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2024年2月18日发(作者：乘壤)

屹晶微电子有限公司 EG2136芯片数据手册V1.0

三相半桥电路驱动芯片

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版本号

V1.0

日期描述

2016年11月18日 EG2136数据手册初稿

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屹晶微电子有限公司 EG2136芯片数据手册V1.0

三相半桥电路驱动芯片

特点 ..................................................................................................................................................................... 4

描述 ..................................................................................................................................................................... 4

应用领域 ............................................................................................................................................................. 4

引脚 ..................................................................................................................................................................... 5

4.1 引脚定义 ............................................................................................................................................. 5

4.2 引脚描述 ............................................................................................................................................. 5

结构框图 ............................................................................................................................................................. 6

典型应用图 ......................................................................................................................................................... 7

电气特性 ............................................................................................................................................................. 7

7.1 极限参数 ............................................................................................................................................. 7

7.2 典型参数 ............................................................................................................................................. 8

7.3 功能描述 ........................................................................................................................................... 10

7.4 逻辑时序图 ....................................................................................................................................... 10

封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 13

8.1 SOP28L封装尺寸 ............................................................................................................................... 13

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三相半桥电路驱动芯片

EG2136芯片数据手册V1.0

1. 特点

 高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V

 适应5V或者3.3V输入电压



输出电流能力+0.2A/-0.35A

欠压保护

使能控制

输入输出相反

外部设置清理时间

高低端通道匹配

过流保护关断六通道输出

集成三个独立的半桥驱动器

内建死区控制电路

自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

封装形式：SOP28L

2. 描述

EG2136是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。

3. 应用领域



三相电机驱动

DC-AC逆变

开关电源

空调、冰箱、洗衣机

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4. 引脚

4.1 引脚定义

26252423VCCHIN1HIN2HIN3LIN1LIN2LIN3FAULTITRIPENRCINVSSCOMLO3VB1HO1VS1NCVB2HO2VS2NCVB3HO3VS3NCLO1LO2EG213622212

图4-1. EG2136管脚定义

4.2 引脚描述

引脚序号引脚名称 I/O 描述

2,3,4

5,6,7

14,15,16

17,21,25

18,22,26

19,23,27

20,24,28

VCC

HIN1,2,3

LIN1,2,3

FAULT

ITRIP

RCIN

VSS

COM

LO3,2,1

VS3,2,1

HO3,2,1

VB3,2,1

低端电源电压

高端输入（负逻辑）

低端输入（负逻辑）

过流或者低端欠压闭锁的故障指示（负逻辑）

过流保护输入端

使能端

外接RC元件，确定故障清楚延时

地

低端栅极驱动公共端

低端输出

空脚

高端浮动偏移电压

高端输出

高端浮动绝对电压

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5. 结构框图

电平位移脉冲滤波欠压检测延时驱动16LO128VB1驱动27HO126VS1HIN12滤波LIN15滤波死区控制和闭锁控制HIN23滤波LIN26滤波死区控制和闭锁控制电平位移脉冲滤波欠压检测延时24VB2驱动23HO222VS2驱动15LO2HIN34滤波LIN37滤波死区控制和闭锁控制电平位移脉冲滤波欠压检测延时20VB3驱动19HO318VS3驱动14LO313COM欠压检测EN10滤波数字逻辑控制1VCC8FAULTRCIN110.5VVSS129ITRIP

图5-1. EG2136结构框图

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6. 典型应用图

FR10715V600VVCCHIN1,2,3LIN1,2,3FAULATENR12MC10.1uFC21nFR2R3RCINITRIPVSSHIN1,2,3LIN1,2,3FAULATENVB1,2,3HO1,2,3VS1,2,3C31N4148R410uFEG21361N4148LO1,2,3COMR5OUT

