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高通8909平台NQ210调试
2024年5月12日发(作者：虞冠宇)
高通8909平台NQ210调试说明
高通平台电信VOLTE仅在Android 7.1上实现，而原来的NFC解决方案（PN547）
只支持到Android6.0，所以有了高通8909+NQ210+Android7.1这个组合，以实现电信
VOLTE+NFC。
F9 R4.1+NQ210 NFC性能调试过程中，几点说明：
1，配置文件需要将NXP的RF_BLK参数合入到高通默认参数
2，注重Rx端匹配调节，对读卡性能有较大提升。调试方法详见附件
3，最终的NFC电路可以不用DCDC，也不用MOS管实现读卡、点对点和开关机卡
模拟。性能如下，满足我们要求
配置文件
高通参考设计里给了两个配置文件
/system/etc/
/system/etc/libnfc-qrd_
其中libnfc-qrd_没有NXP_RF_CONF_BLK的六组配置参数，
NXP_CORE_CONF_EXTN的配置参数也不全
从WPI给的配置文件libnfc-nxp_RF - 中，将NXP_RF_CONF_BLK
六组参数和NXP_CORE_CONF_EXTN配置参数全部拷到libnfc-qrd_中，并
将此文件替换手机中的默认文件。若出现卡模拟性能不佳，也可以在补全的配置文件中通
过修改相位来进行优化。
配置文件中需要重点注意的是，NXP_EXT_TVDD_CFG的配置一定要和硬件对应。其
中Config1是不采用DCDC的，Config2和3都是采用DCDC供电的。对于我们的项目，
在没有DCDC下性能也能满足要求，所以NXP_EXT_TVDD_CFG=0x01
NFC匹配电路
F9 R4.1+NQ210最终的匹配电路如下：
其中：L4802+C4818/L4803+C4820是EMI Filter，采用默认值即可。
C4814+R4806/C4816+R4808是Rx通路匹配，对读卡性能同样有较大影响。靠近
读卡器无法正确读卡，而远离读卡器就能正确读卡的问题，也可以通过Rx通路来优化。
中间的串电容，并电容就是NFC天线的发射匹配，NQ210的发射阻抗在30ohm，
和PN547的50ohm有所不同。在实验室也可以以读卡/身份证距离为测试标准，盲调匹
配电路。
这里重点针对Rx通路的优化进行说明。通常保持电容1nF不变，通过调节电阻来优
化Rx通路。判断标准是要保证AGC值在500-800之间，可通过如下步骤优化电阻：
1， 修改配置文件A0, 40, 01, 01-> A0, 40, 01, 81，让log中能看到AGC值
2， 将修改后的配置文件导入手机，重启手机后并重现打开NFC
3， 通过adb logcat输出log，在log中找到“6F13”地址的后四位数字，如5C02
即代表0X025C，转换成10进制就是604
4， 若AGC太小则减小电阻值，若AGC太大就增大电阻值。同时兼顾实测情况下
的NFC性能最终来确认电阻值。
我们最终选用的3.3K电阻，对应的AGC值为604，满足要求。
控制逻辑
我们之前的PN547需要外接MOS管来实现关机卡模拟，是因为L5_1P8不上电时，
还需要Ven拉高才能使NFC进入Low Power Mode，从而实现关机卡模拟。
而NQ210则在L5_1P8不上电时，Ven变内部拉高，所以不需要外接MOS管变能实
现关机卡模拟。
实测数据也和理论吻合，可以不用外接MOS管。
2024年5月12日发(作者：虞冠宇)
高通8909平台NQ210调试说明
高通平台电信VOLTE仅在Android 7.1上实现，而原来的NFC解决方案（PN547）
只支持到Android6.0，所以有了高通8909+NQ210+Android7.1这个组合，以实现电信
VOLTE+NFC。
F9 R4.1+NQ210 NFC性能调试过程中，几点说明：
1，配置文件需要将NXP的RF_BLK参数合入到高通默认参数
2，注重Rx端匹配调节，对读卡性能有较大提升。调试方法详见附件
3，最终的NFC电路可以不用DCDC，也不用MOS管实现读卡、点对点和开关机卡
模拟。性能如下，满足我们要求
配置文件
高通参考设计里给了两个配置文件
/system/etc/
/system/etc/libnfc-qrd_
其中libnfc-qrd_没有NXP_RF_CONF_BLK的六组配置参数，
NXP_CORE_CONF_EXTN的配置参数也不全
从WPI给的配置文件libnfc-nxp_RF - 中，将NXP_RF_CONF_BLK
六组参数和NXP_CORE_CONF_EXTN配置参数全部拷到libnfc-qrd_中，并
将此文件替换手机中的默认文件。若出现卡模拟性能不佳，也可以在补全的配置文件中通
过修改相位来进行优化。
配置文件中需要重点注意的是，NXP_EXT_TVDD_CFG的配置一定要和硬件对应。其
中Config1是不采用DCDC的，Config2和3都是采用DCDC供电的。对于我们的项目，
在没有DCDC下性能也能满足要求，所以NXP_EXT_TVDD_CFG=0x01
NFC匹配电路
F9 R4.1+NQ210最终的匹配电路如下：
其中：L4802+C4818/L4803+C4820是EMI Filter，采用默认值即可。
C4814+R4806/C4816+R4808是Rx通路匹配，对读卡性能同样有较大影响。靠近
读卡器无法正确读卡，而远离读卡器就能正确读卡的问题，也可以通过Rx通路来优化。
中间的串电容，并电容就是NFC天线的发射匹配，NQ210的发射阻抗在30ohm，
和PN547的50ohm有所不同。在实验室也可以以读卡/身份证距离为测试标准，盲调匹
配电路。
这里重点针对Rx通路的优化进行说明。通常保持电容1nF不变，通过调节电阻来优
化Rx通路。判断标准是要保证AGC值在500-800之间，可通过如下步骤优化电阻：
1， 修改配置文件A0, 40, 01, 01-> A0, 40, 01, 81，让log中能看到AGC值
2， 将修改后的配置文件导入手机，重启手机后并重现打开NFC
3， 通过adb logcat输出log，在log中找到“6F13”地址的后四位数字，如5C02
即代表0X025C，转换成10进制就是604
4， 若AGC太小则减小电阻值，若AGC太大就增大电阻值。同时兼顾实测情况下
的NFC性能最终来确认电阻值。
我们最终选用的3.3K电阻，对应的AGC值为604，满足要求。
控制逻辑
我们之前的PN547需要外接MOS管来实现关机卡模拟，是因为L5_1P8不上电时，
还需要Ven拉高才能使NFC进入Low Power Mode，从而实现关机卡模拟。
而NQ210则在L5_1P8不上电时，Ven变内部拉高，所以不需要外接MOS管变能实
现关机卡模拟。
实测数据也和理论吻合，可以不用外接MOS管。