2024年6月5日发(作者：留玉瑾)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.X
(22)申请日 2022.01.26
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
(72)发明人 徐嘉良
(74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 刘昌荣
(51)
H01L27/146
权利要求说明书 说明书 幅图
(10)申请公布号 CN 114429962 A
(43)申请公布日 2022.05.03
(54)发明名称
背照式图像传感器的制造方法
(57)摘要
本发明提供一种背照式图像传感器
的制造方法，提供第一衬底与第二衬底，
在第一衬底的正面形成背照式图像传感器
结构，背照式图像传感器结构包括感光二
级管、与感光二级管电性连接的多层金属
互连线和覆盖有金属互连线和感光二级管
的层间介质层，之后将第二衬底的正面与
层间介质层键合；在第一衬底的背面键合
偏光玻璃晶圆；在第二衬底的背面形成用
于与金属互连线电性连接的焊垫。本发明
将偏光玻璃晶圆与感光面键合，提升呈像
效果形成微透镜保护；可实现高密度IO管
脚在传感器背面引出；可减少整体封装厚
度；可减少制造周期。
法律状态
法律状态公告日
2022-05-20
法律状态信息
实质审查的生效IPC(主分
类):H01L27/146专利申请
号:2X申请
日:20220126
法律状态
实质审查的生效
权 利 要 求 说 明 书
【背照式图像传感器的制造方法】的权利说明书内容是......请下载后查看
说 明 书
【背照式图像传感器的制造方法】的说明书内容是......请下载后查看
2024年6月5日发(作者：留玉瑾)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN2.X
(22)申请日 2022.01.26
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
(72)发明人 徐嘉良
(74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 刘昌荣
(51)
H01L27/146
权利要求说明书 说明书 幅图
(10)申请公布号 CN 114429962 A
(43)申请公布日 2022.05.03
(54)发明名称
背照式图像传感器的制造方法
(57)摘要
本发明提供一种背照式图像传感器
的制造方法，提供第一衬底与第二衬底，
在第一衬底的正面形成背照式图像传感器
结构，背照式图像传感器结构包括感光二
级管、与感光二级管电性连接的多层金属
互连线和覆盖有金属互连线和感光二级管
的层间介质层，之后将第二衬底的正面与
层间介质层键合；在第一衬底的背面键合
偏光玻璃晶圆；在第二衬底的背面形成用
于与金属互连线电性连接的焊垫。本发明
将偏光玻璃晶圆与感光面键合，提升呈像
效果形成微透镜保护；可实现高密度IO管
脚在传感器背面引出；可减少整体封装厚
度；可减少制造周期。
法律状态
法律状态公告日
2022-05-20
法律状态信息
实质审查的生效IPC(主分
类):H01L27/146专利申请
号:2X申请
日:20220126
法律状态
实质审查的生效
权 利 要 求 说 明 书
【背照式图像传感器的制造方法】的权利说明书内容是......请下载后查看
说 明 书
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