图6-1. EG2136典型应用电路图

7. 电气特性

7.1 极限参数

无另外说明，在TA=25℃条件下，所有电压均以COM为参考点

符号

自举高端VB电源

高端悬浮地端

高端输出

低端输出

参数名称

测试条件

最小

-0.3

VB1,2,3-25

VS1,2,3-0.3

-0.3

最大

600

VB1,2,3+0.3

VCC+0.3

单位

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电源

地

VCC

VSS

HIN1,2,3

LIN1,2,3

VRCIN

VFAULT

ITRIP

T=10S

-0.3

VCC-25

-0.3

VSS-0.3

VSS

-40

-55

-0.3

VCC+0.3

125

150

300

℃

高通道逻辑信号输入电平

低通道逻辑信号输入电平

RCIN输入电压

FAULT输入电压

EN输入电压

ITRIP输入电压

Tstr

环境温度

储存温度

焊接温度

注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。

7.2 典型参数

无另外说明，在TA=25℃，VCC=VBS1,2,3=15V,VS1,2,3=VSS=COM,CL=1nF

参数名称符号测试条件最小典型

电源

输入逻辑信号高电位

输入逻辑信号低电位

EN使能电压

ITRIP过流检测电压

ITRIP过流迟滞电压

RCIN 端检测电压

RCIN 端迟滞电压

VCC/VBS欠压复位电压

VCC/VBS欠压检测电压

VCC/VBS欠压迟滞电压

静态电流

VCC

VIH

VIL

VTH+

VTH-

VITTH

VITHYS

VRCINTH

VRCINHYS

VCCUV+

VBSUV+

VCCUV-

VBSUV-

VCCUVH

VBSUVH

Icc

HIN1,2,3=LIN1,2,3

最大单位

0.8

3.0

0.55

9.8

9.0

1.5

3.0

0.8

0.37

8.0

7.4

0.3

0.46

0.07

8.9

8.2

0.7

1.0

VIN=5，VCC=15V

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VBS静态电流

悬浮浮动电源漏电流

EN使能关闭电流

IO输出拉电流

IO输出灌电流

高电平输出电压

低电平输出电压

RCIN低通电阻

输出上升沿时间

输出下降沿时间

输出上升沿延时时间

输出下降沿延时时间

EN使能关闭延时时间

ITRIP过流保护延时

ITRIP前沿消隐时间

ITRIP到FAULT传输延迟时间

输入滤波时间

RCIN 重置时间

死区时间

高低端延时匹配

三通道导通和关闭延时匹配

输入和输出脉冲宽度匹配

FAULT低通电阻

IBS

ILK

IEN

IO+

IO-

VOH

VOL

RONRCIN

RONFAULT

ton

toff

tEN

tITRIP

tbl

tFLT

tFILIN

tFLTCLR

MDT

VIN=5

VB1,2,3=VS1,2,3=600V

VEN=0

Vo=0V,VIN=VIH

PW≤10uS

Vo=12V,VIN=VIL

PW≤10uS

IO=25 mA

VIN,VEN=0V或5V

VITRIP=5V

VIN=0V或5V ,VITRIP=5V

VIN=0V或5V

VIN=0V或5V ,VITRIP=0V

VIN=0V或5V

|pwin-pwout|

300

250

300

500

100

400

100

1.3

220

200

350

14.2

0.2

125

425

400

450

750

150

600

200

1.65

290

1.0

100

190

550

600

1000

800

360

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7.3 功能描述

EG2136是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，正常工作输出时，LO和HO分别与输入LIN和HIN的信号保持逻辑反相。EG2136同时具备欠压（UV）保护功能，当VCC的电压低于欠压保护检测电压时，三个通道的LO和HO均输出低电平，当VBS的电压低于欠压保护检测电压时，HO输出低电平，LO正常响应LIN的信号。该功能防止被驱动的MOSFET或IGBT工作在高电压高电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。EG2136还具备输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。EG2136内置死区时间，防止被驱动的两个功率MOS管或IGBT因直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。EG2136集成过流保护功能，并能指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。

7.4 逻辑时序图

1. 输入输出逻辑时序图：

HIN1,2,3LIN1,2,3ENITRIPFAULTRCINHO1,2,3LO1,2,3图7-1. 输入输出逻辑波形图

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2. 输入信号和输出信号逻辑真值表：

VCC VBS ITRIP ENABLE FAULT LO1,2,3

0（注1）

15V

高阻

15V 15V 0V 5V LIN1,2,3

高阻

15V 15V >VITRIP 5V 0

0（注2）

15V 15V 0V 0V 0

高阻

注1：直通保护防止LO1,2,3与HO1,2,3同时导通。

注2：当VCC> VCCUV-，VCCUV-并不会锁定，FAULT变为高阻。

注3：当ITRIP< VITRIP，RCIN电压大于8V（@VCC=15V），FAULT变为高阻。

3. 开关时间波形：

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HO1,2,3

HIN1,2,3

LIN1,2,3HIN1,2,3LIN1,2,3HIN1,2,3ton50%pwin50%tr50%50%toffpwout90%10%90%10%tfHO1,2,3LO1,2,3

4. 使能关断波形：

图7-2. 开关时间波形图

EN50%ten90%HO1,2,3LO1,2,3

图7-3. 使能关断波形图

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5. 死区时间波形：

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LIN1,2,3HIN1,2,3LIN1,2,3HIN1,2,3LO1,2,3HO1,2,350%50%50%50%50%DT50%50%DT50%

图7-4. 死区时间波形图

6. 过流保护波形：

RCINVrcinth+ITRIPFAULTAny

output

7. 欠压保护波形：

50%50%tflt50%50%90%titriptfltclr

图7-5. 过流保护波形图

VCCFAULTLO1,2,3图7-6. 欠压保护波形图

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8. 输入噪声滤波波形：

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tFLTINtFLTINLIN1,2,3HIN1,2,3HO1,2,3LO1,2,3LIN1,2,3HIN1,2,3HO1,2,3LO1,2,3

lowhightFLTINtFLTIN

图7-8. 输入噪声滤波波形图

8. 封装尺寸

8.1 SOP28L封装尺寸

DcSYMBOLMINNOMMAXAA1A2A3bb1cc1DEE1eLL1c1cMILLIMETERA3A2AA1θLL1-0.10--2.650.302.252.302.350.971.021.070.39--0.470.380.410.440.250.290.260.240.2517.9018.0018.1010.1010.3010.507.407.507.601.27BSC0.70E1Eb1BASE

METAL0.25b--1.001.40REF08°θbeBBWITH PLATING

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