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PZT9505型陶瓷介电谱表征

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2024年9月7日发(作者:纪绮波)

第33卷第4期 

武汉_丁程大学学报 

Vo1.33 

No.4 

2011年O4月 

J. Wuhan Inst.Tech. 

Apr. 

2011 

文章编号:1674—2869(2011)04—0065—04 

PZT9 5 0 5型陶瓷介电谱表征 

张超,未治奎,余大书 

(天津师范大学物理与电子信息学院,天津300389) 

摘要:通过对溶胶一凝胶法制备的PZT9505陶瓷进行介电谱测试,包括介电温度谱,介电频谱,同时测量其 

漏电流偏压关系曲线,结果显示:溶胶凝胶方法有利于精确控制材料组分,样品介电常数较大(10。~1O 量 

级)且在较大温度范围内比较稳定,优越于传统固相合成方法,在电工频率范围内存在压电效应,有利于工业 

应用,样品的介电弛豫不是典型德拜弛豫,属于极化弛豫的多体模型. 

关键词:溶胶凝胶;反铁电;介电谱;多体模型 

中图分类号:TB332 文献标识码:A doi:10.3969/j.issn.1674—2869.2011.O4.O17 

0 引 言 

并加入乙醇胺搅拌至溶解,同时添加少量蒸馏水. 

此法可保证钙钛矿结构中处于B位的钛和锆在与 

PZT9505反铁电材料处于反铁电一铁电相区 铅反应之前充分取代,可以使内部组分分布均匀, 

附近,具有丰富的相结构,在应力、温度和电场等 

获得高质量PZT前驱溶胶.将溶胶在97℃下回流 

外场诱导下发生铁电一反铁电相互转变,可用于 

10 h,以便溶胶内部组分充分反应,冷却至130℃ 

工业以及军事领域,如高密度储能电容器,换能器 并蒸馏4 h,得到PZT的干凝胶.这样既便于保 

等,有关其相变特性的研究和应用一直备受人们 

存,又可用干凝胶配制溶胶,利于溶胶的结构和组 

的关注口 ]. 

分均一.将干凝胶放于陶瓷坩埚用电阻炉快速烧 

介电谱方法已成为分析材料电性能特征的重 至710℃,保温4 h,随炉温降至室温后取出,样品 

要手段,通过材料介电参数的介电温谱和介电频 

呈淡黄色的膨化状态.用玛瑙研碎朝一个时针方 

谱,结合经典电磁学以及统计物理学理论,分析材 

向研磨4 h左右,得到淡黄色细粉末,手感滑腻,加 

料内部电荷以及电荷组在交变电场和温度下的响 

入质量分数为3 9/6聚乙二醇溶液作为粘合剂,将其 

应过程,得到材料的内部信息_l5j. 与粉末拌匀,用压片机将粉末压出PZT陶瓷素坯. 

对于陶瓷制备方法,由于溶胶凝胶法制备陶瓷较 

将素坯放进装有A1 O。粉末的坩埚里并用粉 

传统熔融陶瓷工艺(固相合成法)具有烧结温度低、所 末覆盖,放进电炉快速升温至1 200℃稍作保温 

得物质纯度高、化学均匀性好、化学计量准确等优 (约10 min),并降至1 000℃,900℃,800℃, 

点_l6 ].因此,本文采用溶胶凝胶方法制备PZT陶瓷, 

710℃,各保温1 h,待自然降至室温时取出.这样 

并对其进行介电谱的测试,研究其相变特征. 烧结属于分步静态快速热处理方法 ],该法能够 

1 实验过程 

防止烧结过程中大晶粒吞并小晶粒的滚雪球效 

应,实现陶瓷的高致密性. 

