2024年8月12日发(作者：傅恩)

iphone6内存分别有多大

苹果公司(Apple Inc. )是美国的一家高科技公司。由史蒂夫·乔布

斯、斯蒂夫·沃兹尼亚克和罗·韦恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月

1日创立，下面是店铺带来的关于iphone6内存分别有多大的内容，

欢迎阅读!

iphone6内存分别有多大：

iPhone6的运存内存是1GB RAM，存储容量方面则提供

16GB/64GB/128GB ROM。

硬件方面，iPhone6 Plus采用苹果A8+M8运动协处理器，主频

为1.4GHz。iPhone6 Plus背后天线系统覆盖到机身中框，弧面的金

属中框不仅加强机身整体圆润感，平衡机身设计美学的同时，也减少

手机不慎跌落时对机身的缓冲力。

iPhone6 Plus采用了一颗800万像素的摄像头，每个像素大小

1.5微米，最大光圈f/2.2，并采用全新传感器，保留了双色温闪光灯

之外还内置了全新的对焦技术。iPhone6 Plus加入了光学防抖功能，

使防抖能力以及弱光拍摄表现得到很大提升。

系统方面，iPhone6 Plus搭载iOS 8系统。虽然的界面风格上与

iOS7区别不大，但iOS8系统更加开放与人性化。在锁屏状态下送短

消息时，支持在锁屏状态下直接回复短信。另外在多任务栏，也可直

接显示最近的联系人名片，并支持自定义编辑。可以直接给他们发邮

件、打电话等，大大增强了iOS的效率。

iPhone手机的所有配件都是一体安装的，无法改装。可以通过外

接iPhone专用优盘实现扩容的效果，比如“觅果”这款产品。

提示：可以通过售后维修进行修理，价格较高，平时多清理手机

缓存和没必要的软件。

iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手

机，已于2014年9月19日正式上市。

iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率为1334*750像素，内置64

位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协

处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万

像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹

识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可

达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

相关阅读推荐：

DDR31.突发长度(Burst Length，BL)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(Burst Length，BL)

也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用

的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一

个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数

据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要

指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予

支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

2.寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的

CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，

而DDR3则在5～11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2

时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1

和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，

这一参数将根据具体的工作频率而定。

3新增的重置(Reset)功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。

DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现

了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效

时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约

电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据

接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL(延迟锁相

环路)与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这

样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差

参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(On-Die

Calibration Engine，ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与

ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期(在

加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个

时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进

行重新校准。

5.参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号

VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据

总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接(Point-to-Point，P2P)

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2

的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通

道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与

DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组)，或者

是点对双点(Point-to-two-Point，P22P)的关系(双物理Bank的模组)，

从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组

方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM(台式PC)、SO-

DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分，其中

第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此

外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一

些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移

动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一

样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片

光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，

其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2

及DDR3两种规格。

内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与

CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内

存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比

CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差

33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其

次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持

内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz

FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的

DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz

的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的

工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性

能有差异罢了。

再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的

后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的

Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可

以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存

的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上

300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR

333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR

500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常

的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频三代内存

的区别成功。

目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列

到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部

都提供了此功能。

2024年8月12日发(作者：傅恩)

iphone6内存分别有多大

苹果公司(Apple Inc. )是美国的一家高科技公司。由史蒂夫·乔布

斯、斯蒂夫·沃兹尼亚克和罗·韦恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月

1日创立，下面是店铺带来的关于iphone6内存分别有多大的内容，

欢迎阅读!

iphone6内存分别有多大：

iPhone6的运存内存是1GB RAM，存储容量方面则提供

16GB/64GB/128GB ROM。

硬件方面，iPhone6 Plus采用苹果A8+M8运动协处理器，主频

为1.4GHz。iPhone6 Plus背后天线系统覆盖到机身中框，弧面的金

属中框不仅加强机身整体圆润感，平衡机身设计美学的同时，也减少

手机不慎跌落时对机身的缓冲力。

iPhone6 Plus采用了一颗800万像素的摄像头，每个像素大小

1.5微米，最大光圈f/2.2，并采用全新传感器，保留了双色温闪光灯

之外还内置了全新的对焦技术。iPhone6 Plus加入了光学防抖功能，

使防抖能力以及弱光拍摄表现得到很大提升。

系统方面，iPhone6 Plus搭载iOS 8系统。虽然的界面风格上与

iOS7区别不大，但iOS8系统更加开放与人性化。在锁屏状态下送短

消息时，支持在锁屏状态下直接回复短信。另外在多任务栏，也可直

接显示最近的联系人名片，并支持自定义编辑。可以直接给他们发邮

件、打电话等，大大增强了iOS的效率。

iPhone手机的所有配件都是一体安装的，无法改装。可以通过外

接iPhone专用优盘实现扩容的效果，比如“觅果”这款产品。

提示：可以通过售后维修进行修理，价格较高，平时多清理手机

缓存和没必要的软件。

iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手

机，已于2014年9月19日正式上市。

iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率为1334*750像素，内置64

位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协

处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万

像素 鞠昀摄影FaceTime HD 高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹

识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可

达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

相关阅读推荐：

DDR31.突发长度(Burst Length，BL)

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(Burst Length，BL)

也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用

的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一

个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数

据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要

指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予

支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

2.寻址时序(Timing)

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的

CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，

而DDR3则在5～11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2

时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1

和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，

这一参数将根据具体的工作频率而定。

3新增的重置(Reset)功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。

DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现

了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效

时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约

电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据

接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL(延迟锁相

环路)与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这

样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差

参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(On-Die

Calibration Engine，ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与

ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期(在

加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个

时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进

行重新校准。

5.参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号

VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据

总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接(Point-to-Point，P2P)

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2

的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通

道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与

DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组)，或者

是点对双点(Point-to-two-Point，P22P)的关系(双物理Bank的模组)，

从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组

方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM(台式PC)、SO-

DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分，其中

第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此

外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一

些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移

动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一

样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片

光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，

其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2

及DDR3两种规格。

内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与

CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内

存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比

CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差

33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其

次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持

内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz

FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的

DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz

的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的

工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性

能有差异罢了。

再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的

后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的

Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可

以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存

的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上

300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR

333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR

500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常

的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频三代内存

的区别成功。

目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列

到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部

都提供了此功能。