2024年4月29日发(作者：韶翼)
晶闸管参数名词解释
1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包
括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个
周期开关引起的毛疵电压。
2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态
反向电压。
1） 测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2） 测试条件：a）结温：25℃和125℃； b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS
的正弦半波； d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：
反向不重复峰值电压
注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最
大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都
不得超过不重复峰值电压。
3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。
4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。
5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的
不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌
的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间
6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电
流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温： 125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前
断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）； e)t1≥1us；f)
重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。
1） 测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值
2） 测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波；
3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通
过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。
8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)
主电路条件：阳，阴极间断路。
3） 测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压
表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出
调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确
认。
9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。
10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的断态重复峰值电压下的断态重复峰值电流和反
向重复峰值电压下的反向重复峰值电流。
2） 测试条件：a) 结温：25℃和125℃；b)断态电压和反向电压：断态重复峰值电压（VDRM）
或反向重复峰值电压（VRRM）；c)门极断路。
3） 测量程序：A)被测器件分别在25℃和125℃下，调节交流电压源，使断态电压达到断态
重复峰值电压，由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流（IDRM）。
B)被测器件主电极的极性交换，重复上述操作即可测得反向重复峰值电流（IRRM）。
11. 峰值通态电压（VTM）：晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值
电压。
1） 测试目的：在规定条件下，用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。
2） 测试条件：a)结温：出厂试验为25℃，型式试验为25℃和125℃；b)通态峰值电流：通
态平均电流的π倍；c)电流脉冲可以使单次的，也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲；
d)电流脉冲宽度应足够宽，以使被测器件完全开通。
3） 测量程序：a)电源电压和门极触发电压先调至零。b)被测器件按规定压力和接线法接入
电路中。结温调至规定值，门极电路调至规定的偏置条件。C)电源电压由零增加，通过L，C
振荡，使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值，此时示波器上显示的数值即为所测通态峰
值电压。
12. 门槛电压：由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。
13. 斜率电阻：由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。
14. 延迟时间：在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中，从门极脉冲前沿的规定点
起，至主电压下降到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔。
15. 关断时间（tq）：外部使主电路转换动作后，从主电流下降至零值瞬间起，到晶闸管能
承受规定的断态电压而不致过零开通的时间间隔。
1）测试目的：在规定条件下测量晶反向阻断三极闸管的关断时间。
2）测试条件：a)通电前结温：125℃；b) 关断前通态电流：波形优选位矩形波，峰值优选
为3 ITAV，上升率di/dt≤30A/us；c)通态电流持续时间：按被测器件完全导通而发热尽可能
小确定，数百微秒至几毫秒；d)关断期间施加反向电压幅值为100V，最小值不小于20V；e)
再加断态电压幅值VDM=2/3VDRM，其上升率dv/dt=30V/us;f)重复频率f≤50HZ。
3）测量程序：a)被测器件结温控制在125℃；b)调整通态电流电源使被测器件流过规定的电
流ITM，切断门极电流，持续规定的时间；c)调整反向电压电源，对被测器件施加幅值和最
