一.东微Green-MOS(500900V)-USB迷|专注于互联网分享

2024年4月25日发(作者：淦运盛)

一. 东微Green-MOS (500~900V)

1. 产品技术优势：改善动态性能

1) 高软度深槽超级结技术：专利技术解决深槽超级结的EMI问题，在EMI得到解决的同时

不损失效率；

2) 漏电流(Idss)更小，耐压(BV)一致性更高；

3) 栅电荷(Qg)更小，栅极驱动电路要求低。意味着驱动IC的功率管面积可以大幅缩小，驱

动芯片面积可大幅缩小，成本竞争力增强，Cgd电容小，开关速度快，开关损耗小，可

用于高端350kHz电源系统。

2. 产品选型

对应VDMOS

Rdson/Ω

BVDSS/V

Class Part No. PackageIds/A

Ids/A

Min .

OSG90R1K2AF TO-251 900 1 1.2 5 NA

900V

OSG90R1K2IF TO-262 900 1 1.2 5 NA

OSG80R1K4AF TO-251 800 1.2 1.4 4 7~8

OSG80R1K4DF TO-252 800 1.2 1.4 4 7~8

OSG80R1K4FF TO-250F 800 1.2 1.4 4 7~8

800V

OSG80R650DF TO-252 800 0.55 0.65 8 12

OSG80R650FF TO-220F 800 0.55 0.65 8 12

/ /

OSG80R069HF TO-220F 800 0.69 NA

OSG70R1K4F TO-220F 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1K4NF SOT223-2700 1.25 1.4 4

OSG70R1K4AF TO-251 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1K4DF TO-252 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1KF TO-220F 700 0.8 1 5 8~10

OSG70R1KAF TO-251 700 0.8 1 5 8~10

OSG70R1KDF TO-252 700 0.8 1 5 8~10

700 0.65 0.75 7 12

700V

OSG70R750FF TO-220F

OSG70R750AF TO-251 750 0.65 0.75 7 12

OSG70R750DF TO-252 700 0.65 0.75 7 12

OSG70R500FF TO-220F 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R500AF TO-251 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R500DF TO-252 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R350FF TO-220F 700 0.3 0.35 12 NA

OSG70R350DF TO-252 700 0.3 0.35 12 NA

OSG65R2K4FF TO-220F 650 2.2 2.4 2 4

OSG65R2K4AF TO-251 650 2.2 2.4 2 4

OSG65R2K4DF TO-252 650 2.2 2.4 2 4

650V

OSG65R2KF TO-220F 650 1.7 2 3 5~6

OSG65R2KAF TO-251 650 1.7 2 3 5~6

OSG65R2KDF TO-252 650 1.7 2 3 5~6

对应VDMOS

Rdson/Ω

BVDSS/V

Class Part No. PackageIds/A

Ids/A

Min .

4 7 650 1.2 1.4

OSG65R1K4FF TO-220F

650 1.2 1.4 4 7

OSG65R1K4AF TO-251

650 1.2 1.4 4 7

OSG65R1K4DF TO-252

650 0.9 1 4.5 7~8

OSG07N65F TO-220F

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900FF TO-220F

0.9 5 8~10

OSG65R900P TO-220

650 0.72

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900FEF TO-220F

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900AF TO-251

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900DF TO-252

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760FF TO-220F

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760IF TO-262

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760AF TO-251

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760DF TO-252

650 0.55 0.65 7.5 11

OSG65R650F TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580FF TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580P TO-220

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580FEF TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580AF TO-251

650 0.5 0.58 8 12

650V OSG65R580DF TO-252

650 0.38 0.46 10 15

OSG65R460FZF TO-220F

650 0.38 0.46 10 15

OSG65R460DZF TO-252

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380FF TO-220F

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380PF TO-220

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380KF TO-263

650 0.35 0.38 11 15~18

OSG65R380AF TO-251

650 0.35 0.38 11 15~18

OSG65R380DF TO-252

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290PF TO-220

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290FF TO-220F

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290KF TO-263

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290AF TO-251

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290DF TO-252

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200PF TO-220

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200FF TO-220F

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200HF TO-247

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200KF TO-263

650 0.188 0.222 20 NA

OSG65R220PZF TO-220

650 0.18 0.22 20 NA

OSG65R220IZF TO-262

2024年4月25日发(作者：淦运盛)

一. 东微Green-MOS (500~900V)

1. 产品技术优势：改善动态性能

1) 高软度深槽超级结技术：专利技术解决深槽超级结的EMI问题，在EMI得到解决的同时

不损失效率；

2) 漏电流(Idss)更小，耐压(BV)一致性更高；

3) 栅电荷(Qg)更小，栅极驱动电路要求低。意味着驱动IC的功率管面积可以大幅缩小，驱

动芯片面积可大幅缩小，成本竞争力增强，Cgd电容小，开关速度快，开关损耗小，可

用于高端350kHz电源系统。

2. 产品选型

对应VDMOS

Rdson/Ω

BVDSS/V

Class Part No. PackageIds/A

Ids/A

Min .

