2024年9月20日发(作者：甄翼)
海信TPW32V69等离子彩电原理与维修
该机采用MST 9U19B 机芯，也称之为“M9机芯”。“69”系列外壳，是公司的一款
高级电视。采用LG PDP32F1（852*480）等离子屏，
本机其主要功能特点：
（1） 多媒体功能 具有D-sub 15 针VGA 接口，可以做为高性能电视显示器用，实
现多媒体功能。
（2） 全数字平板显示
整个画面真实完美再现，无边缘模糊和非线性失真等现象。
（3） 多种画质改善电路
3D梳状滤波器，色彩优化等功能，运动画面和静态画面改善电路。
（4） 自动搜索记忆系统 采用频率合成式高频头，可记200个频道。
（5） LVDS 编码技术 通过LVDS编码、解码技术，减低传输噪声。
（6） 多模式宽屏显示
全屏16：九、4：3、缩放一、缩放二、全景等多种宽高比可供选择。
（7） 采用PHILIPS 公司新型D 类声音功放电路。
更高的动态范围内完美再现声音，高效节能。
（8） 中英文菜单可选
（9） 节电保护模式
多媒体端口? 1路PC信号输入、1路HDMI输入、2路视频（AV一、AV2）输入、1
路S视频输入、1路分量信号（YPBPR）输入、3路音频输入、1路音频输出、
一、高中频部份
该机的高中频采用U15和U17组成,射频信号（RF）经高频头U15接收，在内部进行
带通滤波后再进行混频放大后输出38M的中频信号，38M的中频信号通过C133、R229
分成2路，其中1路由C142耦合后经D54进入声表面滤波器U16（HS9455）输出伴音
中频信号以平衡的方式输入到U17 的23 脚和24 脚。另1路由C148进入声表面滤波器
（HS6274）U18，输出的图像中频信号一样以平衡的方式进入U17的1脚和2脚。另外
U16和U18均有一个制式切换开关，受控于U5，其中U16受控于U17的22脚，U18受
控于U17的第3脚。若是单纯的要求PAL D/K制，声表的控制脚接地即可。伴音中频信号
在U17处置后由第8脚输出伴音信号.图像信号经U17处置后由17脚经R23六、Q20射
随后再经R241 （75Ω）输出全电视信号。此信号进入U8的54和55脚。另外由U17的
14脚AGC电压输出经R233来控制高频头的1脚AGC脚。来自U8的170脚输出的IF-AFT
信号控制U17 的第21 脚。该机采用的高中频处置多用分离件组成，与前期生产的
TPW4233系列有很大的区别，前期的采用均为射频一体化高频头，相对简单一些。在高频
头内进行高中频等处置，处置后可直接输出全电视信号和伴音信号。12脚输出的伴音载波
差频信号经C16五、Q23射随后经R257、C166输出TV-SIFP信号。
此单元重要元件
一、高频头U15
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
含义 AGC NC AS SCL SDA 5VA 5VB NC 33V 空 IF
电压 空 地 5 5 空 33 空 0
说明第9脚的供电是由9V通过升压电路完成。
二、声表面滤波器U1六、U18 （其中HS9455分离出伴音中频、HS6274用于分离
图像中频）。HS9455支持B/G、 D/K、 I、 M/NHS6274 支持D/K? B/G M/N
引脚 1 2 3 4 5
功能 中频输入 控制 地 输出 输出
3、 中频处置芯片U17 TDA9885/TDA9886
TDA9885/TDA9886是PHILIPS公司的中频处置IC，二者均支持（PAL、NTSC），
TDA9886增加支持SECAM功能，本机采用的是TDA9886，该中频块的具体功能如下：
（1） 总线控制图像中频可选（、、38M、、、）；
（2）AFC 数据，进行精准的AFC 控制； （3）AGC中的TOP点通过总线来完成； （4）
4路可选地址； （5）PLL锁相环中频解调器（外挂4M晶体）。
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8
称号 VIF1 VIF2 OUT1 FMPLL DEEM AFD D-GND AUD OUT
含义 差分输入1差分输入2控制输出 频率锁相滤波解调稳压音频输入 地 音频输出
电容 退藕
引脚 9 10 11 12 13 14 15 16
称号 TOP SDA SCL SIOMAD NC T AGC REF V-AGC
含义 射频AGC 总线数据 总线时钟伴音载波差拍输出 空 射频AGC 4M 晶体 视频
AGC 稳压电容
引脚 17 18 19 20 21 22 23 24
称号 CVBS AGNDVPLL VP AFC OP2 SIF1 SIF2
含义 全电视信号 模拟地 视频锁相+5V 供电 AFC 输出 未用 差分 输入 差分输入
内部框图如下：
综上所述，该机采用高中频处置方案和公司前期生产的等离子电视TPW4233M大体一
样。
二、伴音电路
1路AV1伴音、1路PC/YPBPR伴音复用、1路S视频伴音和1路AV2伴音复用输入。
HDMI 自带数字音频输入。各路音频信号输入到U8 MST9U88L 块内在块内进行高音、
低音、平衡、重低音等伴音效果处置后。一路进入伴音功放电路MP7722。另一路进入耳
机功放LM833，驱动耳机发声，还有1路伴音输出（此路伴音不受音量大小调节的控制）。
从U8第85脚输出的伴音信号TV1-L左声道信号，经LM833放大后输出AMP L信
号，由U8 的第86 脚输出AMP R（右声道）信号经LM833 输出AMP R 信号。一路驱
动耳机发声，AMP LIN进入U33 的第2 脚，另一路经进入U33 的15 脚。在块内进行
音效的各项处置后驱动扬声器发声。
LM833是低供电双通道运算放大器。 其主要特点是，低电压噪声、15M带宽、底失
真度%、防静电（2KV）设计、具有较好的频率特性。 内部框图如下：
在线测试电压：
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8
功能 输出 反相输入正相输入地 正相输入反相输入 输出 供电
电压（V） 0 12
静音电路 该机的静音电路和33系列的机型的静音电路大体一致。
遥控静音具体动作进程如下：来自U8的第185脚的AMP MUTE静音控制信号
低电平控制 Q40的B极，Q40截止，Q27、Q41导通，将伴音鼓励信号（AMP L/R）
短路到地，另一路信号控制导通u33第7脚（ENGAGE）电平拉底到0V。该脚声音正常时
为4V.从而让功放块达到静音效果。当U8的185脚高电平时静音解除. N
换台静音是CPU发出一个低电平，该电平的时间稍擅长换台时间，控制U33
在换台时静音.方式遥控静音。
开机静音是利用CPU发出一个低电平，该电平的时间稍擅长换台时间，控制
U33在换台时静音
插耳机时主声道静音是当耳机插入耳机插座时，将静音脚（MP7722 的第7
脚）接地，实现主声道无声。
三、整机外部接口
说明：由于MST 9U19B共有4路音频输入外加一路中频处置过的音频，而本机伴音输
入有2路AV，1路PC，1路YPBPR，1路S端子，共5路，所以端口不够，本机采用伴
音通道复用做法。
AV1输入、AV2输入、AV输出电路、耳机输出
PC信号输入 RGB 信号是由输入接口有VGA 端子输入的R、G、B 信号和HS RGB、
VS RGB 信号，在R、G、B 信号输入的3 个针上别离接有保护压敏电阻。当RGB 输入电
平太高时击穿二极管。将电平拉底，反之，电压底于0V 时，二极管也导通，即确保RGB 的
输入电平在0-5V（不考虑二极管的压降）。
YPBPR信号输入
S-VIDEO输入
CVBS输入 1路是由本机高中放处置取得的CVBS信号，由U17的第17脚输出经Q20
射随后输出经C166进入输入U8。
四、供电图示
五、MST 9U19B的相关资料
超级单芯片，模拟时期终结版
1 1. 2D 视频解码，并有4 组CVBS 输入和2 组S-VIDEO 输入
2 2. NICAM/BTSC/A2/EIA-J 等伴音解码
3 3. 一组HDMI/DVI 输入
4 4. 3 组YPBPR/RGB 输入
5 5. 5 组伴音输入，并有音效处置：高音、低音、平衡、重低音等
