2024年6月2日发(作者：令荣)
三星单片机开发网 /
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常用三星单片机烧写电压设置参考表
芯片说明:
三星MCU命名方式与ROM大小及类型相关, 尾缀以2/4/8/5/7/9/A/B
结尾,分别表示具有2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.
S3C开头代表是MASK ROM类型, S3P开头代表是OTP ROM类型,
S3F开头代表是FLASH ROM类型.
以下列表为简化起见,均以S3C起头,其S3P,S3F类型片子与其有完全
相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.
编程器说明:
我站超级型编程器SSWPRO V2.0可烧写三星全系列4位/8位单片机,
并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简
便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加载一拖八的烧写板即可
作为一拖四/一拖八高速烧写应用.
/gongju/
我站商用型编程器SSW V2.0A可烧写三星全系列4位/8位单片机,并
包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,
可应用于学习开发设计及量产烧写.
/gongju/
我站经济型编程器SSW V2.0C可适用于烧写三星所有ROM<=32
KBYTES的4/8位单片机, 具在线/离线烧写功能,速度较快,操作简便,
可应用于学习开发设计及量产烧写.
/gongju/
我站简易型编程器SSW V2.0B推荐应用于烧写三星8位FLASH ROM
类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持VDD=5V电压芯片烧写,不支
持3.3V类型芯片,适用于FLASH芯片学习开发应用.
/gongju/
三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页
三星单片机烧写电压设置参考表
三星单片机开发网 /
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烧写电压说明:
Vdd电压指烧写时加载到芯片Vdd端子的逻辑电压,Vpp电压指烧写
时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V是编程器的默认
烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp电压均为12V,
因此烧写Vpp=3.3V/5.0V的芯片时,需对烧写转换适配器作以下改动:
2009年上半年以前的老型号系列烧写器处理方法:
(烧写器软件界面上没有VPP电压选择项,只输出VPP=12V)
将烧写器烧写座引出的Vpp端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd
端子直接连接Vpp端即可.
注意烧写器的VPP端子必须完全空置不用,不要再行连接到芯片端,
否则会损坏烧写器VPP电路.
2009年下半年及以后的新型号系列烧写器,则无须作特别处理,只在
烧写器软件界面上直接选择VPP=VCC即可, 烧写器即会按照用户所
设定的VPP电压进行烧写.
特别说明:
当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好在PCB芯片端的Vpp
脚并接一个104/1UF的电容入地, 并且电容尽可能的靠近芯片
VPP-GND两脚, 可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产
生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp脚而造成Vpp击穿.
根据三星单片机芯片相关DATA SHEET说明来看,一般情况下,如果芯片有内
置EMBEDDED FLASH MEMORY INTERFACE且有USER PROGRAM
MODE功能的片子, 由于其片内已予置了VPP升压电路,则都会要求采有
VPP=VCC方式 来烧写芯片,否则容易烧坏片子.
若芯片的DATA SHEET中没有上述两项特殊功能说明, 则一般都采用
VPP=12V方式来烧写芯片(某些新型号芯片要求用VPP=11V,有关这类MCU
后文有特别说明)
由于三星的芯片内部结构经常更新, 一些老的DATA SHEET并没有对新功能
进行说明, 建议用户在三星半导体官方网站下载最新的芯片DATA SHEET来
参考应用.
三星单片机烧写电压设置参考表 第 1 页
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芯片说明:
三星MCU命名方式与ROM大小及类型相关, 尾缀以2/4/8/5/7/9/A/B
结尾,分别表示具有2K/4K/8K/16K/24K//32K/48K/64K BYTES ROM.
S3C开头代表是MASK ROM类型, S3P开头代表是OTP ROM类型,
S3F开头代表是FLASH ROM类型.
以下列表为简化起见,均以S3C起头,其S3P,S3F类型片子与其有完全
相同的烧写电压设置和完全兼容的电气性能.
编程器说明:
我站超级型编程器SSWPRO V2.0可烧写三星全系列4位/8位单片机,
并包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简
便,可应用于学习开发设计及量产烧写,脱机加载一拖八的烧写板即可
作为一拖四/一拖八高速烧写应用.
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我站商用型编程器SSW V2.0A可烧写三星全系列4位/8位单片机,并
包括S3CK215/225系列片子,具在线/离线烧写功能,速度快,操作简便,
可应用于学习开发设计及量产烧写.
/gongju/
我站经济型编程器SSW V2.0C可适用于烧写三星所有ROM<=32
KBYTES的4/8位单片机, 具在线/离线烧写功能,速度较快,操作简便,
可应用于学习开发设计及量产烧写.
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我站简易型编程器SSW V2.0B推荐应用于烧写三星8位FLASH ROM
类型单片机, ROM<=16K BYTES, 支持VDD=5V电压芯片烧写,不支
持3.3V类型芯片,适用于FLASH芯片学习开发应用.
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烧写电压说明:
Vdd电压指烧写时加载到芯片Vdd端子的逻辑电压,Vpp电压指烧写
时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V是编程器的默认
烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp电压均为12V,
因此烧写Vpp=3.3V/5.0V的芯片时,需对烧写转换适配器作以下改动:
2009年上半年以前的老型号系列烧写器处理方法:
(烧写器软件界面上没有VPP电压选择项,只输出VPP=12V)
将烧写器烧写座引出的Vpp端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd
端子直接连接Vpp端即可.
注意烧写器的VPP端子必须完全空置不用,不要再行连接到芯片端,
否则会损坏烧写器VPP电路.
2009年下半年及以后的新型号系列烧写器,则无须作特别处理,只在
烧写器软件界面上直接选择VPP=VCC即可, 烧写器即会按照用户所
设定的VPP电压进行烧写.
特别说明:
当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好在PCB芯片端的Vpp
脚并接一个104/1UF的电容入地, 并且电容尽可能的靠近芯片
VPP-GND两脚, 可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产
生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp脚而造成Vpp击穿.
根据三星单片机芯片相关DATA SHEET说明来看,一般情况下,如果芯片有内
置EMBEDDED FLASH MEMORY INTERFACE且有USER PROGRAM
MODE功能的片子, 由于其片内已予置了VPP升压电路,则都会要求采有
VPP=VCC方式 来烧写芯片,否则容易烧坏片子.
若芯片的DATA SHEET中没有上述两项特殊功能说明, 则一般都采用
VPP=12V方式来烧写芯片(某些新型号芯片要求用VPP=11V,有关这类MCU
后文有特别说明)
由于三星的芯片内部结构经常更新, 一些老的DATA SHEET并没有对新功能
进行说明, 建议用户在三星半导体官方网站下载最新的芯片DATA SHEET来
参考应用.
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