2023年12月2日发(作者：召良吉)
一、 WCT-120测试结果分析与讨论
同一个制程的Multi-Crystalline raw wafer 以PL 为影像可测得以下的图像
Sample 1 Sample 2
Sample 3
由PL 影像可看出亮区越多，Lifetime 愈大，可目视得知Lifetime Sample 2>Sample 3>
Sample1。
由以下测试结果也可看出lifetime 也是Sample 2> Sample 3> Sample 1。
Results of Measurement
Lifetime at
Spec. MCD
(µs)
0.64
1.24
0.98
Max MCD
3.3E+14
5.6E+14
4.8E+14
Avg. Inv.
Lifetime
8.1E+05
5.7E+05
9.3E+05
J0 (A/cm2)
2.84E-10
1.54E-10
2.32E-11
Ohms/sq
65.2
85.8
69.6
Ohm-cm
1.17
1.54
1.25
Doping
(cm-3)
4.7E+15
4.7E+15
4.7E+15
Sample 1
Sample 2
Sample 3
测试Sample 如下：
Mono raw wafer Sample (1~4) Mono Polish wafer Sample (5~8)
Mono SiN wafer Sample (9~12)
Multi raw wafer Sample (13~16) Multi Polish wafer Sample (17~20)
Multi SiN wafer Sample (21~24)
测试结果如下:
Lifetime at
Carrier
Density to
Test Wafers evaluate Tau
specified
carrier
density Max MCD Ohms/sq Ohm-cm
Tau fit ((µs))
(intercept @
-NA) bulk
lifetime
Jo (A/cm2) 25
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1.52E+14
1.46E+14
1.46E+14
1.47E+14
0.91
0.90
0.89
0.89
0.84
11.97
12.30
4.17
124.70
114.34
106.11
106.57
0.96
0.93
0.95
0.97
1.62
3.53
3.22
1.78
49.39
48.86
46.30
44.08
1.78E+14
1.72E+14
1.71E+14
1.73E+14
1.62E+14
8.55E+14
1.41E+15
8.00E+14
9.31E+15
9.66E+15
9.17E+15
9.52E+15
1.87E+14
1.78E+14
1.83E+14
1.89E+14
3.23E+14
7.11E+14
6.47E+14
1.41E+14
3.27E+15
6.14E+15
6.41E+15
5.90E+15
81.15
81.99
81.29
82.29
100.38
99.65
98.97
100.32
99.10
99.60
98.85
99.32
69.35075
71.08059
69.86093
70.67234
87.48911
86.5112
86.60385
86.25901
85
84
84
85
4.26
4.30
4.27
4.32
5.27
5.23
5.20
5.27
5.20
5.23
5.19
5.21
3.640914
3.731731
3.667699
3.710298
4.593178
4.541838
4.546702
4.528598
4.4
4.4
4.4
4.5
0.31
0.40
0.33
0.30
0.12
1.39
1.85
0.69
-277.67
-939.81
-150.72
-501.87
0.148086
0.153128
0.275617
0.248228
0.080201
0.318864
0.272624
0.041263
54.2
46.0
51.5
87.8
-1.12E-10
-7.72E-11
-1.14E-10
-1.13E-10
-3.35E-10
-2.71E-11
-1.79E-11
-4.83E-11
4.50E-13
3.92E-13
6.17E-13
4.41E-13
1.37E+14
7.77E+14
1.00E+15
6.80E+14
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.59E+14
1.51E+14
1.56E+14
1.61E+14
2.74E+14
6.05E+14
5.5E+14
1.2E+14
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
-2.5E-10
-2.4E-10
-1.1E-10
-1.7E-10
-4.8E-10
-1.1E-10
-1.3E-10
-1E-09
6.94E-14
-5.00E-14
8.25E-14
4.33E-13 二、 Suns-Voc测试结果分析与讨论
放入15 ,16, 17 % 效率所量测的结果 (Endeas IV Simulator 数据及Sinton 数据做比较)
G#9-1
NS1
NS3
NS4
NS7
NS8 -1
NS9
Pseudo "Efficiency" Cell eff % Deviation %
16.56
16.96
17.15
17.23
17.56
17.65
17.72
15.67
15.51
15.63
15.79
16.19
16.23
16.17
0.89
1.45
1.52
1.44
1.37
1.42
1.55
2023年12月2日发(作者：召良吉)
一、 WCT-120测试结果分析与讨论
同一个制程的Multi-Crystalline raw wafer 以PL 为影像可测得以下的图像
Sample 1 Sample 2
Sample 3
由PL 影像可看出亮区越多，Lifetime 愈大，可目视得知Lifetime Sample 2>Sample 3>
Sample1。
由以下测试结果也可看出lifetime 也是Sample 2> Sample 3> Sample 1。
Results of Measurement
Lifetime at
Spec. MCD
(µs)
0.64
1.24
0.98
Max MCD
3.3E+14
5.6E+14
4.8E+14
Avg. Inv.
