各品牌闪存-USB迷|专注于互联网分享

2024年10月21日发(作者：洛妙双)

各品牌SDRAM代换表

Org

1*16

4*16

2*32

8*16

16*16

Org

1*16

4*16

2*32

8*16

16*16

各品牌DDR代换表

Org

8*16

16*16

32*16

Hynix(韩国现代)

HY5DU281622

HY5DU2561622

HY5DU121622

Samsung(韩国三星)

K4H561638

K4H511638

Winbond(台湾华邦)

W9413G6IH

W9425G6EH

Elpida(日本尔必达)

EDD1216AJTA

EDD2516AETA

EDD5116AGTA

Nanya(台湾南亚)

NT5DS8M16FS

NT5DS16M16CS

NT5DS32M16CS

Hynix(韩国现代)

HY57V161610

HY57V641620

HY57V643220

HY57V281620

HY57V561620

Etron(台湾钰创)

EM636165

EM638165

EM638325

EM639165

Samsung(韩国三

Winbond(台湾华邦)

星)

K4S641632

K4S643232

K4S281632

K4S561632

ISSI(美国)

IS42S16100

IS42S16400

IS42S32200

IS42S16800

IS42S16160

W9816G6

W9864G6

W9812G6

W9825G6

Icsi(台湾)

IC42S16100

IC42S16400

IC42S32200

IC42S16800

IC42S16160

Elpida(日本尔必达)

EDS1616A

EDS6416A

EDS1216A

EDS2516A

Micron(美国美光)

MT48LC1M16

MT48LC4M16

MT48LC2M32

MT48LC8M16

MT48LC16M16

Esmt(台湾晶豪)

M12L16161A

M12L64164A

M12L64322A

M12L128168A

Infineon(德国英飞凌)

HYB39S16160

HYB39S64160

HYB39S128160

HYB39S256160

64*8

HY5DU12822 K4H510838 EDD5108AGTA

各品牌Spi Flash代换表

Density Winbond 华邦SPI

16M

32M

64M

128M

W25X10AVSNIG

W25X20AVSNIG

W25X40BVSNIG

W25D80VSSIG

W25Q16BVSSIG

W25Q32BVSSIG

W25Q64BVSSIG

W25Q128BVFIG

Amic 联笙SPI

A25L010O-F

A25L020O-F

A25L040O-F

A25L080M-F

A25L016M-F

A25L032M-F

A25L064M-F

NANTRONICS智

隆SPI

N25S40-100NE

Eon 宜扬SPI

EN25F10-100GIP

EN25F20-100GIP

EN25F40-100GIP

EN25F80-100HIP

EN25F16-100HIP

EN25Q32-100HIP

EN25B64-100FIP

GIGADEVICE 兆易

SPI

GD25Q40TCP

GD25Q80SCP

GD25Q16SCP

GD25Q32SIP

Numonyx 恒忆SPI

M25P10-AVMN6TP/X

M25P20-VMN6TPB

M25P40-VMN(MW)6TPB

M25P80-VMN(MW)6T/P

M25P16--VMN(MW)6TP

M25P32-VMW6TPBA

M25P64-VMW7TPBA

KH 港宏SPI

KH25L1005MC-15G

KH25L2005MC-15G

KH25L4006AM2C-15G

KH25L8006M2C-15G

KH25L1606DM2I-12G

KH25L3206DM2I-12G

SST 超捷SPI

SST25VF010A-33-4C-SAE

SST25VF020A-33-4C-SAE

SST25VF040B-50-4C-S2AF

SST25VF080B-50-4C-S2AF

SST25VF016B-50-4C-S2AF

SST25VF032B-66-4I-S2AF

SST25VF064B-66-4I-S2AF

MXIC 旺宏SPI

MX25L1005MI-12G

MX25L2005MI-12G

MX25L4006AM2I-12G

MX25L8006EM2I-12G

MX25L1606EM2I-12G

MX25L3206EM2I-12G

Density SPANSION 飞索SPI

16M

S25FL004A0LMF1011

S25FL008A0LMF1011 N25S80-100HE

S25FL016A0LMF1011 N25S16-100HE

32M S25FL032POXMF1011 N25S32- 100HE

64M S25FL064POXMF1001

128M

GD25Q64BFIP

KH25L6406DM2I-12G

MX25L6406EM2I-12G

MX25L12845EMI-10G

各品牌Parallel Flash代换表

AMD FUJITSU SPANSION ST EON SST ESI

AM29LV400BB-70EC MBM29LV400BC-70TN S29AL004D70-TAI020 M29W400DB-70N1 EN29LV400AB-70TC SST39VF400A-70-4C-EK ES29LV400FB-70T