以乙酸铅、钛酸丁酯以及硝酸氧锆为原料,无 样品经打磨,抛光,被银电极(利用电阻炉自 

水乙醇和甲醇为溶剂,乙酰丙酮和乙醇胺为添加 

然升温至550℃,保温10 min后自然降至室温,烧 

剂,按照化学式Pb(Zr …Ti)O。( 一0.05),进行 结制成烧银电极并连接引线),之后放入盛有硅油 

秤量、配料.具体操作过程:首先,将钛酸丁酯和无 

的样品盒里,温度升至120℃后,缓慢加高压至 

水乙醇按摩尔比1:l混合,室温下搅拌至溶液澄 3 kV,保压0.5 h后取出进行电学性能测试.对处 

清均一;然后,称取过量15 (摩尔数)的乙酸铅溶 

理后的材料采用英国WK公司的6540A型精密 

解在甲醇中加热混合,冷却到50℃后加入乙酰丙 

阻抗分析仪(PIA)测试,具体步骤是将引线放入阻 

酮与硝酸氧锆,并搅拌均匀;最后,混合以上溶液 抗分析仪配套的Component Fixture 1011型夹具 

收稿日期:2OlO一12一O3 

作者简介:张超(1986一),男,天津人,硕士研究生.研究方向:纳米材料物理 

*通讯作者:余大书(1959一),男,博士,教授.研究方向:纳米功能材料. 

武汉工程大学学报 第33卷 

中,开机后10 min进行测量,以消除设备的残余阻 

准确,宏观上满足了要求.在以上两个特征温度之 

抗.另外在测量介电温谱时,将样品放人ZNHw 

∞ 

5 

间较大的温度范围内,介电常数升高较为平缓(介 

O 5 

型智能恒温电热套中进行温度控制;样品的漏电 

∞ ∞ ∞ 

O 

电常数数量级在lO。~1O 之间),较为稳定,高于 

O O O 

流与偏压关系曲线采用TF2000铁电测试仪进行 

固相合成方法合成的相同材料,并且烧结温度也 

测试,辅助介电谱测试中介电损耗的分析. 

低于固相合成方法_】 ,该材料在介电方面具有 

2测试结果与分析 

较好的应用前景. 

2.1样品介电温谱 

样品测试条件:测试电压为10 mV交流小信 

号,根据样品尺寸得到其介电常数一温度关系曲 

线如图1. 

30 000 

25 000 

O 

20 000 

(a)£一丁曲线 

lUU l2U l40 l60 l 0 200 220 240 260 

℃ 

图1 不同频率下的介电温谱(及最高介电异常峰值29943) 

Fig.1 Dielectric temperature spectrum in different 

frequencies(£maximum 29943) 

图1分别描述了样品在83.5,94.7,106, 

℃ 

120 MHz高频时的介电常数与温度的关系.介电 

(b)1/ ̄--T曲线 

峰对应的温度基本不随频率变化,说明其属于样 

图2 83.5 MHz时的介电温谱(在四个频率中低频时图 

品的铁电相变峰l_】 .但是,曲线整体形状与峰值随 

线较为明显。因此选用83.5 MHz) 

着频率升高而变化,介电峰逐渐变得不尖锐,说明 

Fig.2 Dielectric temperature spectrum in 83.5 MHz 

引起材料高介电常数的铁电畴壁在高频时因为其 

图2(b)是根据图2(a)画出的介电常数倒数与温 

惯性_1 已经无法随电场及时改变方向,材料本身 

度曲线,根据居里外斯定律公式1/£一忌(T—To),1/k 

相当于一般常规偶极子系统口引,从而导致介电常 

为居里外斯常数,在顺电相温区1/e—T图上作拟合 

数逐渐减弱.因此,分析介电温谱应该同时考虑介 

斜直线(使多数实验点落在直线附近),直线在温度轴 

电常数随频率的变化趋势,这样结合分析将有助 

的截距就是居里外斯温度T0,这里为225℃,居里外 

于定性考察影响介电常数的极化机制. 

