2024年5月7日发(作者：焦静雅)
lpddr内存是什么
LPDDR都是什么？不知道的话跟着店铺一起来了解一下LPDDR是什么？
LPDDR内存的介绍
每当新款手机发布时，厂商都会拿出各种专有技术名词来营造“高大上”的感觉，吸
引消费者。然而对大多数用户而言，这些名词往往听得是云里雾里，不知所言为何。相比
于屏幕上的专属名词，手机内存方面带给消费者的迷茫想必更多。那么今天，笔者就为您
盘点一下手机内存中的名词。
1、内存双通道
对于电脑的DIY玩家来说，内存双通道想必是极为熟悉的，而随着硬件技术的进步，
内存双通道开始被手机所使用。
广义的说，内存双通道是指使用两条相同品牌相同容量内存组建的一种内存方式(当
然自英特尔研发出弹性内存双通道技术后，用户完全可以使用不同品牌不 同容量的内存
来组建双通道内存，只是容量会有一定限制)，也就是使用两个内存控制器分别控制两条
内存，理论上比单通道的性能要强，因此得到广泛采用。
我们以PC为例来说明。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双
通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从
而在理论上把内存带宽提高一倍。
虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是
二者所达到效果却是不同的。具体表现为两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下
同时运作。
比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内
存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”
可以让等待时间缩减50%。
双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数
都是可以单独编程设定的。
目前，高通骁龙810处理器已经支持双通道内存，然而经测试表明，手机中双通道内
存在实际表现中与单通道内存表现相差无几。
究其原因，无外乎手机整体的性能较PC还有较大的差距。即使是PC，也仅是在高负
荷的情况下才能发挥出双通道的优势。
就手机目前的性能要求来看，带宽远不是瓶颈。对厂家来说，内存双通道更多是为未
来做的技术准备，目前来看并没有什么卵用，因此对大多数安卓机来说，提高内存容量是
比使用双通道技术更现实的事情。
2、LPDDR3与LPDDR4
如果您关注最新的手机动态，就会发现近期的主流旗舰开始搭载全新的LPDDR4
RAM。
所谓的LPDDR，即Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一
种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM)，是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid
State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著
称，专门用于移动式电子产品。
LPDDR技术随着智能手机领域整体的技术进步已然发展的十分成熟。如今应用最广
的当属LPDDR3，由JEDEC固态技术协会于2012年5月正式发布。
LPDDR3同LPDDR2一样，支持PoP堆叠封装和独立封装，满足不同类型移动设备
的需要，而且引入了全新的技术，如确保内存运行于业内最快输 入总线速度的同时，维
持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求的Write-Leveling and CA Training(写
入均衡与指令地址调驯)，相较于LPDDR2进步较大。
LPDDR4是全新的技术，在性能和集成度上较LPDDR3提高了一倍。也是得益于此，
LPDDR4的运行电压降为1.1V，因此在功能和处理速度提高的同时，反而可以带来40%
的节电量，使电源处于最优状态，更加适用于大屏幕移动设备。
3、eMMC 5.0和UFS 2.0
说完RAM标准，我们来谈谈ROM标准。目前市面上主流的ROM标准有两种——
eMMC 5.0和UFS 2.0。前者有更成熟的生产工艺，后者有更强大的性能。
eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，是由MMC协会所订立的、主
要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在
封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主控制器、
闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。
2013年7月29日三星开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为
400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的
eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。
与eMMC不同，UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很
像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相
比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略
逊一筹了。
要知道，UFS 2.0闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两
个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪
存存储介质固态硬盘也相形见绌。
除了在速度性能方面有着巨大优势之外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表现。事实上，
如果从功耗方面来比较，新一代的UFS 2.0标准是能够与eMMC持平的。在待机状态时
两者功耗相近持平。而当UFS 2.0满载时，所消耗的功率实际上比eMMC要多，但它可
以更快地完成操作而更早地切换到待机状态，因此在功耗方面的表现UFS 2.0与eMMC