6 6. 1000 页图文
7 7. 带OSD的MCU
8 8. 三组AUDIO DAC 提供模拟输出，同时伴音信号I2S 数字输出，无需伴音ADC
9 9. 高性能3D 逐行处置
10 .运动自适用3D降躁处置
11 ADC，内带3 组高速视频切换开关
12 第3 代彩色处置技术
13 .全通道10BIT数字信号处置
14 TX
15 10BIT LVDS。
16 .两层板设计，中高端全系列平台
17 .色彩扩展技术、景深扩展技术和6+1彩色单独可调，可以开窗口对比演示
18 ．设计此芯片考虑到最优化的系统设计以减低系统本钱：具体的方式
19 ．2层板设计。单面贴件，一片DDR存储器实现3D解码和3D逐行高清。该芯片
采用了208 脚PQFP 封装模式，便于生产，芯片高度集成化，也有利于售后维修。
七、集成电路总汇 本机的集成电路明细:
位号 名称 功能
U3/U3 0544M HDMI 电平切换
U6 AP1520 DC-DC 可调稳压块（2A）
U5 LD117A 稳压
U10 ATMEL 24C32 32K 存储器
U9 PS2SL V4040 E0601 4M FLASH
U1 L7805 5V 稳压块
U19 U20 U22 LM833 双通道运算放大器
U8 MST9U19B 图像处置，MCU，SCALER
U6 LD1117A-L50A 5V 稳压
U15 TDQ-6FT/W116H 频率合成式高频头
U33 MP7722 伴音功放
U17 TDA9885TS 锁相环中频处置
U16 HS9455 声音声表面滤波器
U18 HS6274 图像声表面滤波器
D56 uPC574 33V 稳压块
U12 24C02 2K 存储器
Y3 JAS4K/SMD（4 M） 服务TDA9885TS
Y2 JAS14C（） 服务MST9U19A
MST机芯与PHOTOBIA机芯的区别：
方案 PHOTOBIA 机芯 （PWX300+PWX18）
MST9U19A）
项目 HDMI 数字信号处置 无（外加SIL9011 或NOX9011） 有
音效处置 无（外接音效处置MSP34X0G） 有
10 位ADC（数模转换） 有 有
GDD R（双倍数据传输速度） 3 片（PW? X300 1 片 PW X18 2 片）
MST 机芯
（
PCB（线路板） 4 层（双面贴件） 2 层（单面贴件）
MUX 高速切换开关 无（通过外挂P15V330Q 来切换）3 组
3D 视频解码 有 2D
本身芯片 2 只 1 只
八、总线内容：
利用本机遥控器CN-21655，按菜单键到“声音平衡”选项，将数值调为0。持续按动
数字键“0、五、3、2”进入工厂调试状态。屏幕的右上角此时显示一个绿色的“M”。用
“频道增减”键选择要调整的项目，按“音量加减”键调整数据后按“菜单”键退出总线即
可。数据此时已经保留或按遥控“待机”键让机械
待机，或交流关机即可保留调整数据。 分为2组菜单（工厂菜单和设计菜单） FACTORY
MEAU（工厂菜单） 白平衡调整
项目 含义 参考值
RDRV 红驱动 10
GDRV 绿驱动 10
BDRV 蓝驱动 10
RCUT 红截止 117
GCUT 绿截止 122
BCUT 蓝截止 125
BRIGHT- H 高亮度 80
CONTRAST-H 高对比度 80
BRIGHT-L 低亮度 40
CONTRAST-L 低对比度 40
AUTO CALIBRAT（色温）
AUTO COLOR 自动彩色 标准
RED COLOR 红颜色 117
GREEN COLOR 绿颜色 122
BULE COLOR 蓝颜色 125
LOGO（开机屏显） 菜单语言 （多种语言可选如：英文、汉语、西班牙语等。本机只
有2 种菜单语 言可选） COUNTRY （国家选择有多个国家可选） OPTION（选项）
SOURCE 信号源 电视
BRIGHT 0 亮度为0 时10
BRIGHT 50 亮度为50 时 110
BRIGHT 100 亮度为100 时 132
CONTRAST 0对比度为0 时60
CONTRAST 50 对比度为50 时 125
CONTRAST 100 对比度为100 时 170
TOFAC 工厂状态 U
CABLE 连接线 Standard
PIXSHIFTNUMER 像素移动数字 1
FACTORY INT（生产工厂标识） TEST 测试内容有：OFF（关）/白/蓝/黑/红/绿
VERSION 版本
DESIGN MEAU（设计菜单） 图像模式
标准 亮度 50
对比度 50
色度 45
敞亮 亮度 60
对比度 60
色度 50
柔和 亮度 45
对比度 45
色度 45
声音模式
标准 120HZ 11
500HZ 11
1．5KHZ 12
5KHZ 14
10KHZ 14
音乐 120HZ 13
500HZ 11
1．5KHZ 12
5KHZ 14
10KHZ 20
语言 120HZ 6
500HZ 12
1．5KHZ 14
5KHZ 14
10KHZ 14
音量设置 节能 PDP 无此项功能 PIP OPTION （画中画选项） 该机无此项功能 EMI
（电磁骚扰设定） 4
VOLUME 0 无声音时 128
VOLUME 1 声音为1 时79
VOLUME 20 声音为20 时 27
VOLUME 40 声音为40 时 23
VOLUME 100 声音为100 时 9
TVPRESCALER 声音优化 2
九、场效应管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由
两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,
而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制
型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态? 范围大、易于集
成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的壮
大竞争者。在咱们的电视中取得很大的应用，例如咱们熟悉的在高清CRT中的电源/枕校放
大管，平板电视中的电源板，驱动板都大量采用了场效应管，所以了解场效应管的分类、工
作原理及测量方式显的相当重要。
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝
缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管
中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管
MOSFET）；另外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，和最近刚问世的πMOS
场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划
分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有
耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又
分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 二、场效应三极管的型号命名方
式
现行有两种命名方式。第一种命名方式与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场
效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；
C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N 沟
道场效应三极管。
第二种命名方式是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母