斯常数的量级为10 K,与锆酸铅相同[1 .另外,样品 

图2为83.5 MHz时的介电温谱.图2(a)中, 

的T0<Tc,说明其铁电一顺电相变为一级相变,是钙钛 

介电常数曲线随温度增加出现两个增长,一个是 

矿结构铁电体发生的相变_l .但是大于246℃时,介 

在180℃,一个是在227℃,根据PZT二元相图反 

电常数倒数实验点有开始偏移直线的趋势(图3(b)中 

铁电一铁电相区的具体分布以及文献[13]中关于反 

未标出大于246℃的试验点,以便显示居里点附近细 

铁电一铁电一顺电相变的描述,认为在180℃时出现 

节),这是因为陶瓷样品中有可能出现局部成分的微 

反铁电正交相向高温菱方铁电相转变,在227℃ 

小不均匀,这种成分的涨落将导致各个成分微区的 

时出现高温菱方铁电相向顺电立方相转变(即居 

存在一定的分布而出现介电峰宽化,并开始偏离 

里温度T。一227℃);同时从电学性能上说明最终 

Curie定律 。J. 

样品的锆钛比是基本处于9505的反铁电一铁电相 

2.2样品介电频谱 

界附近(有些接近96/04),符合9505型反铁电陶 

图3是样品不同温度状态下的电容与频率关 

瓷的组分要求,材料出现了反铁电一铁电转变 ],说 

系图,图3(a)随着样品的温度不断接近居里温度时 

明本实验的溶胶凝胶方法对于组分的控制是较为 

候,介电峰值越来越高,图3(b)随着样品的温度不 

第4期 张超,等:PZT9505型陶瓷介电谱表征 

断超过居里温度,介电峰值越来越小,这反映了图2 

因:其一,压片时所用压力不够,导致素坯内部有微空 

隙,烧结温度没有控制好影响了陶瓷致密一li;再者,测 

样时测试电极不平或者没有夹紧陶瓷样品,以及银电 

极内部质地不均匀,在高温和强电流作用下导致样品 

介电温谱的情况;另外,在介电频谱中,都有介电异 

常峰值出现,该峰所对应的频率随温度变化不大,并 

且不与外加测试条件(比如引线的长短)的改变而变 

化,这说明:该峰属于样品本身的共振效应,即压电 

峰,且9505材料的谐振频率对于温度变化较为稳 

漏电流损耗加大;另外,也与施加的测试电压及频率 

有关系,这些问题将在后续研究中进行深入分析与解 

决.图6是以图4中复介电常数实、虚部为坐标轴绘 

制的Cole-Cole曲线,曲线呈现不对称形态,弛豫时间 

为多弛豫时间且呈非对称分布,不是典型的单一弛豫 

定,本文认为出现该压电作用可能与PZT反铁电一 

铁电相界处的反铁电双子晶格相互耦合作用有 

关_3],随着温度升高,耦合作用增强,压电效应增强, 

压电峰值增高(图3(a))但由于超过居里温度后导 

致顺电相出现,耦合作用进而减弱,压电峰减弱至消 

失(图3(b)),基于设备的频段范围(最高为120 

MHz),我们不能测试更高频率的情况,进行更高频 

率的介电测量以及理论公式拟合,深入描述该压电 

效应产生的机制是今后努力的方向。 

100p 

75p 

50p 

25p 

10M 

fiHz 

(a)丁<Tc 

(b)』>』C 

图3不同温度的介频谱 

Fig.3 Dielectric spectrum in different temperature 

图4是样品在250℃下的介电频谱,该温度下, 

压电效应的介电峰消失,介电常数不断下降,根据相 

变温度考虑,说明此时呈现完全顺电情况,注意这里 

的顺电相并不是超过居里点(,厂f一227℃)后随即出 

现,其原因也是由于样品中出现局部的成分微小程度 

的不均匀,导致微区的 存在分布造成.根据介电谱 

理论,复介电常数随频率的变化关系属于典型的介电 

弛豫,样品最可几弛豫时间可根据介电常数虚部极大 

值对应的频率算出,结果为1/(2兀×67.1×10 )一 

2.37×10 ~S,其量级属于无线电频段,满足电子工业 

相关需要.图5是样品的漏电流和偏压的关系曲线, 

并结合图4发现样品的介电损耗稍大,主要有以下原 

时间的德拜弛豫,属于极化弛豫的普适关系——多体 

模型,具体说,引起该弛豫的原因是钙钛矿结构中处 

于B位的不同能量相关态的钛离子和锆离子的低能 

量跃迁,带电粒子的跃迁激活能覆盖了广阔的能量区 

间,从而导致了非德拜型多弛豫时间分布的介电频谱 

的现象 . 

