2024年4月15日发(作者：暨鸿羲)
VFD 显示模块 128S64AA1 及其应用
引言
目前，智能仪表常用的显示设备有发光二极管显示器 LED、液晶显示器
LCD 等，但是由于 LED 不能显示复杂字符、LCD 不宜在暗室中使用的缺点，
无法满足智能仪表对显示的更高求；而真空荧光显示屏 VFD 具有亮度高、可
调节、显示图案灵活的优点，在智能仪表中得到了广泛的应用。本文以
Samsung 公司的 128S64AA1VFD 显示模块为例，介绍在基于 51 系列单片机的
智能仪表中的应用。
1 显示模块的结构以及与单片机的接口
1.1 128S64AA1 的基本结构
该模块提供有 128×64 点阵，包括 VFD 显示屏、VFD 驱动电路、DC/DC 转
换器以及显示控制器；供电电压是 12V，逻辑电压是 5V；亮度可以由软件来
控制。
其接线端子有供电端和接口端两个，外部接口简单易用，30 根接口线的功能
分别为：8 根数据线 D0～D7 和于传输数据及亮度控制信号；11 根地址线用于
指定数据写入地址，其中 A0～A7 指定列数，A8～A10 指定行数；9 根控制线
中，BRAD 为选择写数据模式与亮度控制模式，WRITE 为写控制信号，
READY 为模块写数据允许，CLEAR 为清屏信号，DSPE 为显示允许信号，WP
为选择写数据页数，DP 为显示页数；2 根地线为从电池和逻辑地。
1.2 128S64AA1 与单片机的接口
128S64AA1 模块与 51 系列单片机的接口，其中 P1 口作为 VFD 所需的控制
线，P0 和 P2 作为地址线和数据线。
2 显示模块的控制和操作
该模块有清空方式（Clear Mode）、写数据方式（Write Mode）和亮度控制方
式（Dimming Mode）三种工作方式，对应的操作时序清晰示意了三种工作方式
下对 VFD 模块的控制和操作过程。
（1）清空方式
将 CLEAR 端置低电平，此时由 WP0 和 WP1 所选择的 RAM 清空。当清空
完毕时，READY 输出低电平。此方式的优先级最高，即使 READY 的输出为
1，RAM 仍波清空。
用 C51 实现的 RAM 清空的函数为：
void VFD_clear(void)
{P1 =0; //置清空 RAM 模式
P1 =1；
P1 =0 ；
do {}
while(P1 ==1); //等待清空响应
}
（2）写数据方式
当 DSPE 为高电平，BRAD 为高电平时，通过写操作可将待显示的数据写入
由 WP0 和 WP1 所选择的 RAM；当数据写入完毕，READY 输出低电平，此时
可以继续写入下一个数据。在此工作方式中，为了使 VFD 内部的 RAM 按照行
排列地址连续，以便于软件编程，在实际设计时可将地址 A8～A10 接 VFD 的
A0～A2，以用于选择点阵的行数；而将地址线 A0～A7 接 VFD 的 A3～A10，
用于选择点阵的列数。
在写工作方式中，应包括以下几个操作步骤：
①置写数据模式；
②置显示允许；
③选择写数据页数；
④写待显示数据；
⑤选择显示页数。
因此，可将实现此功能的 C51 程序设计如下：
void WrChar(uchar xdata *addr,uchar code *codename,uchar count)
//addr 为字的起始地址，count 为字符个数
{uint i=0;
uchar col;
for(col=0;colcount;col++){
*(addr++)=codeName[i++];
do {}
while(P1 ==1);
}tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！
2024年4月15日发(作者：暨鸿羲)
VFD 显示模块 128S64AA1 及其应用
引言
目前，智能仪表常用的显示设备有发光二极管显示器 LED、液晶显示器
LCD 等，但是由于 LED 不能显示复杂字符、LCD 不宜在暗室中使用的缺点，
无法满足智能仪表对显示的更高求；而真空荧光显示屏 VFD 具有亮度高、可
调节、显示图案灵活的优点，在智能仪表中得到了广泛的应用。本文以
Samsung 公司的 128S64AA1VFD 显示模块为例，介绍在基于 51 系列单片机的
智能仪表中的应用。
1 显示模块的结构以及与单片机的接口
1.1 128S64AA1 的基本结构
该模块提供有 128×64 点阵，包括 VFD 显示屏、VFD 驱动电路、DC/DC 转
换器以及显示控制器；供电电压是 12V，逻辑电压是 5V；亮度可以由软件来
控制。
其接线端子有供电端和接口端两个，外部接口简单易用，30 根接口线的功能
分别为：8 根数据线 D0～D7 和于传输数据及亮度控制信号；11 根地址线用于
指定数据写入地址，其中 A0～A7 指定列数，A8～A10 指定行数；9 根控制线
中，BRAD 为选择写数据模式与亮度控制模式，WRITE 为写控制信号，
READY 为模块写数据允许，CLEAR 为清屏信号，DSPE 为显示允许信号，WP
为选择写数据页数，DP 为显示页数；2 根地线为从电池和逻辑地。
1.2 128S64AA1 与单片机的接口
128S64AA1 模块与 51 系列单片机的接口，其中 P1 口作为 VFD 所需的控制
线，P0 和 P2 作为地址线和数据线。
2 显示模块的控制和操作
该模块有清空方式（Clear Mode）、写数据方式（Write Mode）和亮度控制方
式（Dimming Mode）三种工作方式，对应的操作时序清晰示意了三种工作方式
下对 VFD 模块的控制和操作过程。
（1）清空方式
将 CLEAR 端置低电平，此时由 WP0 和 WP1 所选择的 RAM 清空。当清空
完毕时，READY 输出低电平。此方式的优先级最高，即使 READY 的输出为
1，RAM 仍波清空。
用 C51 实现的 RAM 清空的函数为：
void VFD_clear(void)
{P1 =0; //置清空 RAM 模式
P1 =1；
P1 =0 ；
do {}
while(P1 ==1); //等待清空响应
}
（2）写数据方式
当 DSPE 为高电平，BRAD 为高电平时，通过写操作可将待显示的数据写入
由 WP0 和 WP1 所选择的 RAM；当数据写入完毕，READY 输出低电平，此时
可以继续写入下一个数据。在此工作方式中，为了使 VFD 内部的 RAM 按照行
排列地址连续，以便于软件编程，在实际设计时可将地址 A8～A10 接 VFD 的
A0～A2，以用于选择点阵的行数；而将地址线 A0～A7 接 VFD 的 A3～A10，
用于选择点阵的列数。
在写工作方式中，应包括以下几个操作步骤：
①置写数据模式；
②置显示允许；
③选择写数据页数；
④写待显示数据；
⑤选择显示页数。
因此，可将实现此功能的 C51 程序设计如下：
void WrChar(uchar xdata *addr,uchar code *codename,uchar count)
//addr 为字的起始地址，count 为字符个数
{uint i=0;
uchar col;
for(col=0;colcount;col++){
*(addr++)=codeName[i++];
do {}
while(P1 ==1);
}tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！