2024年8月29日发(作者：亓官暮芸)
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到
DDR SDRAM,就认为是SDRAM。其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random
Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器.而DDR SDRAM是Double Data
Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在
SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而
言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降
低成本.
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；
而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期
各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器.DDR内存可以在与SDRAM
相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输
出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked
Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术,当数据有效时,存储控制器可使用这
个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模
块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许
在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的
针脚距离.但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、
时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持2。5V电压的SSTL2标准，而不
是SDRAM使用的3。3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗
粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因
此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
什么是 DDR1？
有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分.尽管
一般是使用 “DDR" ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
DDR1规格
DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR—266:
DDR—SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR—333: DDR—SDRAM 记忆芯片
在166 MHz下运行 DDR—400： DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行
（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR—500： DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz
下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR—600： DDR-SDRAM 记忆芯片在300
MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR—700： DDR—SDRAM 记忆芯
片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
[1][2]
［
3]
什么是 DDR2？
DDR2。2G
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品.它在 DDR 内存技术的基础上加以
改进,从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会）进
行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然
同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥
有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2
内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍
的速度运行。
DDR2与DDR的区别
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽
然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本
方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力.也就是说,在同样
100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz.
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的
内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具
有高一倍的带宽。实际上，DDR2—400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3。
2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2—400的核心工作频率
是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,
而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破
标准DDR的400MHZ限制.
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在
200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它
的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因.
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA
封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提
供了良好的保障。
DDR2内存采用1。8V电压，相对于DDR标准的2.5V,降低了不少，从而提供
了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的.
2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post
CAS。
OCD（Off—Chip Driver）:也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以
提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使
两者电压相等。使用OCD通过减少DQ—DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控
制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面
为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻.它大大增加了主板的制造成本。
实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据
线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻
高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非
常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质.DDR2可以根据自己的特点内
建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成
本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的.在Post CAS操作中，
CAS信号(读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在
附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）
被AL(Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS
信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰
撞冲突。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成
本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解
决
DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :
1。突发长度(Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL)也固定为8，
而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit
Burst Chop（突发突变）模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作
来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式.而且
需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而
代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发）。
2。寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比
DDR2有所提高.DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5～11之间，且
附加延迟（AL）的设计也有所变化.DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有
三种选项，分别是0、CL-1和
DDR3
CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数—-写入延迟（CWD）,这一参数将根据
具体的工作频率而定。
DDR2内存的频率
其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。
3。DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界
很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3
的初始化处理变得简单.当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作,并切换至
最少量活动状态,以节约电力.
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都
将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL（延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且
不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4。DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这
个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）
来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，
将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后
用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行
重新校准。
参考电压分成两个
在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个
信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效
地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接（Point-to—Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区
别.在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道
只能有一个插槽,因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P）的关系（单
物理Bank的模组），或者是点对双点（Point—to—two-Point,P22P）的关系（双物
理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存
模组方面，与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM（台式PC）、
SO—DIMM/Micro—DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2(服务器）之分，其中第二代
FB—DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外,由于DDR3
所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要
出色得多,因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是
台式机而是服务器一样.在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是
一片光明.目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片—熊湖(Bear Lake)，其将支持
DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
DDR4
据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4
标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内
上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能
会提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考
虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传
统SE信号）信号方式则表示64—bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开
此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同
时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。
DDR4规格
因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的
DDR4内存其传输速率已经被确认为1。6~3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4
内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上
是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格
产品.
根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是
Single-endedSignaling( 传统SE信号）方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )
方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将
会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产
品.
DDR5
新的绘图记忆体的承诺，较低的能量消耗量和数据传输在6 Gbps的每秒
我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4记忆直至目前为止,但三星已就此案与下
一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发向了主要的图形处理器公司。
当然，三星并不是第一家公司开始采样gddr5的记忆。双方Hynix和奇梦达还宣
布了类似的零件在十一月,但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率
6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星,大胆声称它的产品’世界上速度最快的记
忆体， '和说，它的’能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。
以及增加带宽, gddr5记忆体也比较低功耗的要求，三星公司声称其记忆体运作，
只是1.5 .
三星是目前采样512MB的gddr5芯片( 16 MB × 32 ) ,和mueez迪恩,三星的市
场营销主管绘图记忆体，他说，该记忆体’将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提
供了一个新台阶眼膨化游戏.不过，我们可能要等待一段时间之前, gddr5成为普遍。
三星公司估计，该记忆体将成为'事实上的标准，在顶端表演细分市场'在2010年，当
公司说，它将帐户为' 50 ％以上的高年底PC图形市场.