f}Hz 

图4 250℃样品介电频谱 

Fig.4 Dielectric spectrum in 250℃ 

0 1O 

0 O5 

O 

O O5 

——

900—-600—-300 0 300 600 900 

E/(kV・ITI ) 

图5 样品漏电流和偏置电场关系曲线 

Fig.5 Leakage current under bias voltage curves 

£ 

图6 250℃样品的Cole—Cole曲线 

Fig.6 Cole-Cole curves in 250℃ 

68 武汉工程大学学报 第33卷 

3 结 语 

通过介电温谱的测试样品属于9505型铁电 

_J].武汉工程大学学报,2010,32(3):28—3O. 

[8]边亮,杨世源,宋绵新,等.PEG对溶胶一凝胶法制备 

PzT粉体性能的影响[J].化工新型材料,2007,35 

(1):48,49,66. 

陶瓷,样品介电常数在较大温度范围内比较稳定 

(1O。~10 数量级)且数值很大,铁电相变属于钙 

钛矿结构的一级相变;介电频谱中,样品在 

8O MHz左右出现压电效应;顺电相区出现介电弛 

1-9] 张立德.纳米材料[M].北京:化学工业出版社,2000: 

1—139. 

ElO]陈小兵,严峰,李春华,等.PbZr。..。Ti s0。陶瓷畴 

界粘滞运动的介电损耗模拟[J].物理学报,1999,48 

豫现象,不属于典型的德拜弛豫,而是极化弛豫的 

(8):l529—1534. 

多体模型,即普适介电弛豫关系. 

[11]钟维烈.铁电物理学[M].北京:科学出版社,1996: 

342。351. 

参考文献: 

[12]张良莹,姚熹.电介质物理[M].西安:西安交通大学 

Eli夏志国,李强.PZT基反铁电材料的研究进展[J].人 

出版社,1991:203,433. 

工晶体学报,2006,35(4):835~843. 

[13]郑曙光,徐卓,冯玉军,等.等静压和温度作用下Pb 

[2] WANG Yong—ling,CHENG Zhi—ming,SUN Yang— 

(Zr,Sn,Ti)O。陶瓷的介电性能研究[J].西安交通 

ten,et a1.Phase transition study of PZT 95/5 

大学学报,2002,36(10):1004~1007. 

ceramics[J].Physica B.1988,150:168—174. 

[-14-]朱音音,孙大志,刘恒,等.梯度PZT铁电陶瓷的介 

[3]董显林,孙大志,王永令.PZT基陶瓷反铁电~铁电 

电性质[J].上海师范大学学报:自然科学版,2006, 

压电各向异性的研究[J].无机材料学报,1995,10 

35(4):58—6O. 

(2):193—198. 

[1 5] NIE Heng—chang,FENG Ning—bo,CHEN Xue- 

[4] GONG Chang,FENG Yu—jun,XU Zhuo,et a1. 

feng,et a1.Enhanced Ferroelectric Properties of 

Chemical prepared niobium modified PZT-95/5 

Intragranular_Por0us Pb(Zr。95 Tio 05)O3 Ceramic 

antiferr0electric ceramics and the field—induced phase 

Fabricated with Carbon Nanotubes[J].J Am Ceram 

transformation properties [J]. Journal of 

Soe,2010,93(3):642—645. 

Electroceramics,2008,21:283—286. 

[16] 田中哲郎.压电陶瓷材料[M].陈俊彦,译.北京:科 

[5]倪尔瑚.材料科学中的介电谱技术[M].北京:科学 

学出版社,1982:45. 

出版社,1999:11. 

