2024年6月4日发(作者：伍和雅)
RAM的分类
内存（RAM，随机存储器）可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储
器DRAM两种，我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对
要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。根据RAM的功能和特性等
可以将其归类如下表所示：
SRAMStaticRAM——静态存储器
DRAMDynamicRAM——动态存储器
SDRAMSynchronousDRAM——同步动态存储器
3DRAM3DimensionRAM——3维视频处理器专用存储器
CDRAMCachedDRAM——高速缓存存储器
CVRAMCachedVRAM——高速缓存视频存储器
EDORAMExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器
EDOSRAMExtendedDateOutSRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDOVRAMExtendedDateOutVRAM——外扩充数据模式视频存储器
EDRAMEnhancedDRAM——增强型动态存储器
FRAMFerroelectricRAM——铁电体存储器
MDRAMMultiBankDRAM——多槽动态存储器
SGRAMSignalRAM——单口存储器
DPRAMDualPortRAM——双端口RAM
SVRAMSynchronousVRAM——同步视频存储器
VRAMVideoRAM——视频存储器
WRAMWindowsRAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)下面对几种
常见的RAM略作描述。
1 / 4
SRAM：
静态RAM
SRAM（StaticRandomAccessMemory，静态随机存储器），它是一种具有静
止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
优点：
速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：
集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关
键性
系统以提高效率。
DRAM：
动态RAM
DRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器）是最为常见的系
统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存
储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存
储的信息就会丢失。
SDRAM：
同步动态RAM
SDRAM：
（SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存取存储
器），为DRAM的一种，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发
送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数
据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
2 / 4
存储单元结构不同导致了RAM容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要
一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大
约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但
是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触
发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常
快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路
的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM
比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM
基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，仅有少量的网络服务
器以及路由器上能够使用SRAM。
DPRAM：
双端口RAM
DPRAM（DualPortRandomAccessMemory，双端口随机存储器）是常见的共
享式多端口存储器，双口RAM最大的特点是存储数据共享。一个DPRAM存储
器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异
步地访问存储单元。因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。内部仲裁逻辑
控制提供以下功能：
对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令
交换逻辑（例如中断信号）等。
FRAM：
铁电体RAM
FRAM（FerroelectricRandomAccessMemory，铁电体存储器），其将ROM的
非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合
在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，
工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
3 / 4
FRAM提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM一样的非易失性。
FRAM克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一
个非易失性随机存取储存器。
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2024年6月4日发(作者：伍和雅)
RAM的分类
内存（RAM，随机存储器）可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储
器DRAM两种，我们经常说的电脑内存条指的是DRAM，而SRAM接触的相对
要少（像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的）。根据RAM的功能和特性等
可以将其归类如下表所示：
SRAMStaticRAM——静态存储器
DRAMDynamicRAM——动态存储器
SDRAMSynchronousDRAM——同步动态存储器
3DRAM3DimensionRAM——3维视频处理器专用存储器
CDRAMCachedDRAM——高速缓存存储器
CVRAMCachedVRAM——高速缓存视频存储器
EDORAMExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器
EDOSRAMExtendedDateOutSRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDOVRAMExtendedDateOutVRAM——外扩充数据模式视频存储器
EDRAMEnhancedDRAM——增强型动态存储器
FRAMFerroelectricRAM——铁电体存储器
MDRAMMultiBankDRAM——多槽动态存储器
SGRAMSignalRAM——单口存储器
DPRAMDualPortRAM——双端口RAM
SVRAMSynchronousVRAM——同步视频存储器
VRAMVideoRAM——视频存储器
WRAMWindowsRAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)下面对几种
常见的RAM略作描述。
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SRAM：
静态RAM
SRAM（StaticRandomAccessMemory，静态随机存储器），它是一种具有静
止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
优点：
速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点：
集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关
键性
系统以提高效率。
DRAM：
动态RAM
DRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器）是最为常见的系
统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存
储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存
储的信息就会丢失。
SDRAM：
同步动态RAM
SDRAM：
（SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存取存储
器），为DRAM的一种，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部命令的发
送与数据的传输都以时钟为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数
据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
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存储单元结构不同导致了RAM容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要
一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大
约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但
是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触
发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常
快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路
的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM
比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM
基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存，仅有少量的网络服务
器以及路由器上能够使用SRAM。
DPRAM：
双端口RAM
DPRAM（DualPortRandomAccessMemory，双端口随机存储器）是常见的共
享式多端口存储器，双口RAM最大的特点是存储数据共享。一个DPRAM存储
器配备两套独立的地址、数据和控制线，允许两个独立的CPU或控制器同时异
步地访问存储单元。因为数据共享，就必须存在访问仲裁控制。内部仲裁逻辑
控制提供以下功能：
对同一地址单元访问的时序控制；存储单元数据块的访问权限分配；信令
交换逻辑（例如中断信号）等。
FRAM：
铁电体RAM
FRAM（FerroelectricRandomAccessMemory，铁电体存储器），其将ROM的
非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合
在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，
工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
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FRAM提供一种与RAM一致的性能，但又有与ROM一样的非易失性。
FRAM克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一
个非易失性随机存取储存器。
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