2024年6月14日发(作者:公孙青枫)
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图像有电影胶片的画质感'非常适合作HDTV
的要求。低档背投彩电采用一片彩色LCPD,高档机型有
彩亮丽自然,
三片式和单片三分色镜等。
背投彩电。2000年其产值为5亿美元,到2004年预计可
LCPD的生产工艺从a-Si TFT(非晶硅薄膜晶体管)
达23亿美元,其中背投影彩电占50%以上。
有源矩阵液晶技术转向多晶硅p—si TF p-Si的载流子
迁移率比a-Si高出许多倍,周边驱动电路可以—并集成,
p si的TFT可以制作得很小,达到高分辨率及高开口率,
数字微镜器件
DMD(Digital Mirror Device)由美国德州仪器公司
有利于提高投影亮度。高分辨率投影用LCPD已有多种
投资20多亿美元研制成功,目前已批量上市,新近开发
6:9宽高比的DMD芯片,与日立、三菱、松下
类型,日本电气、东芝、夏普、日立、精工等公司是透
出具有1
射式LCPD主要供应商,投影光源多由荷兰飞利浦、奥
等签订合约,用于背投宽屏幕HDTV机中
DMD采用微电子机械技术,将反射微镜及CMOS控
斯郎、松下、凤凰光学等厂家供货,许多厂家积极开发
反射式LCPD技术及产品。
制电路集成制作在同一芯片上,其由三部分组成:最上层
日本夏普公司凭借多年对液晶显示技术的研究,推
是数十万甚至上百万片极其微小的铝平面镜,单个微镜
出COS(ContinuousGrainSilicon)液晶技术.采用65ram
的尺寸约为4x4gm,对直于—个像素:中间一层为纤细的
三片式LCPD,解析度高达1280 ̄1024,具有高亮度、高
支撑柱和扭转粱等微机电元件,每片微镜都装有活动扭
两边各安装—个电极 l劬噔当电压可使徽虢作I lo。
对比度的特点,推出60英寸16:9HDTV。日本JVC开
转粱,
发出D-ILA(Di ̄ut-dfiveImageLig ̄Ampliif盱)技术,将
扭转,将入射光反射到不同的方向上:底层是CMOS控
通过此电路的输出,可
LCPD之间,当白色光
制和存储图像信号的SROM电路,
线射中滤光器时,透镜的全息图像将它分解成不同光谱
成分,再将其聚焦在LCPD相应的像素上,具有光损耗
秒5000次,由反射光与透镜来产生图像,再投影到屏幕
上,图像非常明亮,色彩准确而精细。各微镜之间的间隙
低,效率高的特点,其成
成像,用此技术研制成功单片式D-ILA的16:9、50英
仅lpm,因而反光面积选90%,反光效率大于60%,现已
XGA1024x768、SXGA1280x1024
寸屏幕背投彩电。三星和美国显示器技术公司联合,研
开发出SVGAS00x600、
52、1280 ̄720阵列的高分辨率DMD。下
制出三片式1280x768解析度铁电性LCPD技术,技术上
以及2048x11
属于数字式光反射投影,铁电LCPD背投彩电原型机已
面市。
吸收从DMD上
各个傲镜中发出的无用静蘑偏 恍,扩大对比度。
采用DMD的数字光投影DI P技术是全数字处理,
LCOS(Liquid Crystal oll Silicon)是以美国硅谷的
Aur0ra公司为主,研制的新一代光电合一的硅上液晶投
影技术'产业化渐趋成熟,国际上至少有30家厂商在投
显示方法有空间分割制和时间分割制之区分,前者分别●。’ 、
用三片独立的基色DMD芯片来处理1L 0.B三种不同 ——寡
资开发,日本、韩国、中国台湾的相关公司相继投入
的基色,后者采用一片DMD芯片来处理三种基色,可降 ;
低成本。日本有三家公司推出60英寸DLP背投彩电, :,c
LCOS产业化开发,实现大批量生产呼之欲出。
LCOS是在对角线约1英寸左右的硅晶片上.借助大
规模集成电路和液晶技术,制成小型投影显示器件,硅片
DMD是德州仪器的独家专利技术,生产合格率低,芯片
售价高,其发展规模一直无法扩大'在今后的投影显示中
电
1广
 ̄d公司预潮,2006年背投彩电市场 。
不透既只能制作成反射式.其像素密度在700ppi(pixel
会大作为。据Smnf
按产值计)。
perinch)以上,可达1000ppi。当前LCOS批量生产中存
上DLP将占84%(
在成品率较低的问题,主要原因与制造技术和液晶取向
新—代投影显示器件可用于背投彩电外,也可用于
排列有关,在器件设计和芯片供应方面,美国AuroraTh.n ̄
计算机外设的投影机、商业展示及表述演示、投影监规、
Five System,日本JVC有忧势 LCOS光反射率高达90%
教育显示、会议电视、会议显示、显示墙、数字家庭影
以上,清晰度高,亮度 对比度大(350*500:1),画面色
院等投资类和消费类市场。 圆
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2024年6月14日发(作者:公孙青枫)