AM29LV400BB-70EF MBM29LV400BC-70TN-K S29AL004D70-TFI020 M29W400DB-70N1E EN29LV400AB-70TCP SST39VF400A-70-4C-EKE ES29LV400FB-70TG

AM29LV400BT-70EC MBM29LV400TC-70TN S29AL004D70-TAI010 M29W400DT-70N1 EN29LV400T-70TC ES29LV400FI-70T

MBM29LV400TC-70TN-K S29AL004D70-TFI010 M29W400DT-70N1E EN29LV400T-70TCP ES29LV400FI-70TG

AM29LV800BB-70EI MBM29LV800BE-70TN S29AL008D70-TAI020 M29W800DB-70N1 EN29LV800AB-70TC SST39VF800A-70-4C-EK ES29LV800FB-70T

AM29LV800DB-70EF MBM29LV800BE-70TNK S29AL008D70-TFI020 M29W800DB-70N1E EN29LV800AB-70TCP SST39VF800A-70-4C-EKE ES29LV800FB-70TG

AM29LV800BT-70EC MBM29LV800TE-70TNEK S29AL008D70-TAI010 M29W800DT-70N1 EN29LV800AT-70TC ES29LV800FT-70T

AM29LV800DT-70EF MBM29LV800TE-70TNKEI S29AL008D70-TFI010 M29W800DT-70N1E EN29LV800AT-70TCP ES29LV800FT-70TG

AM29LV160DB-70EC MBM29LV160BE-70TN S29AL016D70-TAI020 M29W160EB-70N1 EN29LV160AB-70TC SST39VF1601-70-4C-EK ES29LV160FB-70T

16M

MBM29LVBE-70TNKEI S29AL016D70-TFI020 M29W160EB-70N1E EN29LV160AB-70TCP SST39VF1601-70-4C-EKE ES29LV160FB-70TG

AM29LV160DF-70EC MBM29LVTE-70TN S29AL016D70-TAI010 M29W160ET-70N1 EN29LV160AT-70TC ES29LV160FT-70T

MBM29LV160TE-70TNEKI S29AL016D70-TFI010 M29W160ET-70N1E EN29LV160AT-70TCP ES29LV160FT-70TG

现在仍然有很多刚入行的工程师对快闪记忆体的SLC和MLC不知如何识别

只知道价格便宜是MLC，价格高的就是SLC，如何区分还是一知半解。

我们就拿正在走下坡路的MP4作为案例，是买SLC还是MLC快闪记忆体好呢？在这里我先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器品质、

资料的安全性、读和取速度、机器寿命等多方面要求较高时，那么SLC肯定是你的首选。但是大容量的SLC记忆体成本要比MLC记忆体成本高

很多，所以针对2G以上的大容量市场，低价格的MP4多采用MLC记忆体。大容量、低价格的MLC记忆体自然是受大家的表睐。但它也有先天

性的缺点，需要我们对其进行详细了解一番。

什么SLC？

SLC英文全称（Sigle Level Cell---- SLC）既单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

SLC技术特点是在浮置栅极与源极之中的氧化薄腊更薄，在写入资料时通过对浮置栅极的电荷加电压，然后通过源极，既可将所储存的电荷

消除，通过这样的方式，便可储存1个资讯单元，这种技术能提供快速的程式编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由

先进的工艺流程来强化技术，才能向上提升SLC制程技术。

什么是MLC？

MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC) 既多层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

英特尔在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的资讯存入一个Floating Gate（快闪记忆体存储单元中存放电荷的部分），然

后利用不同电位的电荷，通过记忆体储存的电压精准控制其读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两单元资料，资料密度比较大。

SLC架构有0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值。因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

SLC相对于MLC的优势：

目前市场上主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上

的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用旧的生产设备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的双重优势。

与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改造，MLC的读写性可得到进一步提升。

SLC相对于MLC的劣势：

MLC架构有很多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以存取10万次，而MLC架构只能存取1万次。