代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。? 三、场效应管的参数 场效应管
的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使历时关注以下主要参数： 1）、
I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0 时的漏
源电流。 2）、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时
的栅极电压。 3）、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅
极电压。 4）、gM — 跨导。是表示栅源电压UGS — 对漏极电流I D 的控制能力，即漏
极电流I D 转变量与栅源电压UGS 转变量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参
数。 5）、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS 一按时，场效应管正常工作所能
经受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必需小于BUDS。 6）、
PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏
源耗散功率。使历时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有必然余量。 7）、IDSM — 最
大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不该超过IDSM? 3、场效应管的作用1）、场效应管可应用于放大。由
于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，没必要利用电解电容器。
2）、场效应管很高的输入阻抗超级适合作阻抗变换。常常利用于多级放大器的输入级作阻
抗变换。 3）、场效应管可以用作可变电阻。 4）、场效应管可以方便地用作恒流源。 5）、
场效应管可以用作电子开关。 4、场效应管的测试1）、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极别离对应于晶体管的发射极和集电
极。将万用表置于R×1k档，用两表笔别离测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管
脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余
下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（利用中
接地）。 2）、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔别离碰触另外两个电极。若两次测出的阻
值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换利用，并非影响电路的正常
工作，所以没必要加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间
的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将
管子损坏。 3）、估测场效应管的放大能力 .
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上
的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应
电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生转变，也相当于
D-S极间电阻发生转变，可观察到表针有较大幅度的摆动。若是手捏栅极时表针摆动很小，
说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能
不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使
表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能
有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方式也适用于测MOS管。为了保护MOS
场效应管，必需用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以避免人体感应电荷直接加
到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，成立起电压UGS，再接着测时
表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 五、常常利用处效用管1）、MOS场效应
管?
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor） ，属于绝缘栅型。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最
高可达1KΩ）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。一般是将衬底（基板）与
源极S接在一路。按照导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：
当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增
强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正
确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因此“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高搀杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区
N+，再别离引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总维持等电位。图1（a）
符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，
源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受
栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的
N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形
成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO一、3DO二、3DO4（以上均为单栅管）， 4DO1
（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又超级小，
极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压
（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一路，或装在金属箔内，使G极与S
极呈等电位，避免积累静电荷。管子不历时，全数引线也应短接。在测量时应分外小心，并
采取相应的防静电感办法。
MOS场效应管的检测方式
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后(可以摸水管)，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手
