2024年4月28日发(作者：怀逸云)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.7
(22)申请日 2013.10.31
(71)申请人 南京信息工程大学
地址 210044 江苏省南京市宁六路219号
(72)发明人 华国环 郭薇 刘清惓
(74)专利代理机构 南京众联专利代理有限公司
代理人 张慧清
(51)
G09G3/28
G06F17/50
(10)申请公布号 CN 103594051 A
(43)申请公布日 2014.02.19
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
等离子电视列驱动芯片中DPLD管
的建模分析方法
(57)摘要
本发明公开了一种等离子电视列驱
动芯片中DPLD管的建模分析方法，能够
对列驱动芯片的能量恢复效率和输出电压
波形进行高精度建模分析，包括如下步
骤：测试得到列驱动芯片中的DPLD管在
充电和放电过程中的电压电流曲线；利用
曲线拟合方法得到DPLD管在充电和放电
过程中电压电流关系的多项式表达式；利
用多项式表达式生成DPLD管的压控电流
源模型，并分别代入充电仿真电路和放电
仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放
电过程中输出电压的变化趋势；利用列驱
动芯片在充电和放电过程中的电压波形，
计算出该芯片的能量恢复效率。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，其特征在于：包括如下
步骤：
A.测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线；
B.根据步骤A中得到的电压电流曲线，利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和
放电过程中
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
其中ID为DPLD管的沟道电流，VDS为储能电容和屏电容
上电压差值；
C.根据式（1）和（2）分别建立充电和放电过程中的压控电流源模型，并分别代入
充电仿 真电路和放电仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放
电压电流关系的多项式表达式，如下所示：
电过程中输出电压的变化趋势；
D.利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，计算出该芯片的能量恢复效率，
如下
所示：
充电效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100% （3）
其中，Vout1(70ns)是充电过程中充电时间为70ns时的电压幅值，Vpp
是列驱动芯片的工作
2.根据权利要求1所述的等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，其特
征在于： 所述压控电流源模型通过以下方式生成：利用电路仿真
用于仿真的压控电流源模型。
电源电压。
软件编写压控电流源代码，生成可
3.根据权利要求1或2所述的等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，
其特征在
于：所述电路仿真软件为Saber仿真软件。
说 明 书
技术领域
本发明属于微电子集成电路技术领域，尤其是涉及一种等离子电视列驱动芯片中
DPLD管
背景技术
等离子电视中的列驱动芯片包含最重要的DPLD管（双沟道P型横向扩散金属氧
化物半导 体管），该晶体管在列驱动芯片的能量恢复过程中起关键作用。
以简化为一个外部储能电容通过列驱动芯
驱动芯片的能量恢复
的建模分析方法。
列驱动芯片的能量恢复技术可
片内DPLD管给屏电容充放电的过程。DPLD管对列
效率影响很大，因此能否精确地建立DPLD管的运算模型直接关联到列驱
图1是列驱动芯片的能量恢复技术示意图，其中线框代表列驱动芯片，为简化分析，
虚 线框中只列出了DPLD管，因为列驱动芯片在能量恢复操作过程中，
间的电荷交换就是通过DPLD管来完成的。电
程，由屏电容流向储能电容
为下一
动芯片能量恢复效率的预测结果是否准确。
外部储能电容和屏电容之
荷由储能电容流向屏电容的过程称之为充电过
的过程称之为放电过程。屏电容上的电荷转移到储能电容中，作
次充电过程的一部分电荷，这个电荷回收利用过程就是列驱动芯片的能量恢复技术。
对列驱动芯片能量恢复技术进行建模分析，需要储能电容、DPLD管、屏电容三者
的数学 模型来构成对应的仿真电路。储能电容和屏电容都可以用理想
管，由于其制备工艺非常复杂，众多寄生
的仿真模型。如果使
的电容模型来代替，但是DPLD
电容参数难以得到精确的提取值，目前尚缺乏精确
用传统的BSIM3模型，需要提取非常多的工艺参数，由于DPLD管的寄生
电容参数提取不精确，所以已有的DPLD管的BSIM3模型精度不高，模型
在这种低精度的建模分析之下，无法实现对列驱
无法准确预测列驱动芯片的
等离子
精度只有75%左右，
动芯片的能量恢复波形进行精确仿真，也就
能量恢复效率，同时也无法判断所设计的列驱动芯片是否能满足