其次就是存取速度慢，在目前的技术条件下，MLC晶片理论速度只能达到2MB左右。SLC架构比MLC架构要快三倍以上。

最后，MLC功耗比SLC高，在相同情况下比SLC要多15左右的电流消耗。

我们从以上几个功能参数方面与SLC相比，很明显

MLC

处于劣势，不过由于MLC架构和成本都具有不可比拟的优势，在技术区分越来越不明

显的今天。市场价格低永远是不二定议。所以工厂首选还是

MLC

的NAND FLASH。工艺上的快速发展也能满足未来2GB、4GB、8GB、16GB甚

至更大容量的市场需求。

NOR和

NAND

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel

于

1988

年首先开发出

NORflash

技术，彻底改变了原先由

EPROM

和

EEPROM

一统天下的局面。

紧接着，

1989

年，东芝公司发表了

NAND flash

结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多

年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清

NOR

和

NAND

闪存。

相

"flash

存储器

经常可以与相

"NOR

存储器

互换使用。许多业内人士也搞不清楚

NAND

闪存技术相对于

NOR

技术的优越之处，因为大多数情况下

闪存只是用来存储少量的代码，这时

NOR

闪存更适合一些。而

NAND

则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR

的特点是芯片内执行

(XIP, eXecute In Place)

，这样应用程序可以直接在

flash

闪存内运行，不必再把代码读到系统

RAM

中。

NOR

的传输效率很高，在

～

4MB

的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND

结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用

NAND

的困难在于

flash

的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何

flash

器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所

以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND

器件执行擦除操作是十分简单的，而

NOR

则要求在进行擦除前先要将目标块内所有

的位都写为

。

由于擦除

NOR

器件时是以

～

128KB

的块进行的，执行一个写入

擦除操作的时间为

，与此相反，擦除

NAND

器件是以

～

32KB

的块进行的，执行相

同的操作最多只需要

4ms

。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了

NOR

和

NADN

之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作

(

尤其是更新小文件时

)

，

更多的擦除操作必须在基于

NOR

的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

● NOR

的读速度比

NAND

稍快一些。

● NAND

的写入速度比

NOR

快很多。

● NAND

的

4ms

擦除速度远比

NOR

的

快。

●

大多数写入操作需要先进行擦除操作。

● NAND

的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别

NOR flash带有

SRAM

接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND

器件使用复杂的

I/O

口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。

个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND

读和写操作采用

512

字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于

NAND

的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本

NAND flash

的单元尺寸几乎是

NOR

器件的一半，由于生产过程更为简单，

NAND

结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价

格。

NOR flash

占据了容量为

～

16MB

闪存市场的大部分，而

NAND flash

只是用在

～

128MB

的产品当中，这也说明

NOR

主要应用在代码存储介质中，

NAND

适合

于数据存储，

NAND

在

CompactFlash

、

Secure Digital

、

PC Cards

和

MMC

存储卡市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性

采用

flahs

介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展

MTBF

的系统来说，

Flash

是非常合适的存储方案。可以从寿命

(

耐用性

)

、位交换和

坏块处理三个方面来比较

NOR

和

NAND

的可靠性。

寿命

(

耐用性

)

在

NAND

闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而

NOR

的擦写次数是十万次。

NAND

存储器除了具有

比

的块擦除周期优势，典型的

NAND

块尺寸要比

NOR

器件小

倍，每个

NAND

存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

位交换

所有

flash

器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下

(

很少见，

NAND

发生的次数要比

NOR

多

)

，一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决

了。

当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测

错误更正

(EDC/ECC)

算法。位反转的问题更多见于

NAND

闪存，

NAND

的供应商建议使用

NAND

闪

存的时候，同时使用

EDC/ECC

算法。

这个问题对于用

NAND

存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须

使用

EDC/ECC

系统以确保可靠性。

坏块处理

NAND

器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。

NAND

器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将

导致高故障率。

易于使用

可以非常直接地使用基于

NOR

的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。

由于需要

I/O

接口，

NAND

要复杂得多。各种

NAND

器件的存取方法因厂家而异。

在使用

NAND

器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向

NAND

器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写

入，这就意味着在

NAND

器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读

写

擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在

NOR

器件上运行代码不需要任何的软件支持，在

NAND

器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序

(MTD )

，

NAND

和

NOR

器件在进行写入和擦除操作时都需要

MTD

。

使用

NOR

器件时所需要的

MTD

要相对少一些，许多厂商都提供用于

NOR

器件的更高级软件，这其中包括

M-System

的

TrueFFS

驱动，该驱动被

Wind River System

、

Microsoft

、

QNX Software System

、

Symbian

和

Intel

等厂商所采用。

驱动还用于对

DiskOnChip

产品进行仿真和

NAND

闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。