2024年4月23日发(作者：浑烟)
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN2.2
（22）申请日 2017.04.27
（71）申请人 苏州无离信息技术有限公司
地址 215000 江苏省苏州市吴中经济开发区越溪街道吴中大道1368号1幢A333室
（10）申请公布号
CN107103928A
（43）申请公布日 2017.08.29
（72）发明人 张建杰
（74）专利代理机构 上海申新律师事务所
代理人 闵东
（51）
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种新型8TSRAM单元电路系统
（57）摘要
本发明属于电路技术领域，公开了一种新
型8T SRAM单元电路系统，采用读数据的字线、
写数据的字线各自分开，以及读数据的位线、写
数据的位线各自分开的电路架构，并且在第二个
反相器的输出端与第一个反相器的输入端之间插
入一个自锁数据使能管来控制写入数据动作。本
发明解决了在电源电压较低的条件下实现正确的
数据写入，减少读取数据时对所存储数据的干
扰，提升存储单元的静态噪声容限。
法律状态
法律状态公告日
2017-08-29
2017-08-29
2017-09-22
公开
公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开
公开
法律状态
实质审查的生效
权利要求说明书
一种新型8TSRAM单元电路系统的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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2024年4月23日发(作者：浑烟)
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN2.2
（22）申请日 2017.04.27
（71）申请人 苏州无离信息技术有限公司
地址 215000 江苏省苏州市吴中经济开发区越溪街道吴中大道1368号1幢A333室
（10）申请公布号
CN107103928A
（43）申请公布日 2017.08.29
（72）发明人 张建杰
（74）专利代理机构 上海申新律师事务所
代理人 闵东
（51）
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种新型8TSRAM单元电路系统
（57）摘要
本发明属于电路技术领域，公开了一种新
型8T SRAM单元电路系统，采用读数据的字线、
写数据的字线各自分开，以及读数据的位线、写
数据的位线各自分开的电路架构，并且在第二个
反相器的输出端与第一个反相器的输入端之间插
入一个自锁数据使能管来控制写入数据动作。本
发明解决了在电源电压较低的条件下实现正确的
数据写入，减少读取数据时对所存储数据的干
扰，提升存储单元的静态噪声容限。
法律状态
法律状态公告日
2017-08-29
2017-08-29
2017-09-22
公开
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实质审查的生效
法律状态信息
公开
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