2024年4月14日发(作者：歧曼云)

一、三极管参数符号及其意义

VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。

VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。

VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。

VDSO, 漏源击穿电压。

ICM,集电极最大允许电流。

IDSM,最大漏源电流。

PCM,集电极最大耗散功率。

PDM,漏极最大耗散功率。

IC,集电极电流。

ID,漏极电流。

hFE,共发射极静态放大倍数。

gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。

fT,特征频率。

td,延迟时间。

tf,下降时间。

二、半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之

比

2024年4月14日发(作者：歧曼云)

一、三极管参数符号及其意义

VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。

VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。

VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。

VDSO, 漏源击穿电压。

ICM,集电极最大允许电流。

IDSM,最大漏源电流。

PCM,集电极最大耗散功率。

PDM,漏极最大耗散功率。

IC,集电极电流。

ID,漏极电流。

hFE,共发射极静态放大倍数。

gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。

fT,特征频率。

td,延迟时间。

tf,下降时间。

二、半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之

比