2024年5月13日发(作者：况和宜)
（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）
1. 设备用途
1.1.
可实现氧化硅、氮化硅、非晶硅（n+ a-Si: H和in tri
nsic a-Si:H）等介质薄
膜的化学气相沉积。
1.2.
投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。
2. 设备规格
2.1. 反应腔体：
2.1.1.
2.1.2.
腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。
真空窗口，可观察腔体内部状况。
2.2.
上电极：
2.2.1.
2.2.2.
铝制电极。
配备气体喷淋环。
2.3. 下电极：
2.3.1.
2.3.2.
铝制电极。
直径不小于 200mm。
233.可承载6英寸晶圆或4x4 cm玻璃片。
2.34 采用电阻式加热温控装置，晶圆最高温可达
350C。
2.4.
射频电源：
2.4.1.
等）
采用进口射频电源，功率不低于 300W,频率为
13.56MHz,可自动 进行匹配。（国际知名品牌例如：AE、ADTEC
2.5.
反应气体模块：
2.5.1.
2.5.2.
*工艺气体：至少配置 6路。
采用进口质量流量控制器（MFC），精准度＜1%。
（国际知名品牌 例如：MKS、Brooks 等）
2.5.3.
2.5.4.
采用美国Swagelok气动截止阀。
采用1/4" SUS316电抛光EP管及VCR接头。
2.6. 真空测量控制系统：
2.6.1.
采用进口真空计，可进行等离子体工艺压力读取与
控制。 （国际知名 品牌例如：Edwards Inficon、MKS等）
2.7. 反应腔体抽真空系统：
2.7.1.
*采用进口干泵。（国际知名品牌例如：Alcatel、
HanBel、Edwards等）
2.72 6min内，反应腔体可从大气抽真空至 5E-2 Tor。
2.7.3.
配备自动压力控制装置 （APC）。
2.8. 自动控制系统：
2.8.1.
全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可
一键控制真空泵 抽气及排气以及所有挡板及阀门。
3. 工艺要求
2沉积工艺：
3.1.1.
3.1.2.
* 沉积速率：》40 nm/min
*片内厚度均匀性：w
± 3% （6英寸）
3.1.3.
± 3%
*片间厚度重复性：w
3.1.4.
3.1.5.
3.1.6.
折射率： 1.45±0.05
薄膜应力：w 300 MPa
BHF刻蚀速率：w 300 nm/min （+25oC, 10:1）
3N4沉积工艺：
3.2.1.
3.2.2.
* 沉积速率：》30 nm/min
*片内厚度均匀性：w
± 5% （6英寸）
3.2.3.
3.2.4.
3.2.5.
3.2.6.
*片间厚度重复性： w ± 3%
折射率： 1.95±0.05
薄膜应力：w 300 MPa
BHF刻蚀速率：w 100 nm/min （+25oC, 10:1）
3.3.
intrinsic a-Si:HK积工艺：
3.3.1.
± 5% （6英寸）
*片内厚度均匀性：w
4. 用户培训
4.1.
交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训
练课程包含介绍
系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训
练。
42提供中文和英文标准作业流程（SOP纸本各两份与电子
文件
4.3.
提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。
5. 交货日期
合同签订后 4 个月可以完成交货 。
2024年5月13日发(作者：况和宜)
（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）
1. 设备用途
1.1.
可实现氧化硅、氮化硅、非晶硅（n+ a-Si: H和in tri
nsic a-Si:H）等介质薄
膜的化学气相沉积。
1.2.
投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。
2. 设备规格
2.1. 反应腔体：
2.1.1.
2.1.2.
腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。
真空窗口，可观察腔体内部状况。
2.2.
上电极：
2.2.1.
2.2.2.
铝制电极。
配备气体喷淋环。
2.3. 下电极：
2.3.1.
2.3.2.
铝制电极。
直径不小于 200mm。
233.可承载6英寸晶圆或4x4 cm玻璃片。
2.34 采用电阻式加热温控装置，晶圆最高温可达
350C。
2.4.
射频电源：
2.4.1.
等）
采用进口射频电源，功率不低于 300W,频率为
13.56MHz,可自动 进行匹配。（国际知名品牌例如：AE、ADTEC
2.5.
反应气体模块：
2.5.1.
2.5.2.
*工艺气体：至少配置 6路。
采用进口质量流量控制器（MFC），精准度＜1%。
（国际知名品牌 例如：MKS、Brooks 等）
2.5.3.
2.5.4.
采用美国Swagelok气动截止阀。
采用1/4" SUS316电抛光EP管及VCR接头。
2.6. 真空测量控制系统：
2.6.1.
采用进口真空计，可进行等离子体工艺压力读取与
控制。 （国际知名 品牌例如：Edwards Inficon、MKS等）
2.7. 反应腔体抽真空系统：
2.7.1.
*采用进口干泵。（国际知名品牌例如：Alcatel、
HanBel、Edwards等）
2.72 6min内，反应腔体可从大气抽真空至 5E-2 Tor。
2.7.3.
配备自动压力控制装置 （APC）。
2.8. 自动控制系统：
2.8.1.
全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可
一键控制真空泵 抽气及排气以及所有挡板及阀门。
3. 工艺要求
2沉积工艺：
3.1.1.
3.1.2.
* 沉积速率：》40 nm/min
*片内厚度均匀性：w
± 3% （6英寸）
3.1.3.
± 3%
*片间厚度重复性：w
3.1.4.
3.1.5.
3.1.6.
折射率： 1.45±0.05
薄膜应力：w 300 MPa
BHF刻蚀速率：w 300 nm/min （+25oC, 10:1）
3N4沉积工艺：
3.2.1.
3.2.2.
* 沉积速率：》30 nm/min
*片内厚度均匀性：w
± 5% （6英寸）
3.2.3.
3.2.4.
3.2.5.
3.2.6.
*片间厚度重复性： w ± 3%
折射率： 1.95±0.05
薄膜应力：w 300 MPa
BHF刻蚀速率：w 100 nm/min （+25oC, 10:1）
3.3.
intrinsic a-Si:HK积工艺：
3.3.1.
± 5% （6英寸）
*片内厚度均匀性：w
4. 用户培训
4.1.
交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训
练课程包含介绍
系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训
练。
42提供中文和英文标准作业流程（SOP纸本各两份与电子
文件
4.3.
提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。
5. 交货日期
合同签订后 4 个月可以完成交货 。