腕上接一条导线与大地连通，令人体与大地维持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先肯定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此
脚就是栅极G。互换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的
那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳
接通，据此很容易肯定S极。
检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的
偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G一、G2。为区分之，可用手别离触摸G一、G2
极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
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MOS场效应晶体管利用注意事项。
MOS场效应晶体管在使历时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管
由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使历时应注意以下规则：（1）
MOS 器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随意拿个塑料袋装。也可用
细铜线把各个引脚连接在一路，或用锡纸包装
掏出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
焊接用的电烙铁必需良好接地。
在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）MOS
器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机械的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）MOS 场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注
意查证原有的保护二极管是不是损坏。 2）、VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS
场效应管。它是继MOSFET以后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS
场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右μA左右）， 还具有耐压高（最高可耐
压1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度
快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之长处集于一身，因此在电压放大器（电
压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正取得普遍应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，
其工作电流大体上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构
特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面
引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重搀杂N+区（源极S）动身，通过P沟道流
入轻搀杂N-漂移区，最后垂直向下抵达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面
积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘
栅型MOS 场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件
四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40一、VN67二、VMPT2等。 VMOS 场效应管
的检测方式
（1）．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档别离测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均
呈无穷大，而且互换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝
缘的。
（2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此按照PN结正、反向电阻存在不同，
可识别S极与D极。用互换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千
欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几
欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于
（典型值）。
（4）．检查跨导? 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D
极，手
持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 注意事项： （1）
VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测
量时应互换表笔的位置。
有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方式中的一、2项再也不适用。
目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器利用。例如美
国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，组成三相桥式结构。
此刻市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应
管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导
gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
利用VMOS管时必需加适合的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4
（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W 七、场效应管与晶体管的比较
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的
情况下，应选用处效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选
用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，
也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换利用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很
多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中取得了普遍的应用。
