2024年10月24日发(作者：危谷梦)
7843场效应管参数
1. 什么是场效应管
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，它是半导体器
件中的一种重要组成部分。与双极型晶体管相比，场效应管具有更高的输入阻抗、
更低的功耗和更好的高频特性。
场效应管由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。栅极通过栅极
电压控制源漏间的电流，所以场效应管也被称为电压控制型晶体管。根据栅极与源
极之间的结构不同，场效应管分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET
（结型场效应管）两种类型。
2. 7843场效应管
7843场效应管是一种常见的MOSFET型场效应管。它具有一系列参数，这些参数对
于了解和设计电路至关重要。
2.1 静态参数
• 阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）：阈值电压是指栅极电压达到
一定值时，源漏电流开始显著增加的电压。它是判断场效应管导通与否的关
键参数。
• 饱和漏源电压（Saturation Drain-Source Voltage，简称Vdsat）：在工
作时，当栅极电压高于阈值电压时，场效应管处于饱和区。饱和漏源电压是
指在饱和区时，漏极与源极之间的电压。
饱和漏极电流（Saturation Drain Current，简称Idss）：在饱和区时，
通过漏极的电流。
•
2.2 动态参数
• 输入电容（Input Capacitance，简称Ciss）：输入电容是指场效应管输入
端的电容。它是由于栅极与通道之间的电介质所形成的电容。
•
•
输出电容（Output Capacitance，简称Coss）：输出电容是指场效应管输
出端的电容。它是由于漏极与通道之间的电介质所形成的电容。
反向传输电容（Reverse Transfer Capacitance，简称Crss）：反向传输
电容是指栅极与漏极之间的电容。它是由于栅极与漏极之间的电介质所形成
的电容。
2.3 热参数
• 热阻（Thermal Resistance，简称Rθ）：热阻是指场效应管在工作过程中
的热阻力。它反映了场效应管的散热能力。
3. 7843场效应管参数的意义
了解和掌握7843场效应管的参数对于设计和应用电路至关重要。以下是参数的意
义和应用场景：
•
•
•
•
•
•
•
阈值电压：阈值电压决定了场效应管的导通与截止状态。在设计电路时，我
们需要根据阈值电压来选择合适的电压供应和信号电平。
饱和漏源电压：饱和漏源电压决定了场效应管的输出电压范围。在设计电路
时，我们需要根据饱和漏源电压来选择合适的负载电阻和电源电压。
饱和漏极电流：饱和漏极电流决定了场效应管的输出电流能力。在设计电路
时，我们需要根据饱和漏极电流来选择合适的负载电阻和电源电流。
输入电容：输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。在设计高频电
路时，我们需要根据输入电容来选择合适的驱动电路和滤波电路。
输出电容：输出电容决定了场效应管对输出信号的响应速度。在设计高频电
路时，我们需要根据输出电容来选择合适的负载电路和滤波电路。
反向传输电容：反向传输电容决定了场效应管的反馈特性。在设计反馈电路
时，我们需要根据反向传输电容来选择合适的反馈电路和补偿电路。
热阻：热阻决定了场效应管的散热能力。在设计高功率电路时，我们需要根
据热阻来选择合适的散热装置和散热方式。
4. 总结
7843场效应管是一种常见的MOSFET型场效应管，具有一系列静态参数、动态参数
和热参数。了解和掌握这些参数对于设计和应用电路至关重要。不同参数的意义和
应用场景各不相同，我们需要根据具体的需求来选择合适的场效应管。通过合理选
择和应用场效应管，我们可以设计出性能优良的电路。
2024年10月24日发(作者：危谷梦)
7843场效应管参数
1. 什么是场效应管
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，它是半导体器
件中的一种重要组成部分。与双极型晶体管相比，场效应管具有更高的输入阻抗、
更低的功耗和更好的高频特性。
场效应管由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。栅极通过栅极
电压控制源漏间的电流，所以场效应管也被称为电压控制型晶体管。根据栅极与源
极之间的结构不同，场效应管分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET
（结型场效应管）两种类型。
2. 7843场效应管
7843场效应管是一种常见的MOSFET型场效应管。它具有一系列参数，这些参数对
于了解和设计电路至关重要。
2.1 静态参数
• 阈值电压（Threshold Voltage，简称Vth）：阈值电压是指栅极电压达到
一定值时，源漏电流开始显著增加的电压。它是判断场效应管导通与否的关
键参数。
• 饱和漏源电压（Saturation Drain-Source Voltage，简称Vdsat）：在工
作时，当栅极电压高于阈值电压时，场效应管处于饱和区。饱和漏源电压是
指在饱和区时，漏极与源极之间的电压。
饱和漏极电流（Saturation Drain Current，简称Idss）：在饱和区时，
通过漏极的电流。
•
2.2 动态参数
• 输入电容（Input Capacitance，简称Ciss）：输入电容是指场效应管输入
端的电容。它是由于栅极与通道之间的电介质所形成的电容。
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输出电容（Output Capacitance，简称Coss）：输出电容是指场效应管输
出端的电容。它是由于漏极与通道之间的电介质所形成的电容。
反向传输电容（Reverse Transfer Capacitance，简称Crss）：反向传输
电容是指栅极与漏极之间的电容。它是由于栅极与漏极之间的电介质所形成
的电容。
2.3 热参数
• 热阻（Thermal Resistance，简称Rθ）：热阻是指场效应管在工作过程中
的热阻力。它反映了场效应管的散热能力。
3. 7843场效应管参数的意义
了解和掌握7843场效应管的参数对于设计和应用电路至关重要。以下是参数的意
义和应用场景：
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阈值电压：阈值电压决定了场效应管的导通与截止状态。在设计电路时，我
们需要根据阈值电压来选择合适的电压供应和信号电平。
饱和漏源电压：饱和漏源电压决定了场效应管的输出电压范围。在设计电路
时，我们需要根据饱和漏源电压来选择合适的负载电阻和电源电压。
饱和漏极电流：饱和漏极电流决定了场效应管的输出电流能力。在设计电路
时，我们需要根据饱和漏极电流来选择合适的负载电阻和电源电流。
输入电容：输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。在设计高频电
路时，我们需要根据输入电容来选择合适的驱动电路和滤波电路。
输出电容：输出电容决定了场效应管对输出信号的响应速度。在设计高频电
路时，我们需要根据输出电容来选择合适的负载电路和滤波电路。
反向传输电容：反向传输电容决定了场效应管的反馈特性。在设计反馈电路
时，我们需要根据反向传输电容来选择合适的反馈电路和补偿电路。
热阻：热阻决定了场效应管的散热能力。在设计高功率电路时，我们需要根
据热阻来选择合适的散热装置和散热方式。
4. 总结
7843场效应管是一种常见的MOSFET型场效应管，具有一系列静态参数、动态参数
和热参数。了解和掌握这些参数对于设计和应用电路至关重要。不同参数的意义和
应用场景各不相同，我们需要根据具体的需求来选择合适的场效应管。通过合理选
择和应用场效应管，我们可以设计出性能优良的电路。