2024年6月1日发(作者：奕奇志)
本技术公开了用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方法，包
括：步骤
S1
，将待测的
SSD
与笔记本电脑连接；步骤
S2
，采用
AC
供电使所述笔记本电脑的
电池电量充满；步骤
S3
，利用数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入的
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写入量；步骤
S4
，断开所述笔记本电脑的
AC
供电电源；步骤
S5
，对所述笔
记本电脑采用
DC
供电，让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽；步骤
S6
，所述笔记
本电脑重新连上
AC
供电电源开机；步骤
S7
，再次利用所述数据读取工具读取所述
SSD
此时
已进入
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写入量；步骤
S8
，将步骤
S3
、
S7
获得的
NAND
FLASH
写入量之差除以两次进入
PS4
状态次数之差，得到所述
SSD
单次进入
PS4
状态时所引
入的
NAND FLASH
写入量。
权利要求书
1.
用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方法，其特征在于，包
括以下步骤：
步骤
S1
，将待测的
SSD
与笔记本电脑连接；
步骤
S2
，采用
AC
供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤
S3
，利用数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入的
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写
入量；
步骤
S4
，断开所述笔记本电脑的
AC
供电电源；
步骤
S5
，对所述笔记本电脑采用
DC
供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔
记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤
S6
，所述笔记本电脑重新连上
AC
供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤
S7
，再次利用所述数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入
PS4
状态的次数和
NANDFLASH
的写入量；
步骤
S8
，将步骤
S3
、
S7
获得的
NAND FLASH
写入量之差除以两次进入
PS4
状态次数之差，得
到所述
SSD
单次进入
PS4
状态时所引入的
NAND FLASH
写入量。
2.
根据权利要求
1
所述的用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方
2024年6月1日发(作者：奕奇志)
本技术公开了用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方法，包
括：步骤
S1
，将待测的
SSD
与笔记本电脑连接；步骤
S2
，采用
AC
供电使所述笔记本电脑的
电池电量充满；步骤
S3
，利用数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入的
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写入量；步骤
S4
，断开所述笔记本电脑的
AC
供电电源；步骤
S5
，对所述笔
记本电脑采用
DC
供电，让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽；步骤
S6
，所述笔记
本电脑重新连上
AC
供电电源开机；步骤
S7
，再次利用所述数据读取工具读取所述
SSD
此时
已进入
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写入量；步骤
S8
，将步骤
S3
、
S7
获得的
NAND
FLASH
写入量之差除以两次进入
PS4
状态次数之差，得到所述
SSD
单次进入
PS4
状态时所引
入的
NAND FLASH
写入量。
权利要求书
1.
用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方法，其特征在于，包
括以下步骤：
步骤
S1
，将待测的
SSD
与笔记本电脑连接；
步骤
S2
，采用
AC
供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤
S3
，利用数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入的
PS4
状态的次数和
NAND FLASH
的写
入量；
步骤
S4
，断开所述笔记本电脑的
AC
供电电源；
步骤
S5
，对所述笔记本电脑采用
DC
供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔
记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤
S6
，所述笔记本电脑重新连上
AC
供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤
S7
，再次利用所述数据读取工具读取所述
SSD
此时已进入
PS4
状态的次数和
NANDFLASH
的写入量；
步骤
S8
，将步骤
S3
、
S7
获得的
NAND FLASH
写入量之差除以两次进入
PS4
状态次数之差，得
到所述
SSD
单次进入
PS4
状态时所引入的
NAND FLASH
写入量。
2.
根据权利要求
1
所述的用于测量
SSD
单次进入
PS4
状态时所造成的
NAND FLASH
写入量的方