小值的反向电压，使其阳极电流反向并可靠地关断；d)在双迹示波器上观察，调整规定值再
加断态电压施加时间，当被测器件刚能承受此电压而又不转为通态的最小时间间隔，即为所
测关断时间。
16. 恢复电荷（Qr）：从规定的通态电流条件向规定的反向条件转换期间，晶闸管内存在的
恢复性总电荷。它包括储存的载流子和耗尽层电容两部分电荷。
1） 测试目的：在规定条件下，用测量晶闸管反向恢复电流和反向恢复时间的方法求出恢复
电荷。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)换向前的通态电流；额定通态平均电流值；c)通态电流下
降率：规定；d)通态电流通电时间：按被测器件完全开通，又可忽视发热效应的原则选取；
e)反向电压：50%反向重复峰值电压。
17. 临界电压上升率（dv/dt）：紧跟着一个方向通态电流之后，在相反方向上导致断态到通
态转换的最小主电压上升率。
1） 测试目的：在规定条件下，用电压线形上升法或指数上升法，测量晶闸管的断态电压临
界上升率。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)断态峰值电压（VDM）：从零开始施加2/3倍断态重复峰
值电压；c)门极断路或规定偏置电阻值；d)断态电压脉冲间隔时间：重复频率≤50HZ；
3） 测试程序：被测器件加热到125℃。按示波器或峰值电压表显示，从零开始施加规定的
断态电压，调整电压上升率，直至刚好开通，即电压波形突然下降，开通前瞬间的dV/dt即
为所求断态电压临界上升率。
18. 门极触发电流（IGT）：使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流。
19. 门极触发电压（VGT）：产生门极触发电流所必须的最小门极电压。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的门极触发电流和门极触发电压。
2） 测试条件：a)结温：25℃；b)断态电压：直流12V或6V；c)负载电阻（R）值：应予规
定；
3） 测量：被测器件在25℃下，由零开始逐渐增加门极至阴极间电压，当V1表指示的断态
电压突然下降，A1表指示出通态电流的瞬间，此时毫安表A2和V2表的指示分别为所测门
极触发电流和门极触发电压。
20. 门极峰值电流：包括所有门极正向瞬态电流的最大瞬时值门极正向电流。
21. 门极反向峰值电压：门极反向电压的最大瞬时值，包括所有的门极反向瞬态电压。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极正向额定值。
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)重复频率：50HZ；c)门极脉冲波形：方波，脉冲幅值对应
的平均功率不超过其额定值；d)试验持续时间：3S；e)主电路条件：阳，阴极间断路。
3) 测试程序：A）将被测器件温度加热到规定结温；B）在被测器件的门极和阴极间施加门
极触发脉冲，在示波器上观察门极伏安特性曲线，调整电源E，缓慢增大触发信号，当该曲
线与额定门极正向峰值电流，额定门极正向峰值电压和额定门极正向峰值功率三条极限线的
任一条相交时，在此点保持触发信号的大小持续3S时间，然后将电源输出调至零；C）测试
后，进行断态和反向峰值电流，门极触发电流和电压测量，如无异常，则被测门极反向峰值
电压额定值得到确认。
22. 结壳热阻：结到管壳基准点的热阻。
23. 壳散热阻；管壳基准点到散热器基准点的热阻。
2024年4月29日发(作者：韶翼)
晶闸管参数名词解释
1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包
括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个
周期开关引起的毛疵电压。
2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态
反向电压。
1） 测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2） 测试条件：a）结温：25℃和125℃； b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS
的正弦半波； d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：
反向不重复峰值电压
注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最
大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都
不得超过不重复峰值电压。
3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。
4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。
5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的
不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌
的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间
6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电
流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温： 125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前
断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）； e)t1≥1us；f)
重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。
1） 测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值
2） 测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波；
3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通
过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。
8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)
主电路条件：阳，阴极间断路。
3） 测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压
表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出
