2024年6月3日发(作者：尧香旋)

TLP250中文资料-datasheet

东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管

TLP250(INV) TLP250(INV)

晶体反相器

栅极驱动IGBT调节器

大功率MOSFET栅极驱动

东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器.

单位 mm

.本芯片是8脚DIP封装

TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管

输入阈值电流 ? 电源电流(ICC) ? 电源电压(VCC) ? 输出电流(IO) ? 隔离电压 ? UL

认证 ? 期权(D4)

VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书 最大绝缘工作电压 : 630VPK 允许

的最高过电压: 4000VPK

(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为

“期权(D4)”

爬电距离

空隙

: 6.4mm(最小) : 6.4mm(最小) : IF=5mA(最大) : 11mA(最大) : 10~35V : ±2.0A(最

大) : 2500Vrms

: UL1577,E67349号文件

开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大)

东芝 重: 0.54 g

11?10C4

TRUTH TABLE

管脚排列(俯视图) 输入 LED 开 关 １ 记录 2 ８

2024年6月3日发(作者：尧香旋)

TLP250中文资料-datasheet

东芝光电耦合器 砷化镓铝集成红外光电二极管

TLP250(INV) TLP250(INV)

晶体反相器

栅极驱动IGBT调节器

大功率MOSFET栅极驱动

东芝TLP250(发票)由GaAlAs发光二极管和集成的光电探测器.

单位 mm

.本芯片是8脚DIP封装

TLP250(INV) 适用于栅极驱动的IGBT管和大功率MOSFET管

输入阈值电流 ? 电源电流(ICC) ? 电源电压(VCC) ? 输出电流(IO) ? 隔离电压 ? UL

认证 ? 期权(D4)

VDE 核准 : 德标 VDE0884/06.92 76823号证书 最大绝缘工作电压 : 630VPK 允许

的最高过电压: 4000VPK

(注):当需要一个VDE0884认可类型, 请指定命名为

“期权(D4)”

爬电距离

空隙

: 6.4mm(最小) : 6.4mm(最小) : IF=5mA(最大) : 11mA(最大) : 10~35V : ±2.0A(最

大) : 2500Vrms

: UL1577,E67349号文件

开关转换时间(tpLH/tpHL) : 0.5μs(最大)

东芝 重: 0.54 g

11?10C4

TRUTH TABLE

管脚排列(俯视图) 输入 LED 开 关 １ 记录 2 ８