2024年4月15日发(作者：恽慧心)
第四章习题解答
4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型， 开启
电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？
答：（a）P-EMOSFET，开启电压
V
GSM
（b）
2V
P-DMOSFET，夹断电压
V
Gsoff
（或统称为开启电压
V
GS
Q
2V
（c） P-EMOSFET，开启电压
V
Gsth
4V
（d） N-DMOSFET，夹断电压
V
GS
Off
（或也称为开启电压
V
GS
Q
4V
4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、
（
b）、
（
c）、
（
d）所示。设漏极
电流i
D
的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的 FET?分别指出i
D
的实际方向
是流进还是流出？
答：（a）P-JFET，
i
D
的实际方向为从漏极流出。
（b）
（c）
（d）
N-DMOSFET，
i
°
的实际方向为从漏极流进。
P-DMOSFET，
i
D
的实际方向为从漏极流出。
N-EMOSFET,
i
D
的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知 N 沟道 EMOSFET 的卩
n
C
ox
=100
y
A/V
2
，V
GS
（
th
）
=0.8V, W/L=10，求下 列
情况下的漏极电流：
（a）
V
DS
=1.2V ;
（c） V
GS
=5V，V
DS
=0.2V;
V
GS
=5V，V
DS
=1V ;
（d） V
GS
=V
DS
=5V。
（ b） V
GS
=2V，
解：已知 N-EMOSFET 的
n
C
ox
100 A/V
2
, V
GSth
0.8V
W
L
10
（a） 当
V
GS
5V,V
DS
1V
时，MOSFET 处于非饱和状态
V
°s
V
GS
V
GS
th
DS DS2
I
D
/2V
GS
V
Gsth
VV
2
今 0.1
mA
V
102 5 0.8 1 1
2
3.7mA
（b）
MOSFET
当
V
GS
处于
2V,V
DS
1.2V
时，
J
S
V
GS
th
1-2V V
DS
，
临界饱和
I
D
i n
C
ox
（c）
MOSFET
¥
V
GS
V
GS
th
弓 0.1叫10
2
2 0.8
2
0.72mA
当
V
GS
处于
5V,V
DS
0.2V
时，%
V
GS
th
4.2V V
DS
，
2024年4月15日发(作者：恽慧心)
第四章习题解答
4-1如题4-1图所示MOSFE转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型， 开启
电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？
答：（a）P-EMOSFET，开启电压
V
GSM
（b）
2V
P-DMOSFET，夹断电压
V
Gsoff
（或统称为开启电压
V
GS
Q
2V
（c） P-EMOSFET，开启电压
V
Gsth
4V
（d） N-DMOSFET，夹断电压
V
GS
Off
（或也称为开启电压
V
GS
Q
4V
4-2 4个FET的转移特性分别如题4-2图（a）、
（
b）、
（
c）、
（
d）所示。设漏极
电流i
D
的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的 FET?分别指出i
D
的实际方向
是流进还是流出？
答：（a）P-JFET，
i
D
的实际方向为从漏极流出。
（b）
（c）
（d）
N-DMOSFET，
i
°
的实际方向为从漏极流进。
P-DMOSFET，
i
D
的实际方向为从漏极流出。
N-EMOSFET,
i
D
的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知 N 沟道 EMOSFET 的卩
n
C
ox
=100
y
A/V
2
，V
GS
（
th
）
=0.8V, W/L=10，求下 列
情况下的漏极电流：
（a）
V
DS
=1.2V ;
（c） V
GS
=5V，V
DS
=0.2V;
V
GS
=5V，V
DS
=1V ;
（d） V
GS
=V
DS
=5V。
（ b） V
GS
=2V，
解：已知 N-EMOSFET 的
n
C
ox
100 A/V
2
, V
GSth
0.8V
W
L
10
（a） 当
V
GS
5V,V
DS
1V
时，MOSFET 处于非饱和状态
V
°s
V
GS
V
GS
th
DS DS2
I
D
/2V
GS
V
Gsth
VV
2
今 0.1
mA
V
102 5 0.8 1 1
2
3.7mA
（b）
MOSFET
当
V
GS
处于
2V,V
DS
1.2V
时，
J
S
V
GS
th
1-2V V
DS
，
临界饱和
I
D
i n
C
ox
（c）
MOSFET
¥
V
GS
V
GS
th
弓 0.1叫10
2
2 0.8
2
0.72mA
当
V
GS
处于
5V,V
DS
0.2V
时，%
V
GS
th
4.2V V
DS
，