2024年3月11日发(作者：镇语心)
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Community
CSD19538Q2
ZHCSF65A–JULY2016–REVISEDJANUARY2017
CSD19538Q2100VN沟道NexFET™功率MOSFET
1特性
•
•
•
•
•
•
•
超低Q
g
和Q
gd
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线(SON)2mmx2mm塑料封装
产品概要
T
A
=25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS(on)
V
GS(th)
漏源电压
栅极电荷总量(10V)
栅极电荷（栅极到漏极）
漏源导通电阻
阈值电压
V
GS
=6V
V
GS
=10V
3.2
典型值
100
4.3
0.8
58
49
单位
V
nC
nC
mΩ
V
2应用
•
•
•
以太网供电(PoE)
电源设备(PSE)
电机控制
器件信息
(1)
器件
CSD19538Q2
CSD19538Q2T
数量
3000
250
7英寸卷带
包装介质封装
SON
2.00mmx2.00mm
塑料封装
运输
卷带
封装
(1)要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
3说明
这款100V、49mΩ、采用2mm×2mmSON封装的
NexFET™功率MOSFET被设计成在功率转换应用中
大大降低损耗。
顶视图
T
A
=25°C
V
DS
V
GS
漏源电压
栅源电压
绝对最大额定值
值
100
±20
14.4
13.1
4.6
34.4
2.5
20.2
-55至150
8
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
持续漏极电流（受封装限制）
I
D
持续漏极电流（受芯片限制），T
C
=25°C时
测得
持续漏极电流
(1)
脉冲漏极电流
(2)
功率耗散
(1)
D1
D
6D
I
DM
P
D
功率耗散，T
C
=25°C
工作结温，
储存温度
雪崩能量，单脉冲
I
D
=12.6A，L=0.1mH，R
G
=25Ω
D2
5
D
T
J
，
T
stg
E
AS
G3S4S
P0108-01
(1)R
θJA
=50°C/W，这是在一块厚度为0.06英寸环氧树脂(FR4)
印刷电路板(PCB)上的1英寸
2
，2盎司铜焊盘上测得的典型
值。
(2)最大R
θJC
=6.2°C/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。
AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,
TIONDATA.
EnglishDataSheet:SLPS582
CSD19538Q2
ZHCSF65A–JULY2016–
R
DS(on)
与V
GS
对比
200
R
D
S
(
o
n
)
-
O
n
-
S
t
a
t
e
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
m
:
)
中的测试电压V
DS
从100V更改为50V
栅极电荷
10
V
G
S
-
G
a
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
024
T
C
= 25qC, I
D
= 5 A
T
C
= 125qC, I
D
= 5 A
I
D
= 5 A
9
V
DS
= 50 V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
00.511.522.533.5
Q
g
- Gate Charge (nC)
44.55
D004
6810121416
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
1820
D007
2
版权©2016–2017,TexasInstrumentsIncorporated
2024年3月11日发(作者：镇语心)
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CSD19538Q2
ZHCSF65A–JULY2016–REVISEDJANUARY2017
CSD19538Q2100VN沟道NexFET™功率MOSFET
1特性
•
•
•
•
•
•
•
超低Q
g
和Q
gd
低热阻
雪崩额定值
无铅
符合RoHS标准
无卤素
小外形尺寸无引线(SON)2mmx2mm塑料封装
产品概要
T
A
=25°C
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS(on)
V
GS(th)
漏源电压
栅极电荷总量(10V)
栅极电荷（栅极到漏极）
漏源导通电阻
阈值电压
V
GS
=6V
V
GS
=10V
3.2
典型值
100
4.3
0.8
58
49
单位
V
nC
nC
mΩ
V
2应用
•
•
•
以太网供电(PoE)
电源设备(PSE)
电机控制
器件信息
(1)
器件
CSD19538Q2
CSD19538Q2T
数量
3000
250
7英寸卷带
包装介质封装
SON
2.00mmx2.00mm
塑料封装
运输
卷带
封装
(1)要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
3说明
这款100V、49mΩ、采用2mm×2mmSON封装的
NexFET™功率MOSFET被设计成在功率转换应用中
大大降低损耗。
顶视图
T
A
=25°C
V
DS
V
GS
漏源电压
栅源电压
绝对最大额定值
值
100
±20
14.4
13.1
4.6
34.4
2.5
20.2
-55至150
8
A
W
°C
mJ
A
单位
V
V
持续漏极电流（受封装限制）
I
D
持续漏极电流（受芯片限制），T
C
=25°C时
测得
持续漏极电流
(1)
脉冲漏极电流
(2)
功率耗散
(1)
D1
D
6D
I
DM
P
D
功率耗散，T
C
=25°C
工作结温，
储存温度
雪崩能量，单脉冲
I
D
=12.6A，L=0.1mH，R
G
=25Ω
D2
5
D
T
J
，
T
stg
E
AS
G3S4S
P0108-01
(1)R
θJA
=50°C/W，这是在一块厚度为0.06英寸环氧树脂(FR4)
印刷电路板(PCB)上的1英寸
2
，2盎司铜焊盘上测得的典型
值。
(2)最大R
θJC
=6.2°C/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。
AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,
TIONDATA.
EnglishDataSheet:SLPS582
CSD19538Q2
ZHCSF65A–JULY2016–
R
DS(on)
与V
GS
对比
200
R
D
S
(
o
n
)
-
O
n
-
S
t
a
t
e
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
m
:
)
中的测试电压V
DS
从100V更改为50V
栅极电荷
10
V
G
S
-
G
a
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
024
T
C
= 25qC, I
D
= 5 A
T
C
= 125qC, I
D
= 5 A
I
D
= 5 A
9
V
DS
= 50 V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
00.511.522.533.5
Q
g
- Gate Charge (nC)
44.55
D004
6810121416
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
1820
D007
2
版权©2016–2017,TexasInstrumentsIncorporated