电视的需求。
发明内容
为解决上述问题，本发明公开了一种DPLD管的建模分析方法，能够对列驱动芯
片的能量
为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，包括如下步骤：
A.测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线；
B.根据步骤A中得到的电压电流曲线，利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和
放电过程中
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
电压电流关系的多项式表达式，如下所示：
恢复效率和输出电压波形进行高精度建模分析。
其中ID为DPLD管的沟道电流，VDS为储能电容和屏电容
上电压差值；
C.根据式（1）和（2）分别建立充电和放电过程中的压控电流源模型，并分别代入
充电仿 真电路和放电仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放电过程
中输出电压的变化趋势；
D.利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，计算出该芯片的能量恢复效率，
如下
充电效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100% （3）
其中，Vout1(70ns)是充电过程中充电时间为70ns时的电压幅值，Vpp
是列驱动芯片的工作
作为本发明的一种优选方案，所述压控电流源模型通过以下方式生成：利用电路仿
真软
作为本发明的一种优选方案，所述电路仿真软件为Saber仿真软件。
与现有的建模方法相比，本发明提供的DPLD管建模分析方法，不需要提取DPLD
管众多 的工艺参数，仅仅利用实测的电压电流数值，通过曲线拟合就
源模型，从而实现列驱动芯片能量恢复效
离子电视实测结果对
件编写压控电流源代码，生成可用于仿真的压控电流源模型。
电源电压。
所示：
可以得到更为精确的压控电流
率的精确预测。本方法实现简单，其仿真结果和等
比验证，建模分析结果误差小于4%，验证精度很高，是一种便捷、可靠
附图说明
的建模分析方法。
图1为列驱动芯片的能量恢复技术示意图；
图2是列驱动芯片的充放电过程中电压电流曲线；
图3是列驱动芯片能量恢复波形用的仿真电路；
其中，压控电流源1和压控电流源2分别代表充电和放电过程中DPLD管的压控电
流源模
图4是仿真列驱动芯片的充电过程中的输出电压波形；
图5是仿真列驱动芯片的放电过程中的输出电压波形；
图6是等离子电视实测列驱动芯片充电和放电过程电压波形。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明提供的技术方案进行详细说明，应理解下述具体实
施方
列驱动芯片的能量恢复技术中，不管是充电过程还是放电过程，DPLD管都是起桥
梁作用。 如图1所示，当储能电容CEC上的电压比屏电容
上，在DPLD
式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
型；
CL上电压大时，电荷从储能电容转移到屏电容
管内部就产生由CEC流向CL的电流。当储能电容
CL上的电压比屏电容CEC上电压大 时，电荷从屏
电容转移到储能电容上，在DPLD管内部就产生由CL流向
CEC的电流。在充电和 放电过程中，流过DPLD管的电
类似于流大小跟储能电容和屏电容之间的电压差相关，这个工作机理
一个压控电流源。DPLD管的分析模型完全可以用压控电流源来代替，压控电流源
模型
本发明提供的DPLD管建模分析方法包括如下步骤：
测试得到DPLD管在充电和放电过程中的电压电流数值，并绘成如图2所示的电
压电流关 系曲线。利用曲线拟合的方法，可以得到列驱动芯片在充电和
式关系表达式，如下所示：
的建立需要DPLD管的电压电流数值。
放电过程中电压和电流的多项
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
其中ID代表DPLD管的沟道电流，VDS代表储能电容
CEC和屏电容CL上电压差值。
通过式（1）和（2）可以建立充电和放电过程中的压控电流源模型，本例中我们利
用电 路仿真软件Saber，编写压控电流源代码，生成可用于仿真的压控电
入充电仿真电路和放电仿真电路中去，代入压控
代入压控电流源模型的充电
流源模型，然后分别代
电流源模型的充电仿真电路如图3（a）所示，
仿真电路如图3（b）所示，其中U1(0)和U2(0)分别代表
储能电容 和屏电容的初始电压；通过瞬态仿真，就可以得到列驱动芯片
的充电和放电电压波形。
本发明提出的DPLD管压控电流源模型，其仿真精度可以通过实测列驱动芯片在
等离子电 视中的能量恢复波形来验证，等离子电视实测列驱动芯片充电
示，其中点E为上升沿充电电压，点F
压控电流源模
和放电过程电压波形如图6所
为下降沿放电电压。我们利用DPLD管的BSIM3模型和
型，分别仿真得到能量恢复过程中充电和放电的不同电压波形，具体如图4和
图5所示。其中，图4为列驱动芯片在充电过程中输出电压的变化趋势，