OSG90R1K2AF TO-251 900 1 1.2 5 NA

900V

OSG90R1K2IF TO-262 900 1 1.2 5 NA

OSG80R1K4AF TO-251 800 1.2 1.4 4 7~8

OSG80R1K4DF TO-252 800 1.2 1.4 4 7~8

OSG80R1K4FF TO-250F 800 1.2 1.4 4 7~8

800V

OSG80R650DF TO-252 800 0.55 0.65 8 12

OSG80R650FF TO-220F 800 0.55 0.65 8 12

/ /

OSG80R069HF TO-220F 800 0.69 NA

OSG70R1K4F TO-220F 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1K4NF SOT223-2700 1.25 1.4 4

OSG70R1K4AF TO-251 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1K4DF TO-252 700 1.25 1.4 4 7

OSG70R1KF TO-220F 700 0.8 1 5 8~10

OSG70R1KAF TO-251 700 0.8 1 5 8~10

OSG70R1KDF TO-252 700 0.8 1 5 8~10

700 0.65 0.75 7 12

700V

OSG70R750FF TO-220F

OSG70R750AF TO-251 750 0.65 0.75 7 12

OSG70R750DF TO-252 700 0.65 0.75 7 12

OSG70R500FF TO-220F 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R500AF TO-251 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R500DF TO-252 700 0.4 0.5 10 18

OSG70R350FF TO-220F 700 0.3 0.35 12 NA

OSG70R350DF TO-252 700 0.3 0.35 12 NA

OSG65R2K4FF TO-220F 650 2.2 2.4 2 4

OSG65R2K4AF TO-251 650 2.2 2.4 2 4

OSG65R2K4DF TO-252 650 2.2 2.4 2 4

650V

OSG65R2KF TO-220F 650 1.7 2 3 5~6

OSG65R2KAF TO-251 650 1.7 2 3 5~6

OSG65R2KDF TO-252 650 1.7 2 3 5~6

对应VDMOS

Rdson/Ω

BVDSS/V

Class Part No. PackageIds/A

Ids/A

Min .

4 7 650 1.2 1.4

OSG65R1K4FF TO-220F

650 1.2 1.4 4 7

OSG65R1K4AF TO-251

650 1.2 1.4 4 7

OSG65R1K4DF TO-252

650 0.9 1 4.5 7~8

OSG07N65F TO-220F

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900FF TO-220F

0.9 5 8~10

OSG65R900P TO-220

650 0.72

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900FEF TO-220F

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900AF TO-251

650 0.72 0.9 5 8~10

OSG65R900DF TO-252

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760FF TO-220F

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760IF TO-262

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760AF TO-251

650 0.66 0.76 7 10

OSG65R760DF TO-252

650 0.55 0.65 7.5 11

OSG65R650F TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580FF TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580P TO-220

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580FEF TO-220F

650 0.5 0.58 8 12

OSG65R580AF TO-251

650 0.5 0.58 8 12

650V OSG65R580DF TO-252

650 0.38 0.46 10 15

OSG65R460FZF TO-220F

650 0.38 0.46 10 15

OSG65R460DZF TO-252

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380FF TO-220F

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380PF TO-220

650 0.33 0.38 11 15~18

OSG65R380KF TO-263

650 0.35 0.38 11 15~18

OSG65R380AF TO-251

650 0.35 0.38 11 15~18

OSG65R380DF TO-252

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290PF TO-220

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290FF TO-220F

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290KF TO-263

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290AF TO-251

650 0.26 0.29 15 NA

OSG65R290DF TO-252

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200PF TO-220

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200FF TO-220F

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200HF TO-247

650 0.17 0.2 20 NA

OSG65R200KF TO-263

650 0.188 0.222 20 NA

OSG65R220PZF TO-220

650 0.18 0.22 20 NA

OSG65R220IZF TO-262

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