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图像有电影胶片的画质感'非常适合作HDTV
的要求。低档背投彩电采用一片彩色LCPD,高档机型有
彩亮丽自然,
三片式和单片三分色镜等。
背投彩电。2000年其产值为5亿美元,到2004年预计可
LCPD的生产工艺从a-Si TFT(非晶硅薄膜晶体管)
达23亿美元,其中背投影彩电占50%以上。
有源矩阵液晶技术转向多晶硅p—si TF p-Si的载流子
迁移率比a-Si高出许多倍,周边驱动电路可以—并集成,
p si的TFT可以制作得很小,达到高分辨率及高开口率,
数字微镜器件
DMD(Digital Mirror Device)由美国德州仪器公司
有利于提高投影亮度。高分辨率投影用LCPD已有多种
投资20多亿美元研制成功,目前已批量上市,新近开发
6:9宽高比的DMD芯片,与日立、三菱、松下
类型,日本电气、东芝、夏普、日立、精工等公司是透
出具有1
射式LCPD主要供应商,投影光源多由荷兰飞利浦、奥
等签订合约,用于背投宽屏幕HDTV机中
DMD采用微电子机械技术,将反射微镜及CMOS控
斯郎、松下、凤凰光学等厂家供货,许多厂家积极开发
反射式LCPD技术及产品。
制电路集成制作在同一芯片上,其由三部分组成:最上层
日本夏普公司凭借多年对液晶显示技术的研究,推
是数十万甚至上百万片极其微小的铝平面镜,单个微镜
出COS(ContinuousGrainSilicon)液晶技术.采用65ram
的尺寸约为4x4gm,对直于—个像素:中间一层为纤细的
三片式LCPD,解析度高达1280 ̄1024,具有高亮度、高
支撑柱和扭转粱等微机电元件,每片微镜都装有活动扭
两边各安装—个电极 l劬噔当电压可使徽虢作I lo。
对比度的特点,推出60英寸16:9HDTV。日本JVC开
转粱,
发出D-ILA(Di ̄ut-dfiveImageLig ̄Ampliif盱)技术,将
扭转,将入射光反射到不同的方向上:底层是CMOS控
通过此电路的输出,可
LCPD之间,当白色光
制和存储图像信号的SROM电路,
线射中滤光器时,透镜的全息图像将它分解成不同光谱
成分,再将其聚焦在LCPD相应的像素上,具有光损耗
秒5000次,由反射光与透镜来产生图像,再投影到屏幕
上,图像非常明亮,色彩准确而精细。各微镜之间的间隙
低,效率高的特点,其成
成像,用此技术研制成功单片式D-ILA的16:9、50英
仅lpm,因而反光面积选90%,反光效率大于60%,现已
XGA1024x768、SXGA1280x1024
寸屏幕背投彩电。三星和美国显示器技术公司联合,研
开发出SVGAS00x600、
52、1280 ̄720阵列的高分辨率DMD。下
制出三片式1280x768解析度铁电性LCPD技术,技术上
以及2048x11
属于数字式光反射投影,铁电LCPD背投彩电原型机已
面市。
吸收从DMD上
各个傲镜中发出的无用静蘑偏 恍,扩大对比度。
采用DMD的数字光投影DI P技术是全数字处理,
LCOS(Liquid Crystal oll Silicon)是以美国硅谷的
Aur0ra公司为主,研制的新一代光电合一的硅上液晶投
影技术'产业化渐趋成熟,国际上至少有30家厂商在投
显示方法有空间分割制和时间分割制之区分,前者分别●。’ 、
用三片独立的基色DMD芯片来处理1L 0.B三种不同 ——寡
资开发,日本、韩国、中国台湾的相关公司相继投入
的基色,后者采用一片DMD芯片来处理三种基色,可降 ;
低成本。日本有三家公司推出60英寸DLP背投彩电, :,c
LCOS产业化开发,实现大批量生产呼之欲出。
LCOS是在对角线约1英寸左右的硅晶片上.借助大
规模集成电路和液晶技术,制成小型投影显示器件,硅片
DMD是德州仪器的独家专利技术,生产合格率低,芯片
售价高,其发展规模一直无法扩大'在今后的投影显示中
电
1广
 ̄d公司预潮,2006年背投彩电市场 。
不透既只能制作成反射式.其像素密度在700ppi(pixel
会大作为。据Smnf
按产值计)。
perinch)以上,可达1000ppi。当前LCOS批量生产中存
上DLP将占84%(
在成品率较低的问题,主要原因与制造技术和液晶取向
新—代投影显示器件可用于背投彩电外,也可用于
排列有关,在器件设计和芯片供应方面,美国AuroraTh.n ̄
计算机外设的投影机、商业展示及表述演示、投影监规、
Five System,日本JVC有忧势 LCOS光反射率高达90%
教育显示、会议电视、会议显示、显示墙、数字家庭影
以上,清晰度高,亮度 对比度大(350*500:1),画面色
院等投资类和消费类市场。 圆
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