[1 7] Fasquelle D,Carru J C.Electrical characterizati0ns 

[6]曾庆冰,李效东,陆逸.溶胶一凝胶法基本原理及其 

of PZT ceramics in large frequency and temperature 

在陶瓷材料中的应[J].高分子材料科学与工程, 

ranges[J].Journal of the European Ceramic 

1998,14(2):138—143. 

Society,2008,28:2071—2074. 

[7] 田红梅,毕宇,徐旺.溶胶一凝胶法制备纳米钛酸钡 

Dielectric spectrum characterization for PZT9 5 0 5 ceramic 

ZHANG Chao,wEI Zhi-kui,YU Da-shu 

(School of Physics&Electronic Information Science,Tianjin normal University,Tianjin 300389,China) 

Abstract:PZT9505 ceramic made by Sol-Gel process was tested by dielectric spectrum including the dielectric 

spectrums for temperature and frequency,leakage current under bias voltage,respectively,the results showed that 

the Sol-Gel method could control the composition accurately compared with the traditional solid phase synthesis 

method,the sample has large and stable dielectric constants(10 ~10 )in the large temperature range and 

piezoelectric effect occurred in electrical frequency range for industrial application.The dielectric relaxation for the 

sample is not typical Debye model but the many-body model on relaxation polarization. 

Key words:Sol—gel;antiferroelectric;dielectric spectrum;many—body model 

本文编辑:龚晓宁 

2024年9月7日发(作者:纪绮波)

第33卷第4期 

武汉_丁程大学学报 

Vo1.33 

No.4 

2011年O4月 

J. Wuhan Inst.Tech. 

Apr. 

2011 

文章编号:1674—2869(2011)04—0065—04 

PZT9 5 0 5型陶瓷介电谱表征 

张超,未治奎,余大书 

(天津师范大学物理与电子信息学院,天津300389) 

摘要:通过对溶胶一凝胶法制备的PZT9505陶瓷进行介电谱测试,包括介电温度谱,介电频谱,同时测量其 

漏电流偏压关系曲线,结果显示:溶胶凝胶方法有利于精确控制材料组分,样品介电常数较大(10。~1O 量 

级)且在较大温度范围内比较稳定,优越于传统固相合成方法,在电工频率范围内存在压电效应,有利于工业 

应用,样品的介电弛豫不是典型德拜弛豫,属于极化弛豫的多体模型. 

关键词:溶胶凝胶;反铁电;介电谱;多体模型 

中图分类号:TB332 文献标识码:A doi:10.3969/j.issn.1674—2869.2011.O4.O17 

0 引 言 

并加入乙醇胺搅拌至溶解,同时添加少量蒸馏水. 

此法可保证钙钛矿结构中处于B位的钛和锆在与 

PZT9505反铁电材料处于反铁电一铁电相区 铅反应之前充分取代,可以使内部组分分布均匀, 

附近,具有丰富的相结构,在应力、温度和电场等 

获得高质量PZT前驱溶胶.将溶胶在97℃下回流 

外场诱导下发生铁电一反铁电相互转变,可用于 

10 h,以便溶胶内部组分充分反应,冷却至130℃ 

工业以及军事领域,如高密度储能电容器,换能器 并蒸馏4 h,得到PZT的干凝胶.这样既便于保 

等,有关其相变特性的研究和应用一直备受人们 

存,又可用干凝胶配制溶胶,利于溶胶的结构和组 

的关注口 ]. 

分均一.将干凝胶放于陶瓷坩埚用电阻炉快速烧 

介电谱方法已成为分析材料电性能特征的重 至710℃,保温4 h,随炉温降至室温后取出,样品 

要手段,通过材料介电参数的介电温谱和介电频 

呈淡黄色的膨化状态.用玛瑙研碎朝一个时针方 

谱,结合经典电磁学以及统计物理学理论,分析材 

向研磨4 h左右,得到淡黄色细粉末,手感滑腻,加 

料内部电荷以及电荷组在交变电场和温度下的响 

入质量分数为3 9/6聚乙二醇溶液作为粘合剂,将其 

应过程,得到材料的内部信息_l5j. 与粉末拌匀,用压片机将粉末压出PZT陶瓷素坯. 

