2024年10月14日发(作者：塔冉)
ios7与ios8存在哪些区别
内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。
电脑硬盘是计算机的最主要的存储设备。硬盘(港台称之为硬碟，英文名：
HardDiskDrive简称HDD全名温彻斯特式硬盘)由一个或者多个铝制或者玻璃制
的碟片组成。
于计算机组成原理来分析：手机和电脑并没有本质的区别，主体结构依然
为输入设备、存储器、运算器、控制器和输出设备，至于某的存储设备实际只
是一个辅助，所以称之为辅助存储器，只是因为人们对于结果的更多需求，所
以它又成为人们似乎“看得着、摸得见”的最重要组成部分--存储。
计算机的组成原理里面这样介绍计算机的存储器：存储器是用来存储程序
和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常
工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器
又称内存储器，而诸如硬盘、SSD等都为辅助存储器。
套用网络上这样一个关于内存和存储的定义，大家可能再也不会弄混淆
了：你口里吃花生就CPU在处理数据，硬盘容量大小就是你的口袋大小(能放多
少花生)，内存大小就是你的手的大小(一次能抓多少出来)。
现如今，无论是手机还是电脑内存都使用了DRAM存储技术。
DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统
内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，
所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信
息就会丢失。
至于存储方面，现如今主要包含两大类技术：HDD(HardDiscDrive)和
NANDFlash，关于HDD在这里就不做过多介绍。NANDFlash全名为
FlashMemory，属于非易失某存储设备(Non-volatileMemoryDevice)，Flash的
内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(FloatingGate)，是真正存储数据的单
元。数据在Flash内存单元中是以电荷(electricalcharge)形式存储的。存储
电荷的多少，取决于图中的外部门(externalgate)所被施加的电压，其控制了
是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷
第 1 页 共 2 页
的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的
阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表
示0;对于nandFlash的数据的写入1，就是控制ExternalGate去充电，使得存
储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。而对于写入0，就是将其放电，电
荷减少到小于Vth，就表示0了。
第 2 页 共
页
2
2024年10月14日发(作者：塔冉)
ios7与ios8存在哪些区别
内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。
电脑硬盘是计算机的最主要的存储设备。硬盘(港台称之为硬碟，英文名：
HardDiskDrive简称HDD全名温彻斯特式硬盘)由一个或者多个铝制或者玻璃制
的碟片组成。
于计算机组成原理来分析：手机和电脑并没有本质的区别，主体结构依然
为输入设备、存储器、运算器、控制器和输出设备，至于某的存储设备实际只
是一个辅助，所以称之为辅助存储器，只是因为人们对于结果的更多需求，所
以它又成为人们似乎“看得着、摸得见”的最重要组成部分--存储。
计算机的组成原理里面这样介绍计算机的存储器：存储器是用来存储程序
和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常
工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器
又称内存储器，而诸如硬盘、SSD等都为辅助存储器。
套用网络上这样一个关于内存和存储的定义，大家可能再也不会弄混淆
了：你口里吃花生就CPU在处理数据，硬盘容量大小就是你的口袋大小(能放多
少花生)，内存大小就是你的手的大小(一次能抓多少出来)。
现如今，无论是手机还是电脑内存都使用了DRAM存储技术。
DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统
内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，
所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信
息就会丢失。
至于存储方面，现如今主要包含两大类技术：HDD(HardDiscDrive)和
NANDFlash，关于HDD在这里就不做过多介绍。NANDFlash全名为
FlashMemory，属于非易失某存储设备(Non-volatileMemoryDevice)，Flash的
内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(FloatingGate)，是真正存储数据的单
元。数据在Flash内存单元中是以电荷(electricalcharge)形式存储的。存储
电荷的多少，取决于图中的外部门(externalgate)所被施加的电压，其控制了
是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷
第 1 页 共 2 页
的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的
阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表
示0;对于nandFlash的数据的写入1，就是控制ExternalGate去充电，使得存
储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。而对于写入0，就是将其放电，电
荷减少到小于Vth，就表示0了。
第 2 页 共
页
2