不相上下。
2024年5月7日发(作者：焦静雅)
lpddr内存是什么
LPDDR都是什么？不知道的话跟着店铺一起来了解一下LPDDR是什么？
LPDDR内存的介绍
每当新款手机发布时，厂商都会拿出各种专有技术名词来营造“高大上”的感觉，吸
引消费者。然而对大多数用户而言，这些名词往往听得是云里雾里，不知所言为何。相比
于屏幕上的专属名词，手机内存方面带给消费者的迷茫想必更多。那么今天，笔者就为您
盘点一下手机内存中的名词。
1、内存双通道
对于电脑的DIY玩家来说，内存双通道想必是极为熟悉的，而随着硬件技术的进步，
内存双通道开始被手机所使用。
广义的说，内存双通道是指使用两条相同品牌相同容量内存组建的一种内存方式(当
然自英特尔研发出弹性内存双通道技术后，用户完全可以使用不同品牌不 同容量的内存
来组建双通道内存，只是容量会有一定限制)，也就是使用两个内存控制器分别控制两条
内存，理论上比单通道的性能要强，因此得到广泛采用。
我们以PC为例来说明。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双
通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从
而在理论上把内存带宽提高一倍。
虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是
二者所达到效果却是不同的。具体表现为两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下
同时运作。
比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内
存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”
可以让等待时间缩减50%。
双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数
都是可以单独编程设定的。
目前，高通骁龙810处理器已经支持双通道内存，然而经测试表明，手机中双通道内
存在实际表现中与单通道内存表现相差无几。
究其原因，无外乎手机整体的性能较PC还有较大的差距。即使是PC，也仅是在高负
荷的情况下才能发挥出双通道的优势。
就手机目前的性能要求来看，带宽远不是瓶颈。对厂家来说，内存双通道更多是为未
来做的技术准备，目前来看并没有什么卵用，因此对大多数安卓机来说，提高内存容量是
比使用双通道技术更现实的事情。
2、LPDDR3与LPDDR4
如果您关注最新的手机动态，就会发现近期的主流旗舰开始搭载全新的LPDDR4
RAM。
所谓的LPDDR，即Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一
种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM)，是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid
State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著
称，专门用于移动式电子产品。
LPDDR技术随着智能手机领域整体的技术进步已然发展的十分成熟。如今应用最广
的当属LPDDR3，由JEDEC固态技术协会于2012年5月正式发布。
LPDDR3同LPDDR2一样，支持PoP堆叠封装和独立封装，满足不同类型移动设备
的需要，而且引入了全新的技术，如确保内存运行于业内最快输 入总线速度的同时，维
持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求的Write-Leveling and CA Training(写
入均衡与指令地址调驯)，相较于LPDDR2进步较大。
LPDDR4是全新的技术，在性能和集成度上较LPDDR3提高了一倍。也是得益于此，
LPDDR4的运行电压降为1.1V，因此在功能和处理速度提高的同时，反而可以带来40%
的节电量，使电源处于最优状态，更加适用于大屏幕移动设备。
3、eMMC 5.0和UFS 2.0
说完RAM标准，我们来谈谈ROM标准。目前市面上主流的ROM标准有两种——
eMMC 5.0和UFS 2.0。前者有更成熟的生产工艺，后者有更强大的性能。
eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，是由MMC协会所订立的、主
要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在
封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，eMMC利用的是它将主控制器、
闪存颗粒整合到了一个小的BGA封装内。
2013年7月29日三星开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为
400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的
eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。
与eMMC不同，UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行界面，很
像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相
比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略
逊一筹了。
要知道，UFS 2.0闪存读写速度可以高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两
个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的闪
存存储介质固态硬盘也相形见绌。
除了在速度性能方面有着巨大优势之外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表现。事实上，
如果从功耗方面来比较，新一代的UFS 2.0标准是能够与eMMC持平的。在待机状态时
两者功耗相近持平。而当UFS 2.0满载时，所消耗的功率实际上比eMMC要多，但它可
以更快地完成操作而更早地切换到待机状态，因此在功耗方面的表现UFS 2.0与eMMC
不相上下。