻抗
V
DSS
= 55V
*动态的dv/dt等级
R
DS(on)
= 8.0mΩ
*175°C运行温度
I
D
= 110A
*充分的雪崩等级
TO-262 D
2
Pak IRF3205L
IRF3205S
描述
来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的
导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在
各个方面。
D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装
下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。
最大额定参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
参数
持续漏极电流，Vgs@10V
持续漏极电流,Vgs@10V
脉冲漏极电流，
功率消散
线性额定降低因数
门极电压
雪崩电流
重复雪崩能量
二极管恢复峰值电压变化率
工作节点温度和保存温度
最大值 单位
110 A
80 A
390 A
200 W
1.3
W/°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
，
T
STG
±20
V
62 A
20 mJ
°C
°C
5.0 V/nS
-55 to +175
10 lbf•in (1.1N•m)
焊接温度，在10秒内 300（假设为1.6mm）
封装 扭矩
热阻特性
R
θJC
R
θJA
参数
节点到外壳
接点到环境（PCB安装，稳定状态）
典型值 最大值
0.75
40
单位
°C/W
——
——
电气特征 @Tj=25°C (除非有其他详细说明)
参数 最小 典型 最大 单位
V
(BR)DSS
~ 55
————
V
ΔV
(BR)DSS
/ΔT
J
0.057
击穿电压的温度系数 ——
——
V/°C
R
DS(on)
静态漏源导通电阻 ——
——
8mΩ
测试条件
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
参考为25°C,Id=25mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS(th)
门极开启电压
前向跨导
漏源漏电流
2.0
g
fs
I
DSS
44
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
总体门极电荷
门源电荷
门漏电荷
打开延时
上升时间
关断延时
下降时间
内部漏极自感
内部源极自感
L
D
L
S
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
4.0 V
VDS = 25V, ID = 62A.
VDS = 25V, ID = 62A.
————
s
uA
V
DS
=25V,V
GS
=0V,T
J
=150℃
——
100
V
DS
=-20V
——
-100
nC I
D
=62A V
DS
=44V
——
146
V
GS
=10V,See Fig.6 and 13
——
35
——
54
14
——
ns V
DD
=28V
I
D
=62A
101
——
R
G
=4.5Ω
50
——
V
=10V,See Fig.6and 13
65
——
4.5
——
nH
GS
7.5
——
Between lead,
6mm(0.25in)
From package
And center of die contact
C
ISS
C
DSS
C
RSS
E
AS
输入电容量
输出电容量
反向恢复时间
反向恢复电荷
——
——
——
——
3247
781
211
1050
6
○
——
——
——
pF VGS=0V
VDS=25V
f= Fig.5
264 mJ I
AS
=62A,L=138uH
漏源极限和特征
参数
I
S
持续源极电流（自身二极
管）
I
SM
脉冲源极电流（自身二极
管）
最小 典型 最大
110
单位
A
测试条件
MOSFET symbol showing the
integral reverse p-n junction
————
————
390
diode.
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
二极管前向压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
前向恢复时间
————
1.3 V
T
J
=25℃,I
S
=62A,V
GS
=0V 4
ns
T
J
=25℃,I
F
=62A
——
69 104
——
143 215 nc
di/dt=100A/us4
内在打开时间是可以忽略的（打开受控于L
S
+L
D
）
4
脉宽≤400us;duty cycle≤2%.
○
5
适当的连续电流取决于允许结点温度.包装极限温度为
○
75A.
6
在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值.
○
7
这个适当的极限值为T
J
=175℃.
○
注意：
1
反复级别：
○
脉宽小于最大值。结点温度为。（看 图.11）.
2
开始时 T
J
=25℃，L=138uH R
G
=25Ω,I
AS
=62A.(看图
○
12).
3
I
SD
≤62A,di/dt≤207A/us,V
DD
≤
(BR)DSS
,T
J
≤℃.
○
*当裱装在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）.
被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记 #AN-994.