十、部份故障维修流程
2024年9月20日发(作者：甄翼)
海信TPW32V69等离子彩电原理与维修
该机采用MST 9U19B 机芯，也称之为“M9机芯”。“69”系列外壳，是公司的一款
高级电视。采用LG PDP32F1（852*480）等离子屏，
本机其主要功能特点：
（1） 多媒体功能 具有D-sub 15 针VGA 接口，可以做为高性能电视显示器用，实
现多媒体功能。
（2） 全数字平板显示
整个画面真实完美再现，无边缘模糊和非线性失真等现象。
（3） 多种画质改善电路
3D梳状滤波器，色彩优化等功能，运动画面和静态画面改善电路。
（4） 自动搜索记忆系统 采用频率合成式高频头，可记200个频道。
（5） LVDS 编码技术 通过LVDS编码、解码技术，减低传输噪声。
（6） 多模式宽屏显示
全屏16：九、4：3、缩放一、缩放二、全景等多种宽高比可供选择。
（7） 采用PHILIPS 公司新型D 类声音功放电路。
更高的动态范围内完美再现声音，高效节能。
（8） 中英文菜单可选
（9） 节电保护模式
多媒体端口? 1路PC信号输入、1路HDMI输入、2路视频（AV一、AV2）输入、1
路S视频输入、1路分量信号（YPBPR）输入、3路音频输入、1路音频输出、
一、高中频部份
该机的高中频采用U15和U17组成,射频信号（RF）经高频头U15接收，在内部进行
带通滤波后再进行混频放大后输出38M的中频信号，38M的中频信号通过C133、R229
分成2路，其中1路由C142耦合后经D54进入声表面滤波器U16（HS9455）输出伴音
中频信号以平衡的方式输入到U17 的23 脚和24 脚。另1路由C148进入声表面滤波器
（HS6274）U18，输出的图像中频信号一样以平衡的方式进入U17的1脚和2脚。另外
U16和U18均有一个制式切换开关，受控于U5，其中U16受控于U17的22脚，U18受
控于U17的第3脚。若是单纯的要求PAL D/K制，声表的控制脚接地即可。伴音中频信号
在U17处置后由第8脚输出伴音信号.图像信号经U17处置后由17脚经R23六、Q20射
随后再经R241 （75Ω）输出全电视信号。此信号进入U8的54和55脚。另外由U17的
14脚AGC电压输出经R233来控制高频头的1脚AGC脚。来自U8的170脚输出的IF-AFT
信号控制U17 的第21 脚。该机采用的高中频处置多用分离件组成，与前期生产的
TPW4233系列有很大的区别，前期的采用均为射频一体化高频头，相对简单一些。在高频
头内进行高中频等处置，处置后可直接输出全电视信号和伴音信号。12脚输出的伴音载波
差频信号经C16五、Q23射随后经R257、C166输出TV-SIFP信号。
此单元重要元件
一、高频头U15
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
含义 AGC NC AS SCL SDA 5VA 5VB NC 33V 空 IF
电压 空 地 5 5 空 33 空 0
说明第9脚的供电是由9V通过升压电路完成。
二、声表面滤波器U1六、U18 （其中HS9455分离出伴音中频、HS6274用于分离
图像中频）。HS9455支持B/G、 D/K、 I、 M/NHS6274 支持D/K? B/G M/N
引脚 1 2 3 4 5
功能 中频输入 控制 地 输出 输出
3、 中频处置芯片U17 TDA9885/TDA9886
TDA9885/TDA9886是PHILIPS公司的中频处置IC，二者均支持（PAL、NTSC），
TDA9886增加支持SECAM功能，本机采用的是TDA9886，该中频块的具体功能如下：
（1） 总线控制图像中频可选（、、38M、、、）；
（2）AFC 数据，进行精准的AFC 控制； （3）AGC中的TOP点通过总线来完成； （4）
4路可选地址； （5）PLL锁相环中频解调器（外挂4M晶体）。
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8
称号 VIF1 VIF2 OUT1 FMPLL DEEM AFD D-GND AUD OUT
含义 差分输入1差分输入2控制输出 频率锁相滤波解调稳压音频输入 地 音频输出
电容 退藕
引脚 9 10 11 12 13 14 15 16
称号 TOP SDA SCL SIOMAD NC T AGC REF V-AGC
含义 射频AGC 总线数据 总线时钟伴音载波差拍输出 空 射频AGC 4M 晶体 视频
AGC 稳压电容
引脚 17 18 19 20 21 22 23 24
称号 CVBS AGNDVPLL VP AFC OP2 SIF1 SIF2
含义 全电视信号 模拟地 视频锁相+5V 供电 AFC 输出 未用 差分 输入 差分输入
内部框图如下：
综上所述，该机采用高中频处置方案和公司前期生产的等离子电视TPW4233M大体一
样。
二、伴音电路
1路AV1伴音、1路PC/YPBPR伴音复用、1路S视频伴音和1路AV2伴音复用输入。
HDMI 自带数字音频输入。各路音频信号输入到U8 MST9U88L 块内在块内进行高音、
低音、平衡、重低音等伴音效果处置后。一路进入伴音功放电路MP7722。另一路进入耳
机功放LM833，驱动耳机发声，还有1路伴音输出（此路伴音不受音量大小调节的控制）。
从U8第85脚输出的伴音信号TV1-L左声道信号，经LM833放大后输出AMP L信
号，由U8 的第86 脚输出AMP R（右声道）信号经LM833 输出AMP R 信号。一路驱
动耳机发声，AMP LIN进入U33 的第2 脚，另一路经进入U33 的15 脚。在块内进行
音效的各项处置后驱动扬声器发声。
LM833是低供电双通道运算放大器。 其主要特点是，低电压噪声、15M带宽、底失
真度%、防静电（2KV）设计、具有较好的频率特性。 内部框图如下：
在线测试电压：
引脚 1 2 3 4 5 6 7 8
功能 输出 反相输入正相输入地 正相输入反相输入 输出 供电
电压（V） 0 12
静音电路 该机的静音电路和33系列的机型的静音电路大体一致。
遥控静音具体动作进程如下：来自U8的第185脚的AMP MUTE静音控制信号
低电平控制 Q40的B极，Q40截止，Q27、Q41导通，将伴音鼓励信号（AMP L/R）
短路到地，另一路信号控制导通u33第7脚（ENGAGE）电平拉底到0V。该脚声音正常时
为4V.从而让功放块达到静音效果。当U8的185脚高电平时静音解除. N
换台静音是CPU发出一个低电平，该电平的时间稍擅长换台时间，控制U33
在换台时静音.方式遥控静音。
开机静音是利用CPU发出一个低电平，该电平的时间稍擅长换台时间，控制
U33在换台时静音
插耳机时主声道静音是当耳机插入耳机插座时，将静音脚（MP7722 的第7
脚）接地，实现主声道无声。
三、整机外部接口
说明：由于MST 9U19B共有4路音频输入外加一路中频处置过的音频，而本机伴音输
入有2路AV，1路PC，1路YPBPR，1路S端子，共5路，所以端口不够，本机采用伴
音通道复用做法。
AV1输入、AV2输入、AV输出电路、耳机输出
PC信号输入 RGB 信号是由输入接口有VGA 端子输入的R、G、B 信号和HS RGB、
VS RGB 信号，在R、G、B 信号输入的3 个针上别离接有保护压敏电阻。当RGB 输入电
平太高时击穿二极管。将电平拉底，反之，电压底于0V 时，二极管也导通，即确保RGB 的
输入电平在0-5V（不考虑二极管的压降）。
YPBPR信号输入
S-VIDEO输入
CVBS输入 1路是由本机高中放处置取得的CVBS信号，由U17的第17脚输出经Q20
射随后输出经C166进入输入U8。
四、供电图示
五、MST 9U19B的相关资料
超级单芯片，模拟时期终结版
1 1. 2D 视频解码，并有4 组CVBS 输入和2 组S-VIDEO 输入
2 2. NICAM/BTSC/A2/EIA-J 等伴音解码
3 3. 一组HDMI/DVI 输入
4 4. 3 组YPBPR/RGB 输入
5 5. 5 组伴音输入，并有音效处置：高音、低音、平衡、重低音等