调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确
认。
9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。
10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的断态重复峰值电压下的断态重复峰值电流和反
向重复峰值电压下的反向重复峰值电流。
2） 测试条件：a) 结温：25℃和125℃；b)断态电压和反向电压：断态重复峰值电压（VDRM）
或反向重复峰值电压（VRRM）；c)门极断路。
3） 测量程序：A)被测器件分别在25℃和125℃下，调节交流电压源，使断态电压达到断态
重复峰值电压，由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流（IDRM）。
B)被测器件主电极的极性交换，重复上述操作即可测得反向重复峰值电流（IRRM）。
11. 峰值通态电压（VTM）：晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值
电压。
1） 测试目的：在规定条件下，用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。
2） 测试条件：a)结温：出厂试验为25℃，型式试验为25℃和125℃；b)通态峰值电流：通
态平均电流的π倍；c)电流脉冲可以使单次的，也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲；
d)电流脉冲宽度应足够宽，以使被测器件完全开通。
3） 测量程序：a)电源电压和门极触发电压先调至零。b)被测器件按规定压力和接线法接入
电路中。结温调至规定值，门极电路调至规定的偏置条件。C)电源电压由零增加，通过L，C
振荡，使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值，此时示波器上显示的数值即为所测通态峰
值电压。
12. 门槛电压：由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。
13. 斜率电阻：由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。
14. 延迟时间：在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中，从门极脉冲前沿的规定点
起，至主电压下降到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔。
15. 关断时间（tq）：外部使主电路转换动作后，从主电流下降至零值瞬间起，到晶闸管能
承受规定的断态电压而不致过零开通的时间间隔。
1）测试目的：在规定条件下测量晶反向阻断三极闸管的关断时间。
2）测试条件：a)通电前结温：125℃；b) 关断前通态电流：波形优选位矩形波，峰值优选
为3 ITAV，上升率di/dt≤30A/us；c)通态电流持续时间：按被测器件完全导通而发热尽可能
小确定，数百微秒至几毫秒；d)关断期间施加反向电压幅值为100V，最小值不小于20V；e)
再加断态电压幅值VDM=2/3VDRM，其上升率dv/dt=30V/us;f)重复频率f≤50HZ。
3）测量程序：a)被测器件结温控制在125℃；b)调整通态电流电源使被测器件流过规定的电
流ITM，切断门极电流，持续规定的时间；c)调整反向电压电源，对被测器件施加幅值和最
小值的反向电压，使其阳极电流反向并可靠地关断；d)在双迹示波器上观察，调整规定值再
加断态电压施加时间，当被测器件刚能承受此电压而又不转为通态的最小时间间隔，即为所
测关断时间。
16. 恢复电荷（Qr）：从规定的通态电流条件向规定的反向条件转换期间，晶闸管内存在的
恢复性总电荷。它包括储存的载流子和耗尽层电容两部分电荷。
1） 测试目的：在规定条件下，用测量晶闸管反向恢复电流和反向恢复时间的方法求出恢复
电荷。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)换向前的通态电流；额定通态平均电流值；c)通态电流下
降率：规定；d)通态电流通电时间：按被测器件完全开通，又可忽视发热效应的原则选取；
e)反向电压：50%反向重复峰值电压。
17. 临界电压上升率（dv/dt）：紧跟着一个方向通态电流之后，在相反方向上导致断态到通
态转换的最小主电压上升率。
1） 测试目的：在规定条件下，用电压线形上升法或指数上升法，测量晶闸管的断态电压临
界上升率。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)断态峰值电压（VDM）：从零开始施加2/3倍断态重复峰
值电压；c)门极断路或规定偏置电阻值；d)断态电压脉冲间隔时间：重复频率≤50HZ；
3） 测试程序：被测器件加热到125℃。按示波器或峰值电压表显示，从零开始施加规定的
断态电压，调整电压上升率，直至刚好开通，即电压波形突然下降，开通前瞬间的dV/dt即
为所求断态电压临界上升率。
18. 门极触发电流（IGT）：使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流。
19. 门极触发电压（VGT）：产生门极触发电流所必须的最小门极电压。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的门极触发电流和门极触发电压。
2） 测试条件：a)结温：25℃；b)断态电压：直流12V或6V；c)负载电阻（R）值：应予规
定；
3） 测量：被测器件在25℃下，由零开始逐渐增加门极至阴极间电压，当V1表指示的断态
电压突然下降，A1表指示出通态电流的瞬间，此时毫安表A2和V2表的指示分别为所测门
极触发电流和门极触发电压。
20. 门极峰值电流：包括所有门极正向瞬态电流的最大瞬时值门极正向电流。
21. 门极反向峰值电压：门极反向电压的最大瞬时值，包括所有的门极反向瞬态电压。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极正向额定值。
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)重复频率：50HZ；c)门极脉冲波形：方波，脉冲幅值对应
的平均功率不超过其额定值；d)试验持续时间：3S；e)主电路条件：阳，阴极间断路。
3) 测试程序：A）将被测器件温度加热到规定结温；B）在被测器件的门极和阴极间施加门
极触发脉冲，在示波器上观察门极伏安特性曲线，调整电源E，缓慢增大触发信号，当该曲
线与额定门极正向峰值电流，额定门极正向峰值电压和额定门极正向峰值功率三条极限线的
任一条相交时，在此点保持触发信号的大小持续3S时间，然后将电源输出调至零；C）测试
后，进行断态和反向峰值电流，门极触发电流和电压测量，如无异常，则被测门极反向峰值
电压额定值得到确认。
22. 结壳热阻：结到管壳基准点的热阻。
23. 壳散热阻；管壳基准点到散热器基准点的热阻。