对于陶瓷制备方法,由于溶胶凝胶法制备陶瓷较 

将素坯放进装有A1 O。粉末的坩埚里并用粉 

传统熔融陶瓷工艺(固相合成法)具有烧结温度低、所 末覆盖,放进电炉快速升温至1 200℃稍作保温 

得物质纯度高、化学均匀性好、化学计量准确等优 (约10 min),并降至1 000℃,900℃,800℃, 

点_l6 ].因此,本文采用溶胶凝胶方法制备PZT陶瓷, 

710℃,各保温1 h,待自然降至室温时取出.这样 

并对其进行介电谱的测试,研究其相变特征. 烧结属于分步静态快速热处理方法 ],该法能够 

1 实验过程 

防止烧结过程中大晶粒吞并小晶粒的滚雪球效 

应,实现陶瓷的高致密性. 

以乙酸铅、钛酸丁酯以及硝酸氧锆为原料,无 样品经打磨,抛光,被银电极(利用电阻炉自 

水乙醇和甲醇为溶剂,乙酰丙酮和乙醇胺为添加 

然升温至550℃,保温10 min后自然降至室温,烧 

剂,按照化学式Pb(Zr …Ti)O。( 一0.05),进行 结制成烧银电极并连接引线),之后放入盛有硅油 

秤量、配料.具体操作过程:首先,将钛酸丁酯和无 

的样品盒里,温度升至120℃后,缓慢加高压至 

水乙醇按摩尔比1:l混合,室温下搅拌至溶液澄 3 kV,保压0.5 h后取出进行电学性能测试.对处 

清均一;然后,称取过量15 (摩尔数)的乙酸铅溶 

理后的材料采用英国WK公司的6540A型精密 

解在甲醇中加热混合,冷却到50℃后加入乙酰丙 

阻抗分析仪(PIA)测试,具体步骤是将引线放入阻 

酮与硝酸氧锆,并搅拌均匀;最后,混合以上溶液 抗分析仪配套的Component Fixture 1011型夹具 

收稿日期:2OlO一12一O3 

作者简介:张超(1986一),男,天津人,硕士研究生.研究方向:纳米材料物理 

*通讯作者:余大书(1959一),男,博士,教授.研究方向:纳米功能材料. 

武汉工程大学学报 第33卷 

中,开机后10 min进行测量,以消除设备的残余阻 

准确,宏观上满足了要求.在以上两个特征温度之 

抗.另外在测量介电温谱时,将样品放人ZNHw 

∞ 

5 

间较大的温度范围内,介电常数升高较为平缓(介 

O 5 

型智能恒温电热套中进行温度控制;样品的漏电 

∞ ∞ ∞ 

O 

电常数数量级在lO。~1O 之间),较为稳定,高于 

O O O 

流与偏压关系曲线采用TF2000铁电测试仪进行 

固相合成方法合成的相同材料,并且烧结温度也 

测试,辅助介电谱测试中介电损耗的分析. 

低于固相合成方法_】 ,该材料在介电方面具有 

2测试结果与分析 

较好的应用前景. 

2.1样品介电温谱 

样品测试条件:测试电压为10 mV交流小信 

号,根据样品尺寸得到其介电常数一温度关系曲 

线如图1. 

30 000 

25 000 

O 

20 000 

(a)£一丁曲线 

lUU l2U l40 l60 l 0 200 220 240 260 

℃ 

图1 不同频率下的介电温谱(及最高介电异常峰值29943) 

Fig.1 Dielectric temperature spectrum in different 

frequencies(£maximum 29943) 

图1分别描述了样品在83.5,94.7,106, 

℃ 

120 MHz高频时的介电常数与温度的关系.介电 

(b)1/ ̄--T曲线 

峰对应的温度基本不随频率变化,说明其属于样 

图2 83.5 MHz时的介电温谱(在四个频率中低频时图 

品的铁电相变峰l_】 .但是,曲线整体形状与峰值随 

线较为明显。因此选用83.5 MHz) 