6 6. 1000 页图文
7 7. 带OSD的MCU
8 8. 三组AUDIO DAC 提供模拟输出，同时伴音信号I2S 数字输出，无需伴音ADC
9 9. 高性能3D 逐行处置
10 .运动自适用3D降躁处置
11 ADC，内带3 组高速视频切换开关
12 第3 代彩色处置技术
13 .全通道10BIT数字信号处置
14 TX
15 10BIT LVDS。
16 .两层板设计，中高端全系列平台
17 .色彩扩展技术、景深扩展技术和6+1彩色单独可调，可以开窗口对比演示
18 ．设计此芯片考虑到最优化的系统设计以减低系统本钱：具体的方式
19 ．2层板设计。单面贴件，一片DDR存储器实现3D解码和3D逐行高清。该芯片
采用了208 脚PQFP 封装模式，便于生产，芯片高度集成化，也有利于售后维修。
七、集成电路总汇 本机的集成电路明细:
位号 名称 功能
U3/U3 0544M HDMI 电平切换
U6 AP1520 DC-DC 可调稳压块（2A）
U5 LD117A 稳压
U10 ATMEL 24C32 32K 存储器
U9 PS2SL V4040 E0601 4M FLASH
U1 L7805 5V 稳压块
U19 U20 U22 LM833 双通道运算放大器
U8 MST9U19B 图像处置，MCU，SCALER
U6 LD1117A-L50A 5V 稳压
U15 TDQ-6FT/W116H 频率合成式高频头
U33 MP7722 伴音功放
U17 TDA9885TS 锁相环中频处置
U16 HS9455 声音声表面滤波器
U18 HS6274 图像声表面滤波器
D56 uPC574 33V 稳压块
U12 24C02 2K 存储器
Y3 JAS4K/SMD（4 M） 服务TDA9885TS
Y2 JAS14C（） 服务MST9U19A
MST机芯与PHOTOBIA机芯的区别：
方案 PHOTOBIA 机芯 （PWX300+PWX18）
MST9U19A）
项目 HDMI 数字信号处置 无（外加SIL9011 或NOX9011） 有
音效处置 无（外接音效处置MSP34X0G） 有
10 位ADC（数模转换） 有 有
GDD R（双倍数据传输速度） 3 片（PW? X300 1 片 PW X18 2 片）
MST 机芯
（
PCB（线路板） 4 层（双面贴件） 2 层（单面贴件）
MUX 高速切换开关 无（通过外挂P15V330Q 来切换）3 组
3D 视频解码 有 2D
本身芯片 2 只 1 只
八、总线内容：
利用本机遥控器CN-21655，按菜单键到“声音平衡”选项，将数值调为0。持续按动
数字键“0、五、3、2”进入工厂调试状态。屏幕的右上角此时显示一个绿色的“M”。用
“频道增减”键选择要调整的项目，按“音量加减”键调整数据后按“菜单”键退出总线即
可。数据此时已经保留或按遥控“待机”键让机械
待机，或交流关机即可保留调整数据。 分为2组菜单（工厂菜单和设计菜单） FACTORY
MEAU（工厂菜单） 白平衡调整
项目 含义 参考值
RDRV 红驱动 10
GDRV 绿驱动 10
BDRV 蓝驱动 10
RCUT 红截止 117
GCUT 绿截止 122
BCUT 蓝截止 125
BRIGHT- H 高亮度 80
CONTRAST-H 高对比度 80
BRIGHT-L 低亮度 40
CONTRAST-L 低对比度 40
AUTO CALIBRAT（色温）
AUTO COLOR 自动彩色 标准
RED COLOR 红颜色 117
GREEN COLOR 绿颜色 122
BULE COLOR 蓝颜色 125
LOGO（开机屏显） 菜单语言 （多种语言可选如：英文、汉语、西班牙语等。本机只
有2 种菜单语 言可选） COUNTRY （国家选择有多个国家可选） OPTION（选项）
SOURCE 信号源 电视
BRIGHT 0 亮度为0 时10
BRIGHT 50 亮度为50 时 110
BRIGHT 100 亮度为100 时 132
CONTRAST 0对比度为0 时60
CONTRAST 50 对比度为50 时 125
CONTRAST 100 对比度为100 时 170
TOFAC 工厂状态 U
CABLE 连接线 Standard
PIXSHIFTNUMER 像素移动数字 1
FACTORY INT（生产工厂标识） TEST 测试内容有：OFF（关）/白/蓝/黑/红/绿
VERSION 版本
DESIGN MEAU（设计菜单） 图像模式
标准 亮度 50
对比度 50
色度 45
敞亮 亮度 60
对比度 60
色度 50
柔和 亮度 45
对比度 45
色度 45
声音模式
标准 120HZ 11
500HZ 11
1．5KHZ 12
5KHZ 14
10KHZ 14
音乐 120HZ 13
500HZ 11
1．5KHZ 12
5KHZ 14
10KHZ 20
语言 120HZ 6
500HZ 12
1．5KHZ 14
5KHZ 14
10KHZ 14
音量设置 节能 PDP 无此项功能 PIP OPTION （画中画选项） 该机无此项功能 EMI
（电磁骚扰设定） 4
VOLUME 0 无声音时 128
VOLUME 1 声音为1 时79
VOLUME 20 声音为20 时 27
VOLUME 40 声音为40 时 23
VOLUME 100 声音为100 时 9
TVPRESCALER 声音优化 2
九、场效应管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由
两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,
而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制
型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态? 范围大、易于集
成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的壮
大竞争者。在咱们的电视中取得很大的应用，例如咱们熟悉的在高清CRT中的电源/枕校放
大管，平板电视中的电源板，驱动板都大量采用了场效应管，所以了解场效应管的分类、工
作原理及测量方式显的相当重要。
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝
缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管
中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管
MOSFET）；另外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，和最近刚问世的πMOS
场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划
分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有
耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又
分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 二、场效应三极管的型号命名方
式
现行有两种命名方式。第一种命名方式与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场
效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；
C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N 沟
道场效应三极管。
第二种命名方式是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母
代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。? 三、场效应管的参数 场效应管
