2024年7月13日发(作者：竭凌波)
74HC573
八进制 3 态非反转透明锁存器
高性能硅门 CMOS 器件
SL74HC573 跟 LS/AL573 的管脚一样。器件的输入是和标准 CMOS 输出兼容
的；加上拉电阻，他们能和 LS/ALSTTL 输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同
步）。当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上
×操作电压范围：2.0V~6.0V
×低输入电流：1.0uA
×CMOS 器件的高噪声抵抗特性
管腿安排：
功能表：
输入
锁存使能
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
Q
H
L
不变
Z
X=不用关心
Z＝高阻抗
输出使能
L
L
L
H
74HC573
最大值范围：
符号 参数
V
CC
DC 供电电压（参考 GND）
V
IN
DC 输入电压（参考 GND）
V
OUT
DC 输出电压（参考 GND）
I
IN
每一个 PIN 的 DC 输入电流
I
OUT
每一个 PIN 的 DC 输出电流
I
CC
DC 供电电流，V
CC
和 GND 之间
P
D
在自然环境下，PDIP 和 SOIC 封装下的
功耗
Tstg 存储温度
T
L
引线温度，10 秒（PDIP，SOIC）
值
-0.5~+7.0
-1.5~VCC+1.5
-0.5~VCC+0.5
20
35
75
750
500
-65~+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
℃
℃
*最大值范围是指超过这个值，将损害器件。
操作最好在下面的推荐操作条件下。
＋额定功率的下降——PDIP：－10mW/℃ ，65℃～125℃
SOIC：－7 mW/℃ ，65℃～125℃
推荐操作条件：
符号
V
CC
V
IN
,V
OUT
T
A
t
r
，t
f
参数
DC 供电电压（参考 GND）
DC 输入电压，输出电压（参考 GND）
所有封装的操作温度
最小 最大
2.0 6.0
0 V
CC
-55 +125
0 1000
0 500
0 400
单位
V
V
℃
ns
输入上升和下降时间 V
CC
=2.0V
V
CC
=4.5V
V
CC
=6.0V
这个器件带有保护电路，以免被高的静态电压或电场损坏。然而，对于高阻抗
电路，必须要采取预防以免工作在任何高于最大值范围的条件下工作。V
IN
和 V
OUT
应该被约束在 GND≤（V
IN
或 V
OUT
）≤VCC。
不用的输入管腿必须连接总是连接到一个适合的逻辑电压电平（也就是 GND
或者 V
CC
）。不用的输出管腿必须悬空。
DC 电子特性（电压是以 GND 为参考）：
符号 参数 测试条件 单位
V
CC
条件限制
V
25
≤85 ≤125
℃～
℃ ℃
－55
℃
1.5 1.5 1.5 V
最小高
V
OUT
=0.1V 或者 V
CC
-
2.0
V
IH
V
IL
VOH
电平输
入电压
最大低
电压输
入电压
最大高
电平输
出电压
0.1V，
|I
OUT
|≤20uA
V
OUT
=0.1V 或者 V
CC
-
0.1V，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤6.0mA
|I
OUT
|≤7.8mA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤6.0mA
|I
OUT
|≤7.8mA
V
IN
=V
CC
或者 GND
74HC573
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
V
V
VOL
最大低
电平输
出电压
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±0.1
uA
V
4.5
0.26
6.0
0.26
6.0
±0.1
0.33
0.33
±0.1
IIN
IOZ
ICC
最大输
入漏电
流
最大三
态漏电
流
最大静
态供电
电流
高阻抗态下的输出
V
IN
=V
IH
或者
V
IL
，
V
OUT
=V
CC
或者 GND
V
IN
=V
CC
或者 GND
I
OUT
＝0uA
6.0
±0.5
±5.0
±10
uA
6.0
4.0
4.0
4.0
uA
AC 电子特性（CL=50pF，输入 tr=tf=6.0ns）：
VCC
符号 参数
V
