2024年5月27日发(作者：昝灵萱)
DDR要求规范
1、认识DDR：
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，
就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存
储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对
于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的
降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存
则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双
倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既
独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数
据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输
出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高
SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR
为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR
内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频
率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频
率的两倍。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生
代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下
降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：
4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够
以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的
TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳
定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的
DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的
极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内
存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR3是针对Windows Vista的新一代内存技术（目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，
和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3
更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的
缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便
需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此
一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特
性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本
大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
2、 认识DIMM
常见的内存模组有三种：Unbuffered DIMM(UDIMM)，Registered DIMM(RDIMM)和SODIMM。
首先解释DIMM的含义，DIMM指Dual Inlined Memory Module，即双列直插式内存模组。
Unbuffered DIMM：
Unbuffered DIMM，指没有经过缓冲，定位在桌面市场，是市面上最常见的内存模组。
早期的SDR内存模组，有Buffered类型的，现在已经很少见了。Buffered内存模组和后面提到的
Registered内存模组并不是同一个东西，Buffered内存模组是将地址和控制信号等经过缓冲器，没有做
任何时序调整（缓冲器延迟是有的）；而Registered内存模组则对地址和控制信号等进行寄存，在下一
个时钟到来时再触发输出。
Registered DIMM：
Registered DIMM，其地址和控制信号经过寄存，时钟经过PLL锁相，定位在工作站和服务器市
场
Registered内存模组，相对于Unbuffered内存模组，优点是无论是模组级还是主板级，都更易于
实现更高的容量，稳定性也有所加强，但对于单个的读写访问，会滞后一个时钟周期。
SODIMM：
Small Outline DIMM，定位于笔记本市常
SODIMM是相对于DIMM而言的，前面提到的Unbufferd DIMM和Registered DIMM都隶属于DIMM，
内存模组的长度等，包括金手指的信号分布在内都是一样的。而SODIMM可以理解为小一号的内存
模组。
Registered DIMM的时序：Registered DIMM和其他内存条相比增加了两种关键的器件，PLL和register。
PLL：
Phase Locked Loop，锁相环，在模组中起到调节时序，增加时钟驱动力的作用。
一般而言，无论是SDR还是DDR或DDR2的PLL，其输入输出管脚及其工作原理都是相似的。
应用在内存模组上的PLL一般都有一个时钟输入，一个Feedback反馈输入，数个时钟输出及一个
Feedback反馈输出。PLL的两个输入间为零延迟，也就是，FBin和CKin之间的相位差为零；而所有
输出包括FBout之间也是零相位差。
2024年5月27日发(作者：昝灵萱)
DDR要求规范
1、认识DDR：
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，
就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存
储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对
于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的
降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存
则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双
倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既
独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数
据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输
出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高
SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR
为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR
内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频
率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频
率的两倍。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生
代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下
降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：
4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够
以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的
TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳
定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的
DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的
极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内
存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR3是针对Windows Vista的新一代内存技术（目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，
和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3
更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的
缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便
需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此
一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特
性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本
大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
2、 认识DIMM
常见的内存模组有三种：Unbuffered DIMM(UDIMM)，Registered DIMM(RDIMM)和SODIMM。
首先解释DIMM的含义，DIMM指Dual Inlined Memory Module，即双列直插式内存模组。
Unbuffered DIMM：
Unbuffered DIMM，指没有经过缓冲，定位在桌面市场，是市面上最常见的内存模组。
早期的SDR内存模组，有Buffered类型的，现在已经很少见了。Buffered内存模组和后面提到的
Registered内存模组并不是同一个东西，Buffered内存模组是将地址和控制信号等经过缓冲器，没有做
任何时序调整（缓冲器延迟是有的）；而Registered内存模组则对地址和控制信号等进行寄存，在下一
个时钟到来时再触发输出。
Registered DIMM：
Registered DIMM，其地址和控制信号经过寄存，时钟经过PLL锁相，定位在工作站和服务器市
场
Registered内存模组，相对于Unbuffered内存模组，优点是无论是模组级还是主板级，都更易于
实现更高的容量，稳定性也有所加强，但对于单个的读写访问，会滞后一个时钟周期。
SODIMM：
Small Outline DIMM，定位于笔记本市常
SODIMM是相对于DIMM而言的，前面提到的Unbufferd DIMM和Registered DIMM都隶属于DIMM，
内存模组的长度等，包括金手指的信号分布在内都是一样的。而SODIMM可以理解为小一号的内存
模组。
Registered DIMM的时序：Registered DIMM和其他内存条相比增加了两种关键的器件，PLL和register。
PLL：
Phase Locked Loop，锁相环，在模组中起到调节时序，增加时钟驱动力的作用。
一般而言，无论是SDR还是DDR或DDR2的PLL，其输入输出管脚及其工作原理都是相似的。
应用在内存模组上的PLL一般都有一个时钟输入，一个Feedback反馈输入，数个时钟输出及一个
Feedback反馈输出。PLL的两个输入间为零延迟，也就是，FBin和CKin之间的相位差为零；而所有
输出包括FBout之间也是零相位差。