的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使历时关注以下主要参数： 1）、
I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0 时的漏
源电流。 2）、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时
的栅极电压。 3）、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅
极电压。 4）、gM — 跨导。是表示栅源电压UGS — 对漏极电流I D 的控制能力，即漏
极电流I D 转变量与栅源电压UGS 转变量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参
数。 5）、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS 一按时，场效应管正常工作所能
经受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必需小于BUDS。 6）、
PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏
源耗散功率。使历时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有必然余量。 7）、IDSM — 最
大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不该超过IDSM? 3、场效应管的作用1）、场效应管可应用于放大。由
于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，没必要利用电解电容器。
2）、场效应管很高的输入阻抗超级适合作阻抗变换。常常利用于多级放大器的输入级作阻
抗变换。 3）、场效应管可以用作可变电阻。 4）、场效应管可以方便地用作恒流源。 5）、
场效应管可以用作电子开关。 4、场效应管的测试1）、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极别离对应于晶体管的发射极和集电
极。将万用表置于R×1k档，用两表笔别离测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管
脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余
下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（利用中
接地）。 2）、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔别离碰触另外两个电极。若两次测出的阻
值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换利用，并非影响电路的正常
工作，所以没必要加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间
的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将
管子损坏。 3）、估测场效应管的放大能力 .
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上
的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应
电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生转变，也相当于
D-S极间电阻发生转变，可观察到表针有较大幅度的摆动。若是手捏栅极时表针摆动很小，
说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能
不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使
表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能
有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方式也适用于测MOS管。为了保护MOS
场效应管，必需用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以避免人体感应电荷直接加
到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，成立起电压UGS，再接着测时
表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 五、常常利用处效用管1）、MOS场效应
管?
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor） ，属于绝缘栅型。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最
高可达1KΩ）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。一般是将衬底（基板）与
源极S接在一路。按照导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：
当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增
强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正
确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因此“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高搀杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区
N+，再别离引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总维持等电位。图1（a）
符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，
源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受
栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的
N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形
成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO一、3DO二、3DO4（以上均为单栅管）， 4DO1
（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又超级小，
极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压
（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一路，或装在金属箔内，使G极与S
极呈等电位，避免积累静电荷。管子不历时，全数引线也应短接。在测量时应分外小心，并
采取相应的防静电感办法。
MOS场效应管的检测方式
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后(可以摸水管)，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手