t
PLH
，
t
PHL
t
PLH
，
t
PHL
t
PLZ
，
t
PHZ
输入 D 到 Q，最大延迟（图 1
和 5）
锁存使能到 Q 的最大延迟（图
2 和图 5）
输出使能到 Q 的最大延迟（图
3 和图 6）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
条件限制
25℃～ ≤85 ≤125
℃ ℃
－55℃
150 190 225
30 38 45
26 33 38
160 200 240
32 40 48
27 34 41
150 190 225
30 48 45
26 33 38
单
位
ns
ns
ns
t
PZH
，
t
PZL
t
TLH
，
t
THL
C
IN
C
OUT
C
PD
输出使能到 Q 最大延迟（图
3
和图 6）
任何输出的最大输出延迟（图
1 和图 5）
最大输入电容
最大三态输出电容（在高阻态
下的输出）
功耗电容（使能所有输出）
用于确定没有负载时的动态功
耗：
）：
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
－
－
150
30
26
60
12
10
10
15
190
48
33
75
15
13
10
15
225
45
38
90
18
15
10
15
ns
ns
pF
pF
pF
典型在 25℃，VCC=5V 条件下
23
≤85 ≤125
℃ ℃
65 75
13 15
11 13
5 5
5 5
5 5
95 110
19 22
16 19
1000 1000
500 500
400 400
时序要求（C
L
=50pF，输入
符号 参数
t
SU
t
h
t
W
t
r
，t
f
VCC
限制条件
V
25℃～－
55℃
50
输入 D 到锁存使能最小建立时
2.0
4.5
10
间（图 4）
6.0
9
5
锁存使能到输入 D 最小保持时
2.0
4.5
5
间（图 4）
6.0
5
2.0
75
锁存使能的最小脉宽（图 2）
4.5
15
6.0
13
2.0
1000
最大输入上升沿和下降沿时序
4.5
500
（图 1）
6.0
400
单
位
ns
ns
ns
ns
74HC573
逻辑
74HC573
2024年7月13日发(作者：竭凌波)
74HC573
八进制 3 态非反转透明锁存器
高性能硅门 CMOS 器件
SL74HC573 跟 LS/AL573 的管脚一样。器件的输入是和标准 CMOS 输出兼容
的；加上拉电阻，他们能和 LS/ALSTTL 输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同
步）。当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上
×操作电压范围：2.0V~6.0V
×低输入电流：1.0uA
×CMOS 器件的高噪声抵抗特性
管腿安排：
功能表：
输入
锁存使能
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
Q
H
L
不变
Z
X=不用关心
Z＝高阻抗
输出使能
L
L
L
H
74HC573
最大值范围：
符号 参数
V
CC
DC 供电电压（参考 GND）
V
IN
DC 输入电压（参考 GND）
V
OUT
DC 输出电压（参考 GND）
I
IN
每一个 PIN 的 DC 输入电流
I
OUT
每一个 PIN 的 DC 输出电流
I
CC
DC 供电电流，V
CC
和 GND 之间
P
D
在自然环境下，PDIP 和 SOIC 封装下的
功耗
Tstg 存储温度
T
L
引线温度，10 秒（PDIP，SOIC）
值
-0.5~+7.0
-1.5~VCC+1.5
-0.5~VCC+0.5
20
35
75
750
500
-65~+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
℃
℃
*最大值范围是指超过这个值，将损害器件。
操作最好在下面的推荐操作条件下。
＋额定功率的下降——PDIP：－10mW/℃ ，65℃～125℃
SOIC：－7 mW/℃ ，65℃～125℃
推荐操作条件：
符号
V
CC
V
IN
,V
OUT
T
A
t
r
，t
f
参数
DC 供电电压（参考 GND）
DC 输入电压，输出电压（参考 GND）
所有封装的操作温度
最小 最大
2.0 6.0
0 V
CC
-55 +125
0 1000
0 500
0 400
单位
V
V
℃
ns
输入上升和下降时间 V
CC