的电源电压，Vout1(t)代表充电过程中列驱
为70ns时的压控电
Vpp是列芯片工作
动芯片输出电压波形，A点和B点分别对应充电时间
流源1模型和BSIM3模型的仿真电压值；图5为列驱动芯片在放电过程中
输出电压的变化趋势，Vout2(t)代表放电过
放电时间为70ns时
程中列驱动芯片输出电压波形，C点和D点分别对应
的压控电流源2模型和BSIM3模型的仿真电压值。
DPLD管的BSIM3模型和压控电流源模型的仿真结果以及等离子电视实测结果对
比如表1
表1
从表1的对比结果可以看出，当充电时间和放电时间都是70ns时，实际测试该列
驱动芯 片在等离子电视中的充电和放电波形，得到列驱动芯片在上升
22.75V，下降沿放电电压
所示：
沿充电电压Vout1(70ns)为
Vout2(70ns)为28.90V。利用BSIM3模型得到的充电电压
Vout1(70ns) 和放电电压Vout2(70ns)分别是
17.673V和36.155V，利用压控电流源模型得到的充电电压
Vout1(70ns)和放电电压Vout2(70ns)分别是23.672V
流源模型仿真结果差别较大，
过程）
和29.662V。BSIM3模型的仿真结果跟压控电
本发明建立的DPLD管压控电流源模型的误差只有3.89%（充电
和2.56%（放电过程）；而BSIM3模型的误差达到了22.32%（充电过程）和25.1%
（放 电过程）。因此本发明的压控电流源模型有很高的仿真精度，可用于
的能量恢复效率。 精确预测一款列驱动芯片
利用上述列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，仿真得到该列驱动芯片的能
量恢
能量恢复效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100%=23.672/56*100%=42.27% （3）
式（3）中70ns是充电和放电时间，Vpp是列驱动芯片的工作电源电压，
Vout1是充电过程
本发明的压控电流源模型有很高的仿真精度，在用于列驱动芯片的能量恢复波形仿
真时，
本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由
以上 技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出，对于本技术领域的
不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改
保护范围。
预测结果也非常精确。
中电压幅值。
复效率如下所示：
普通技术人员来说，在
进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的
2024年4月28日发(作者：怀逸云)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.7
(22)申请日 2013.10.31
(71)申请人 南京信息工程大学
地址 210044 江苏省南京市宁六路219号
(72)发明人 华国环 郭薇 刘清惓
(74)专利代理机构 南京众联专利代理有限公司
代理人 张慧清
(51)
G09G3/28
G06F17/50
(10)申请公布号 CN 103594051 A
(43)申请公布日 2014.02.19
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
等离子电视列驱动芯片中DPLD管
的建模分析方法
(57)摘要
本发明公开了一种等离子电视列驱
动芯片中DPLD管的建模分析方法，能够
对列驱动芯片的能量恢复效率和输出电压
波形进行高精度建模分析，包括如下步
骤：测试得到列驱动芯片中的DPLD管在
充电和放电过程中的电压电流曲线；利用
曲线拟合方法得到DPLD管在充电和放电
过程中电压电流关系的多项式表达式；利
用多项式表达式生成DPLD管的压控电流
源模型，并分别代入充电仿真电路和放电
仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放
电过程中输出电压的变化趋势；利用列驱
动芯片在充电和放电过程中的电压波形，
计算出该芯片的能量恢复效率。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，其特征在于：包括如下
步骤：
A.测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线；
B.根据步骤A中得到的电压电流曲线，利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和
放电过程中
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
其中ID为DPLD管的沟道电流，VDS为储能电容和屏电容
上电压差值；
C.根据式（1）和（2）分别建立充电和放电过程中的压控电流源模型，并分别代入
充电仿 真电路和放电仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放
电压电流关系的多项式表达式，如下所示：
电过程中输出电压的变化趋势；