2024年8月29日发(作者：亓官暮芸)
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到
DDR SDRAM,就认为是SDRAM。其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random
Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器.而DDR SDRAM是Double Data
Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在
SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而
言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降
低成本.
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；
而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期
各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器.DDR内存可以在与SDRAM
相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输
出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked
Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术,当数据有效时,存储控制器可使用这
个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模
块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许
在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的
针脚距离.但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、
时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持2。5V电压的SSTL2标准，而不
是SDRAM使用的3。3V电压的LVTTL标准。
DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗
粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因
此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。
什么是 DDR1？
有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分.尽管
一般是使用 “DDR" ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。
DDR1规格
DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR—266:
DDR—SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR—333: DDR—SDRAM 记忆芯片
在166 MHz下运行 DDR—400： DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行
（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR—500： DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz
下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR—600： DDR-SDRAM 记忆芯片在300
MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR—700： DDR—SDRAM 记忆芯
片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
[1][2]
［
3]
什么是 DDR2？
DDR2。2G
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品.它在 DDR 内存技术的基础上加以
改进,从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会）进
行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然
同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥
有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2
内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍
的速度运行。
DDR2与DDR的区别
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽
然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本
方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力.也就是说,在同样
100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz.
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的
内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具
有高一倍的带宽。实际上，DDR2—400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3。
2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2—400的核心工作频率
是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,
而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破
标准DDR的400MHZ限制.
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在
200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它
的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因.
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA
封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提
供了良好的保障。
DDR2内存采用1。8V电压，相对于DDR标准的2.5V,降低了不少，从而提供
了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的.
2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post
CAS。
OCD（Off—Chip Driver）:也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以
提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使
两者电压相等。使用OCD通过减少DQ—DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控
制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面
为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻.它大大增加了主板的制造成本。
实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据
线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻
高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非
常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质.DDR2可以根据自己的特点内
建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成
本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的.在Post CAS操作中，
CAS信号(读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在
附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）
被AL(Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS
信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰
撞冲突。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成
本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解
决
DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :
1。突发长度(Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL)也固定为8，
而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit
Burst Chop（突发突变）模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作
来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式.而且
需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而
代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发）。
2。寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比
DDR2有所提高.DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5～11之间，且
附加延迟（AL）的设计也有所变化.DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有
三种选项，分别是0、CL-1和
DDR3
CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数—-写入延迟（CWD）,这一参数将根据
具体的工作频率而定。
DDR2内存的频率
其中 DDR2 的频率对照表如右图所示。
3。DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界
很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3
的初始化处理变得简单.当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作,并切换至
最少量活动状态,以节约电力.
在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都
将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL（延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且
不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4。DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这
个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）
来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，
将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后
用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行
重新校准。
参考电压分成两个
在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个
信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效
地提高系统数据总线的信噪等级。
点对点连接（Point-to—Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区
别.在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道
只能有一个插槽,因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P）的关系（单
物理Bank的模组），或者是点对双点（Point—to—two-Point,P22P）的关系（双物
理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存
模组方面，与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM（台式PC）、
SO—DIMM/Micro—DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2(服务器）之分，其中第二代
FB—DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外,由于DDR3
所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要
出色得多,因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是
台式机而是服务器一样.在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是
一片光明.目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片—熊湖(Bear Lake)，其将支持
DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
DDR4
据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4
标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内
上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能
会提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考
虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传
统SE信号）信号方式则表示64—bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开
此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同
时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。
DDR4规格
因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的
DDR4内存其传输速率已经被确认为1。6~3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4
内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上
是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格
产品.
根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是
Single-endedSignaling( 传统SE信号）方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )
方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将
会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产
品.
DDR5
新的绘图记忆体的承诺，较低的能量消耗量和数据传输在6 Gbps的每秒
我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4记忆直至目前为止,但三星已就此案与下
一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发向了主要的图形处理器公司。
当然，三星并不是第一家公司开始采样gddr5的记忆。双方Hynix和奇梦达还宣
布了类似的零件在十一月,但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率
6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星,大胆声称它的产品’世界上速度最快的记
忆体， '和说，它的’能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。
以及增加带宽, gddr5记忆体也比较低功耗的要求，三星公司声称其记忆体运作，
只是1.5 .
三星是目前采样512MB的gddr5芯片( 16 MB × 32 ) ,和mueez迪恩,三星的市
场营销主管绘图记忆体，他说，该记忆体’将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提
供了一个新台阶眼膨化游戏.不过，我们可能要等待一段时间之前, gddr5成为普遍。
三星公司估计，该记忆体将成为'事实上的标准，在顶端表演细分市场'在2010年，当
公司说，它将帐户为' 50 ％以上的高年底PC图形市场.