=2.0V
V
CC
=4.5V
V
CC
=6.0V
这个器件带有保护电路，以免被高的静态电压或电场损坏。然而，对于高阻抗
电路，必须要采取预防以免工作在任何高于最大值范围的条件下工作。V
IN
和 V
OUT
应该被约束在 GND≤（V
IN
或 V
OUT
）≤VCC。
不用的输入管腿必须连接总是连接到一个适合的逻辑电压电平（也就是 GND
或者 V
CC
）。不用的输出管腿必须悬空。
DC 电子特性（电压是以 GND 为参考）：
符号 参数 测试条件 单位
V
CC
条件限制
V
25
≤85 ≤125
℃～
℃ ℃
－55
℃
1.5 1.5 1.5 V
最小高
V
OUT
=0.1V 或者 V
CC
-
2.0
V
IH
V
IL
VOH
电平输
入电压
最大低
电压输
入电压
最大高
电平输
出电压
0.1V，
|I
OUT
|≤20uA
V
OUT
=0.1V 或者 V
CC
-
0.1V，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤6.0mA
|I
OUT
|≤7.8mA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤20uA
V
IN
=V
IH
或者 V
IL
，
|I
OUT
|≤6.0mA
|I
OUT
|≤7.8mA
V
IN
=V
CC
或者 GND
74HC573
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
V
V
VOL
最大低
电平输
出电压
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±0.1
uA
V
4.5
0.26
6.0
0.26
6.0
±0.1
0.33
0.33
±0.1
IIN
IOZ
ICC
最大输
入漏电
流
最大三
态漏电
流
最大静
态供电
电流
高阻抗态下的输出
V
IN
=V
IH
或者
V
IL
，
V
OUT
=V
CC
或者 GND
V
IN
=V
CC
或者 GND
I
OUT
＝0uA
6.0
±0.5
±5.0
±10
uA
6.0
4.0
4.0
4.0
uA
AC 电子特性（CL=50pF，输入 tr=tf=6.0ns）：
VCC
符号 参数
V
t
PLH
，
t
PHL
t
PLH
，
t
PHL
t
PLZ
，
t
PHZ
输入 D 到 Q，最大延迟（图 1
和 5）
锁存使能到 Q 的最大延迟（图
2 和图 5）
输出使能到 Q 的最大延迟（图
3 和图 6）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
条件限制
25℃～ ≤85 ≤125
℃ ℃
－55℃
150 190 225
30 38 45
26 33 38
160 200 240
32 40 48
27 34 41
150 190 225
30 48 45
26 33 38
单
位
ns
ns
ns
t
PZH
，
t
PZL
t
TLH
，
t
THL
C
IN
C
OUT
C
PD
输出使能到 Q 最大延迟（图
3
和图 6）
任何输出的最大输出延迟（图
1 和图 5）
最大输入电容
最大三态输出电容（在高阻态
下的输出）
功耗电容（使能所有输出）
用于确定没有负载时的动态功
耗：
）：
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
－
－
150
30
26
60
12
10
10
15
190
48
33
75
15
13
10
15
225
45
38
90
18
15
10
15
ns
ns
pF
pF
pF
典型在 25℃，VCC=5V 条件下
23
≤85 ≤125
℃ ℃
65 75
13 15
11 13
5 5
5 5
5 5
95 110
19 22
16 19
1000 1000
500 500
400 400
时序要求（C
L
=50pF，输入
符号 参数
t
SU
t
h
t
W
t
r
，t
f
VCC
限制条件
V
25℃～－
55℃
50
输入 D 到锁存使能最小建立时
2.0
4.5
10
间（图 4）
6.0
9
5
锁存使能到输入 D 最小保持时
2.0
4.5
5
间（图 4）
6.0
5
2.0
75
锁存使能的最小脉宽（图 2）
4.5
15
6.0
13
2.0
1000
最大输入上升沿和下降沿时序
4.5
500
（图 1）
6.0
400
单
位
ns
ns
ns
ns
74HC573
逻辑
74HC573