D.利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，计算出该芯片的能量恢复效率，
如下
所示：
充电效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100% （3）
其中，Vout1(70ns)是充电过程中充电时间为70ns时的电压幅值，Vpp
是列驱动芯片的工作
2.根据权利要求1所述的等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，其特
征在于： 所述压控电流源模型通过以下方式生成：利用电路仿真
用于仿真的压控电流源模型。
电源电压。
软件编写压控电流源代码，生成可
3.根据权利要求1或2所述的等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，
其特征在
于：所述电路仿真软件为Saber仿真软件。
说 明 书
技术领域
本发明属于微电子集成电路技术领域，尤其是涉及一种等离子电视列驱动芯片中
DPLD管
背景技术
等离子电视中的列驱动芯片包含最重要的DPLD管（双沟道P型横向扩散金属氧
化物半导 体管），该晶体管在列驱动芯片的能量恢复过程中起关键作用。
以简化为一个外部储能电容通过列驱动芯
驱动芯片的能量恢复
的建模分析方法。
列驱动芯片的能量恢复技术可
片内DPLD管给屏电容充放电的过程。DPLD管对列
效率影响很大，因此能否精确地建立DPLD管的运算模型直接关联到列驱
图1是列驱动芯片的能量恢复技术示意图，其中线框代表列驱动芯片，为简化分析，
虚 线框中只列出了DPLD管，因为列驱动芯片在能量恢复操作过程中，
间的电荷交换就是通过DPLD管来完成的。电
程，由屏电容流向储能电容
为下一
动芯片能量恢复效率的预测结果是否准确。
外部储能电容和屏电容之
荷由储能电容流向屏电容的过程称之为充电过
的过程称之为放电过程。屏电容上的电荷转移到储能电容中，作
次充电过程的一部分电荷，这个电荷回收利用过程就是列驱动芯片的能量恢复技术。
对列驱动芯片能量恢复技术进行建模分析，需要储能电容、DPLD管、屏电容三者
的数学 模型来构成对应的仿真电路。储能电容和屏电容都可以用理想
管，由于其制备工艺非常复杂，众多寄生
的仿真模型。如果使
的电容模型来代替，但是DPLD
电容参数难以得到精确的提取值，目前尚缺乏精确
用传统的BSIM3模型，需要提取非常多的工艺参数，由于DPLD管的寄生
电容参数提取不精确，所以已有的DPLD管的BSIM3模型精度不高，模型
在这种低精度的建模分析之下，无法实现对列驱
无法准确预测列驱动芯片的
等离子
精度只有75%左右，
动芯片的能量恢复波形进行精确仿真，也就
能量恢复效率，同时也无法判断所设计的列驱动芯片是否能满足
电视的需求。
发明内容
为解决上述问题，本发明公开了一种DPLD管的建模分析方法，能够对列驱动芯
片的能量
为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种等离子电视列驱动芯片中DPLD管的建模分析方法，包括如下步骤：
A.测试得到列驱动芯片中的DPLD管在充电和放电过程中的电压电流曲线；
B.根据步骤A中得到的电压电流曲线，利用曲线拟合方法得到DPLD管在充电和
放电过程中
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
电压电流关系的多项式表达式，如下所示：
恢复效率和输出电压波形进行高精度建模分析。
其中ID为DPLD管的沟道电流，VDS为储能电容和屏电容
上电压差值；
C.根据式（1）和（2）分别建立充电和放电过程中的压控电流源模型，并分别代入
充电仿 真电路和放电仿真电路中，得到列驱动芯片在充电和放电过程
中输出电压的变化趋势；
D.利用列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，计算出该芯片的能量恢复效率，
如下
充电效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100% （3）
其中，Vout1(70ns)是充电过程中充电时间为70ns时的电压幅值，Vpp
是列驱动芯片的工作
作为本发明的一种优选方案，所述压控电流源模型通过以下方式生成：利用电路仿
真软
作为本发明的一种优选方案，所述电路仿真软件为Saber仿真软件。
与现有的建模方法相比，本发明提供的DPLD管建模分析方法，不需要提取DPLD
管众多 的工艺参数，仅仅利用实测的电压电流数值，通过曲线拟合就
源模型，从而实现列驱动芯片能量恢复效
离子电视实测结果对
件编写压控电流源代码，生成可用于仿真的压控电流源模型。
电源电压。
所示：
可以得到更为精确的压控电流
率的精确预测。本方法实现简单，其仿真结果和等
比验证，建模分析结果误差小于4%，验证精度很高，是一种便捷、可靠
附图说明
的建模分析方法。
图1为列驱动芯片的能量恢复技术示意图；
图2是列驱动芯片的充放电过程中电压电流曲线；
图3是列驱动芯片能量恢复波形用的仿真电路；
其中，压控电流源1和压控电流源2分别代表充电和放电过程中DPLD管的压控电
流源模
图4是仿真列驱动芯片的充电过程中的输出电压波形；
图5是仿真列驱动芯片的放电过程中的输出电压波形；