Lifetime
8.1E+05
5.7E+05
9.3E+05
J0 (A/cm2)
2.84E-10
1.54E-10
2.32E-11
Ohms/sq
65.2
85.8
69.6
Ohm-cm
1.17
1.54
1.25
Doping
(cm-3)
4.7E+15
4.7E+15
4.7E+15
Sample 1
Sample 2
Sample 3
测试Sample 如下：
Mono raw wafer Sample (1~4) Mono Polish wafer Sample (5~8)
Mono SiN wafer Sample (9~12)
Multi raw wafer Sample (13~16) Multi Polish wafer Sample (17~20)
Multi SiN wafer Sample (21~24)
测试结果如下:
Lifetime at
Carrier
Density to
Test Wafers evaluate Tau
specified
carrier
density Max MCD Ohms/sq Ohm-cm
Tau fit ((µs))
(intercept @
-NA) bulk
lifetime
Jo (A/cm2) 25
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1.52E+14
1.46E+14
1.46E+14
1.47E+14
0.91
0.90
0.89
0.89
0.84
11.97
12.30
4.17
124.70
114.34
106.11
106.57
0.96
0.93
0.95
0.97
1.62
3.53
3.22
1.78
49.39
48.86
46.30
44.08
1.78E+14
1.72E+14
1.71E+14
1.73E+14
1.62E+14
8.55E+14
1.41E+15
8.00E+14
9.31E+15
9.66E+15
9.17E+15
9.52E+15
1.87E+14
1.78E+14
1.83E+14
1.89E+14
3.23E+14
7.11E+14
6.47E+14
1.41E+14
3.27E+15
6.14E+15
6.41E+15
5.90E+15
81.15
81.99
81.29
82.29
100.38
99.65
98.97
100.32
99.10
99.60
98.85
99.32
69.35075
71.08059
69.86093
70.67234
87.48911
86.5112
86.60385
86.25901
85
84
84
85
4.26
4.30
4.27
4.32
5.27
5.23
5.20
5.27
5.20
5.23
5.19
5.21
3.640914
3.731731
3.667699
3.710298
4.593178
4.541838
4.546702
4.528598
4.4
4.4
4.4
4.5
0.31
0.40
0.33
0.30
0.12
1.39
1.85
0.69
-277.67
-939.81
-150.72
-501.87
0.148086
0.153128
0.275617
0.248228
0.080201
0.318864
0.272624
0.041263
54.2
46.0
51.5
87.8
-1.12E-10
-7.72E-11
-1.14E-10
-1.13E-10
-3.35E-10
-2.71E-11
-1.79E-11
-4.83E-11
4.50E-13
3.92E-13
6.17E-13
4.41E-13
1.37E+14
7.77E+14
1.00E+15
6.80E+14
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.59E+14
1.51E+14
1.56E+14
1.61E+14
2.74E+14
6.05E+14
5.5E+14
1.2E+14
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
1.00E+15
-2.5E-10
-2.4E-10
-1.1E-10
-1.7E-10
-4.8E-10
-1.1E-10
-1.3E-10
-1E-09
6.94E-14
-5.00E-14
8.25E-14
4.33E-13 二、 Suns-Voc测试结果分析与讨论
放入15 ,16, 17 % 效率所量测的结果 (Endeas IV Simulator 数据及Sinton 数据做比较)
G#9-1
NS1
NS3
NS4
NS7
NS8 -1
NS9
Pseudo "Efficiency" Cell eff % Deviation %
16.56
16.96
17.15
17.23
17.56
17.65
17.72
15.67
15.51
15.63
15.79
16.19
16.23
16.17
0.89
1.45
1.52
1.44
1.37
1.42
1.55