着频率升高而变化,介电峰逐渐变得不尖锐,说明 

Fig.2 Dielectric temperature spectrum in 83.5 MHz 

引起材料高介电常数的铁电畴壁在高频时因为其 

图2(b)是根据图2(a)画出的介电常数倒数与温 

惯性_1 已经无法随电场及时改变方向,材料本身 

度曲线,根据居里外斯定律公式1/£一忌(T—To),1/k 

相当于一般常规偶极子系统口引,从而导致介电常 

为居里外斯常数,在顺电相温区1/e—T图上作拟合 

数逐渐减弱.因此,分析介电温谱应该同时考虑介 

斜直线(使多数实验点落在直线附近),直线在温度轴 

电常数随频率的变化趋势,这样结合分析将有助 

的截距就是居里外斯温度T0,这里为225℃,居里外 

于定性考察影响介电常数的极化机制. 

斯常数的量级为10 K,与锆酸铅相同[1 .另外,样品 

图2为83.5 MHz时的介电温谱.图2(a)中, 

的T0<Tc,说明其铁电一顺电相变为一级相变,是钙钛 

介电常数曲线随温度增加出现两个增长,一个是 

矿结构铁电体发生的相变_l .但是大于246℃时,介 

在180℃,一个是在227℃,根据PZT二元相图反 

电常数倒数实验点有开始偏移直线的趋势(图3(b)中 

铁电一铁电相区的具体分布以及文献[13]中关于反 

未标出大于246℃的试验点,以便显示居里点附近细 

铁电一铁电一顺电相变的描述,认为在180℃时出现 

节),这是因为陶瓷样品中有可能出现局部成分的微 

反铁电正交相向高温菱方铁电相转变,在227℃ 

小不均匀,这种成分的涨落将导致各个成分微区的 

时出现高温菱方铁电相向顺电立方相转变(即居 

存在一定的分布而出现介电峰宽化,并开始偏离 

里温度T。一227℃);同时从电学性能上说明最终 

Curie定律 。J. 