图6是等离子电视实测列驱动芯片充电和放电过程电压波形。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明提供的技术方案进行详细说明，应理解下述具体实
施方
列驱动芯片的能量恢复技术中，不管是充电过程还是放电过程，DPLD管都是起桥
梁作用。 如图1所示，当储能电容CEC上的电压比屏电容
上，在DPLD
式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
型；
CL上电压大时，电荷从储能电容转移到屏电容
管内部就产生由CEC流向CL的电流。当储能电容
CL上的电压比屏电容CEC上电压大 时，电荷从屏
电容转移到储能电容上，在DPLD管内部就产生由CL流向
CEC的电流。在充电和 放电过程中，流过DPLD管的电
类似于流大小跟储能电容和屏电容之间的电压差相关，这个工作机理
一个压控电流源。DPLD管的分析模型完全可以用压控电流源来代替，压控电流源
模型
本发明提供的DPLD管建模分析方法包括如下步骤：
测试得到DPLD管在充电和放电过程中的电压电流数值，并绘成如图2所示的电
压电流关 系曲线。利用曲线拟合的方法，可以得到列驱动芯片在充电和
式关系表达式，如下所示：
的建立需要DPLD管的电压电流数值。
放电过程中电压和电流的多项
充电过程中：ID=0.001375V3DS-
0.129625V2DS+3.984625VDS-0.698375 （1）
放电过程中：ID=-
0.03975V2DS+4.3375VDS-1.89875 （2）
其中ID代表DPLD管的沟道电流，VDS代表储能电容
CEC和屏电容CL上电压差值。
通过式（1）和（2）可以建立充电和放电过程中的压控电流源模型，本例中我们利
用电 路仿真软件Saber，编写压控电流源代码，生成可用于仿真的压控电
入充电仿真电路和放电仿真电路中去，代入压控
代入压控电流源模型的充电
流源模型，然后分别代
电流源模型的充电仿真电路如图3（a）所示，
仿真电路如图3（b）所示，其中U1(0)和U2(0)分别代表
储能电容 和屏电容的初始电压；通过瞬态仿真，就可以得到列驱动芯片
的充电和放电电压波形。
本发明提出的DPLD管压控电流源模型，其仿真精度可以通过实测列驱动芯片在
等离子电 视中的能量恢复波形来验证，等离子电视实测列驱动芯片充电
示，其中点E为上升沿充电电压，点F
压控电流源模
和放电过程电压波形如图6所
为下降沿放电电压。我们利用DPLD管的BSIM3模型和
型，分别仿真得到能量恢复过程中充电和放电的不同电压波形，具体如图4和
图5所示。其中，图4为列驱动芯片在充电过程中输出电压的变化趋势，
的电源电压，Vout1(t)代表充电过程中列驱
为70ns时的压控电
Vpp是列芯片工作
动芯片输出电压波形，A点和B点分别对应充电时间
流源1模型和BSIM3模型的仿真电压值；图5为列驱动芯片在放电过程中
输出电压的变化趋势，Vout2(t)代表放电过
放电时间为70ns时
程中列驱动芯片输出电压波形，C点和D点分别对应
的压控电流源2模型和BSIM3模型的仿真电压值。
DPLD管的BSIM3模型和压控电流源模型的仿真结果以及等离子电视实测结果对
比如表1
表1
从表1的对比结果可以看出，当充电时间和放电时间都是70ns时，实际测试该列
驱动芯 片在等离子电视中的充电和放电波形，得到列驱动芯片在上升
22.75V，下降沿放电电压
所示：
沿充电电压Vout1(70ns)为
Vout2(70ns)为28.90V。利用BSIM3模型得到的充电电压
Vout1(70ns) 和放电电压Vout2(70ns)分别是
17.673V和36.155V，利用压控电流源模型得到的充电电压
Vout1(70ns)和放电电压Vout2(70ns)分别是23.672V
流源模型仿真结果差别较大，
过程）
和29.662V。BSIM3模型的仿真结果跟压控电
本发明建立的DPLD管压控电流源模型的误差只有3.89%（充电
和2.56%（放电过程）；而BSIM3模型的误差达到了22.32%（充电过程）和25.1%
（放 电过程）。因此本发明的压控电流源模型有很高的仿真精度，可用于
的能量恢复效率。 精确预测一款列驱动芯片
利用上述列驱动芯片在充电和放电过程中的电压波形，仿真得到该列驱动芯片的能
量恢
能量恢复效率η=Vout1(70ns)/Vpp*100%=23.672/56*100%=42.27% （3）
式（3）中70ns是充电和放电时间，Vpp是列驱动芯片的工作电源电压，
Vout1是充电过程
本发明的压控电流源模型有很高的仿真精度，在用于列驱动芯片的能量恢复波形仿
真时，
本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由
以上 技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出，对于本技术领域的
不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改
保护范围。
预测结果也非常精确。
中电压幅值。
复效率如下所示：
普通技术人员来说，在
进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的