2024年4月15日发(作者：纳春英)
国际整流器IR
IRF3205S/L
HEXFET
®
Power MOSFET
*先进的加工技术
Thermal Resistance
*极低的导通阻抗
V
DSS
= 55V
*动态的dv/dt等级
R
DS(on)
= 8.0mΩ
*175°C运行温度
I
D
= 110A
*充分的雪崩等级
TO-262 D
2
Pak IRF3205L
IRF3205S
描述
来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的
导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在
各个方面。
D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装
下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。
最大额定参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
参数
持续漏极电流，Vgs@10V
持续漏极电流,Vgs@10V
脉冲漏极电流，
功率消散
线性额定降低因数
门极电压
雪崩电流
重复雪崩能量
二极管恢复峰值电压变化率
工作节点温度和保存温度
最大值 单位
110 A
80 A
390 A
200 W
1.3
W/°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
，
T
STG
±20
V
62 A
20 mJ
°C
°C
5.0 V/nS
-55 to +175
10 lbf•in (1.1N•m)
焊接温度，在10秒内 300（假设为1.6mm）
封装 扭矩
热阻特性
R
θJC
R
θJA
参数
节点到外壳
接点到环境（PCB安装，稳定状态）
典型值 最大值
0.75
40
单位
°C/W
——
——
电气特征 @Tj=25°C (除非有其他详细说明)
参数 最小 典型 最大 单位
V
(BR)DSS
~ 55
————
V
ΔV
(BR)DSS
/ΔT
J
0.057
击穿电压的温度系数 ——
——
V/°C
R
DS(on)
静态漏源导通电阻 ——
——
8mΩ
测试条件
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
参考为25°C,Id=25mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS(th)
门极开启电压
前向跨导
漏源漏电流
2.0
g
fs
I
DSS
44
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
总体门极电荷
门源电荷
门漏电荷
打开延时
上升时间
关断延时
下降时间
内部漏极自感
内部源极自感
L
D
L
S
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
——
4.0 V
VDS = 25V, ID = 62A.
VDS = 25V, ID = 62A.
————
s
uA
V
DS
=25V,V
GS
=0V,T
J
=150℃
——
100
V
DS
=-20V
——
-100
nC I
D
=62A V
DS
=44V
——
146
V
GS
=10V,See Fig.6 and 13
——
35
——
54
14
——
ns V
DD
=28V
I
D
=62A
101
——
R
G
=4.5Ω
50
——
V
=10V,See Fig.6and 13
65
——
4.5
——
nH
GS
7.5
——
Between lead,
6mm(0.25in)
From package
And center of die contact
C
ISS
C
DSS
C
RSS
E
AS
输入电容量
输出电容量
反向恢复时间
反向恢复电荷
——
——
——
——
3247
781
211
1050
6
○
——
——
——
pF VGS=0V
VDS=25V
f= Fig.5
264 mJ I
AS
=62A,L=138uH
漏源极限和特征
参数
I
S
持续源极电流（自身二极
管）
I
SM
脉冲源极电流（自身二极
管）
最小 典型 最大
110
单位
A
测试条件
MOSFET symbol showing the
integral reverse p-n junction
————
————
390
diode.
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
二极管前向压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
前向恢复时间
————
1.3 V
T
J
=25℃,I
S
=62A,V
GS
=0V 4
ns
T
J
=25℃,I
F
=62A
——
69 104
——
143 215 nc
di/dt=100A/us4
内在打开时间是可以忽略的（打开受控于L
S
+L
D
）
4
脉宽≤400us;duty cycle≤2%.
○
5
适当的连续电流取决于允许结点温度.包装极限温度为
○
75A.
6
在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值.
○
7
这个适当的极限值为T
J
=175℃.
○
注意：
1
反复级别：
○
脉宽小于最大值。结点温度为。（看 图.11）.
2
开始时 T
J
=25℃，L=138uH R
G
=25Ω,I
AS
=62A.(看图
○
12).
3
I
SD
≤62A,di/dt≤207A/us,V
DD
≤
(BR)DSS
,T
J
≤℃.
○
*当裱装在1″平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）.
被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记 #AN-994.