样品的锆钛比是基本处于9505的反铁电一铁电相 

2.2样品介电频谱 

界附近(有些接近96/04),符合9505型反铁电陶 

图3是样品不同温度状态下的电容与频率关 

瓷的组分要求,材料出现了反铁电一铁电转变 ],说 

系图,图3(a)随着样品的温度不断接近居里温度时 

明本实验的溶胶凝胶方法对于组分的控制是较为 

候,介电峰值越来越高,图3(b)随着样品的温度不 

第4期 张超,等:PZT9505型陶瓷介电谱表征 

断超过居里温度,介电峰值越来越小,这反映了图2 

因:其一,压片时所用压力不够,导致素坯内部有微空 

隙,烧结温度没有控制好影响了陶瓷致密一li;再者,测 

样时测试电极不平或者没有夹紧陶瓷样品,以及银电 

极内部质地不均匀,在高温和强电流作用下导致样品 

介电温谱的情况;另外,在介电频谱中,都有介电异 

常峰值出现,该峰所对应的频率随温度变化不大,并 

且不与外加测试条件(比如引线的长短)的改变而变 

化,这说明:该峰属于样品本身的共振效应,即压电 

峰,且9505材料的谐振频率对于温度变化较为稳 

漏电流损耗加大;另外,也与施加的测试电压及频率 

有关系,这些问题将在后续研究中进行深入分析与解 

决.图6是以图4中复介电常数实、虚部为坐标轴绘 

制的Cole-Cole曲线,曲线呈现不对称形态,弛豫时间 

为多弛豫时间且呈非对称分布,不是典型的单一弛豫 

定,本文认为出现该压电作用可能与PZT反铁电一 

铁电相界处的反铁电双子晶格相互耦合作用有 

关_3],随着温度升高,耦合作用增强,压电效应增强, 

压电峰值增高(图3(a))但由于超过居里温度后导 

致顺电相出现,耦合作用进而减弱,压电峰减弱至消 

失(图3(b)),基于设备的频段范围(最高为120 

MHz),我们不能测试更高频率的情况,进行更高频 

率的介电测量以及理论公式拟合,深入描述该压电 

效应产生的机制是今后努力的方向。 

100p 

75p 

50p 

25p 

10M 

fiHz 

(a)丁<Tc 

(b)』>』C 

图3不同温度的介频谱 

Fig.3 Dielectric spectrum in different temperature 

图4是样品在250℃下的介电频谱,该温度下, 

压电效应的介电峰消失,介电常数不断下降,根据相 

变温度考虑,说明此时呈现完全顺电情况,注意这里 

的顺电相并不是超过居里点(,厂f一227℃)后随即出 

现,其原因也是由于样品中出现局部的成分微小程度 

的不均匀,导致微区的 存在分布造成.根据介电谱 

理论,复介电常数随频率的变化关系属于典型的介电 

弛豫,样品最可几弛豫时间可根据介电常数虚部极大 

值对应的频率算出,结果为1/(2兀×67.1×10 )一 

2.37×10 ~S,其量级属于无线电频段,满足电子工业 

相关需要.图5是样品的漏电流和偏压的关系曲线, 

并结合图4发现样品的介电损耗稍大,主要有以下原 

时间的德拜弛豫,属于极化弛豫的普适关系——多体 

模型,具体说,引起该弛豫的原因是钙钛矿结构中处 

于B位的不同能量相关态的钛离子和锆离子的低能 

量跃迁,带电粒子的跃迁激活能覆盖了广阔的能量区 

间,从而导致了非德拜型多弛豫时间分布的介电频谱 

的现象 . 

f}Hz 

图4 250℃样品介电频谱 

Fig.4 Dielectric spectrum in 250℃ 

0 1O 

0 O5 

O 

O O5 

——

900—-600—-300 0 300 600 900 

E/(kV・ITI ) 

图5 样品漏电流和偏置电场关系曲线 

Fig.5 Leakage current under bias voltage curves 

£ 

图6 250℃样品的Cole—Cole曲线 

Fig.6 Cole-Cole curves in 250℃ 

68 武汉工程大学学报 第33卷 

3 结 语 

通过介电温谱的测试样品属于9505型铁电 

_J].武汉工程大学学报,2010,32(3):28—3O. 

[8]边亮,杨世源,宋绵新,等.PEG对溶胶一凝胶法制备 

PzT粉体性能的影响[J].化工新型材料,2007,35 

(1):48,49,66. 

陶瓷,样品介电常数在较大温度范围内比较稳定 

(1O。~10 数量级)且数值很大,铁电相变属于钙 

钛矿结构的一级相变;介电频谱中,样品在 

8O MHz左右出现压电效应;顺电相区出现介电弛 

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豫现象,不属于典型的德拜弛豫,而是极化弛豫的 

(8):l529—1534. 

多体模型,即普适介电弛豫关系. 

[11]钟维烈.铁电物理学[M].北京:科学出版社,1996: 

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Dielectric spectrum characterization for PZT9 5 0 5 ceramic 

ZHANG Chao,wEI Zhi-kui,YU Da-shu 

(School of Physics&Electronic Information Science,Tianjin normal University,Tianjin 300389,China) 

Abstract:PZT9505 ceramic made by Sol-Gel process was tested by dielectric spectrum including the dielectric 

spectrums for temperature and frequency,leakage current under bias voltage,respectively,the results showed that 

the Sol-Gel method could control the composition accurately compared with the traditional solid phase synthesis 

method,the sample has large and stable dielectric constants(10 ~10 )in the large temperature range and 

piezoelectric effect occurred in electrical frequency range for industrial application.The dielectric relaxation for the 

sample is not typical Debye model but the many-body model on relaxation polarization. 

Key words:Sol—gel;antiferroelectric;dielectric spectrum;many—body model 

本文编辑:龚晓宁 

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