2024年5月25日发(作者：戎竹悦)
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
UM1B-UM10B
BridgeRectifierDiode整流桥
■
Features特点
Glasspassivatedchipjunction玻璃钝化结
Highsurgecurrentcapability高浪涌电流能力
ReflowSolderTemperature220℃回流焊温度220度
Package封装:UMB
■
MaximumRating最大额定值
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted
如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
PeakReverseVoltage
反向峰值电压
DCReverseVoltage
直流反向电压
RMSReverseVoltage
反向电压均方根值
ForwardRectifiedCurrent
正向整流电流
PeakSurgeCurrent
峰值浪涌电流
ThermalResistanceJ-A
结到环境热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
Symbol
符号
V
RRM
V
R(DC)
V
R(RMS)
I
F
I
FSM
R
θJA
T
J
,T
stg
UM1B
100
100
70
UM2B
200
200
140
UM4B
400
400
280
0.8
25
110
150
℃
,-55to+150
℃
UM6B
600
600
420
UM8B
800
800
560
UM10B
1000
1000
700
Unit
单位
V
V
V
A
A
℃/W
■
ElectricalCharacteristics电特性
(T
A
=25℃unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
ForwardVoltage正向电压降
ReverseCurrent(T
A
=25
℃
)
反向漏电流
(T
A
=125
℃
)
DiodeCapacitance
二极管电容
Symbol
符号
V
F
I
R
C
D
13
Min
最小值
Typ
典型值
1
1.1
3
30
Max
最大值
Unit
单位
V
uA
pF
Condition
条件
I
F
=0.4A
0.8A
V
R
=V
RRM
V
R
=4V,f=1MHz
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
UM1B-UM10B
■
TypicalCharacteristicCurve典型特性曲线
Figure1:ForwardCurrentDeratingCurveFigure2:PeakForwardSurgeCurrent
Figure3:InstantaneousForwardCharacteristicsFigure4:ReverseLeakageCharacteristics
Figure5:JunctionCapacitanceCharacteristics
2024年5月25日发(作者：戎竹悦)
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ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
UM1B-UM10B
BridgeRectifierDiode整流桥
■
Features特点
Glasspassivatedchipjunction玻璃钝化结
Highsurgecurrentcapability高浪涌电流能力
ReflowSolderTemperature220℃回流焊温度220度
Package封装:UMB
■
MaximumRating最大额定值
(T
A
=
25
℃
unlessotherwisenoted
如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
PeakReverseVoltage
反向峰值电压
DCReverseVoltage
直流反向电压
RMSReverseVoltage
反向电压均方根值
ForwardRectifiedCurrent
正向整流电流
PeakSurgeCurrent
峰值浪涌电流
ThermalResistanceJ-A
结到环境热阻
JunctionandStorageTemperature
结温和储藏温度
Symbol
符号
V
RRM
V
R(DC)
V
R(RMS)
I
F
I
FSM
R
θJA
T
J
,T
stg
UM1B
100
100
70
UM2B
200
200
140
UM4B
400
400
280
0.8
25
110
150
℃
,-55to+150
℃
UM6B
600
600
420
UM8B
800
800
560
UM10B
1000
1000
700
Unit
单位
V
V
V
A
A
℃/W
■
ElectricalCharacteristics电特性
(T
A
=25℃unlessotherwisenoted如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic
特性参数
ForwardVoltage正向电压降
ReverseCurrent(T
A
=25
℃
)
反向漏电流
(T
A
=125
℃
)
DiodeCapacitance
二极管电容
Symbol
符号
V
F
I
R
C
D
13
Min
最小值
Typ
典型值
1
1.1
3
30
Max
最大值
Unit
单位
V
uA
pF
Condition
条件
I
F
=0.4A
0.8A
V
R
=V
RRM
V
R
=4V,f=1MHz
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUIFOSANSEMICONDUCTORTECHNOLOGYCO.,LTD.
UM1B-UM10B
■
TypicalCharacteristicCurve典型特性曲线
Figure1:ForwardCurrentDeratingCurveFigure2:PeakForwardSurgeCurrent
Figure3:InstantaneousForwardCharacteristicsFigure4:ReverseLeakageCharacteristics
Figure5:JunctionCapacitanceCharacteristics