腕上接一条导线与大地连通，令人体与大地维持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先肯定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此
脚就是栅极G。互换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的
那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳
接通，据此很容易肯定S极。
检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的
偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G一、G2。为区分之，可用手别离触摸G一、G2
极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
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MOS场效应晶体管利用注意事项。
MOS场效应晶体管在使历时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管
由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使历时应注意以下规则：（1）
MOS 器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随意拿个塑料袋装。也可用
细铜线把各个引脚连接在一路，或用锡纸包装
掏出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
焊接用的电烙铁必需良好接地。
在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）MOS
器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机械的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）MOS 场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注
意查证原有的保护二极管是不是损坏。 2）、VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS
场效应管。它是继MOSFET以后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS
场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右μA左右）， 还具有耐压高（最高可耐
压1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度
快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之长处集于一身，因此在电压放大器（电
压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正取得普遍应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，
其工作电流大体上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构
特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面
引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重搀杂N+区（源极S）动身，通过P沟道流
入轻搀杂N-漂移区，最后垂直向下抵达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面
积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘
栅型MOS 场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件
四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40一、VN67二、VMPT2等。 VMOS 场效应管
的检测方式
（1）．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档别离测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均
呈无穷大，而且互换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝
缘的。
（2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此按照PN结正、反向电阻存在不同，
可识别S极与D极。用互换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千
欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几
欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于
（典型值）。
（4）．检查跨导? 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D
极，手
持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 注意事项： （1）
VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测
量时应互换表笔的位置。
有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方式中的一、2项再也不适用。
目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器利用。例如美
国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，组成三相桥式结构。
此刻市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应
管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导
gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
利用VMOS管时必需加适合的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4
（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W 七、场效应管与晶体管的比较
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的
情况下，应选用处效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选
用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，
也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换利用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很
多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中取得了普遍的应用。
十、部份故障维修流程