2024年8月3日发(作者：劳半槐)
浙江航芯源集成电路科技有限公司
Zhejiang HangXinYuan IC Technology Co.,Ltd
C43524RHF 产品手册
双路18V，4.5A抗辐射高速MOSFET驱动器
对标RHPM4424
1.
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
产品特性
单路输出电流：
4.5A
可双路并联使用：
9A
工作电压范围：
4.65V~18V
兼容
5V
输入逻辑电平
110ns
典型传播延迟
可实现与
RHRPM4424 PIN TO PIN
替代
总剂量（TID）耐受：≥100k rad(si)
2.功能描述
C43524RHF
是一款峰值电流
4.5A
的双低边
MOSFET
驱动器。芯片采用高压
CMOS
工艺设计，相比于传
C43524RHF
可在
4.65V~18V
的宽电源电压范围内工作。芯片输入端兼容
TTL
和
CMOS
电平，并且拥有
低至
-5V
高至
VCC+0.3V
的宽逻辑输入电压范围，通过并联两个
PWM
输出，可获得高至
9A
的驱动电流。
3.
➢
➢
产品应用
MOSFET驱动
开关电源模块
4.
➢
裸芯片/封装简介
本产品采用耐热增强型
CFP-16
陶瓷扁平封装
Rev.2
浙
江
航
芯
统的双极型工艺等，具有低功耗、高速、小尺寸等优点。
源
集
成
电
单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗干扰度：≥75MeV*cm
2
/mg
路
科
技
有
最大
20mV
低电平输出电压
限
最大
5ns
双通道匹配传播延迟
公
司
Page 1
浙江航芯源集成电路科技有限公司
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C43524RHF 产品手册
5. 绝对最大额定值
表 1 绝对最大额定值
参数
电源电压
输入逻辑电压
符号
VCC
PWM_1
数值
22
（SGND-0.3）~（VCC+0.3）
单位
V
V
℃
℃
PWM_2
工作温度
贮存温度
热阻（芯片到壳体）
（1）
T
A
T
STG
θ
JC
-55~125
-65~150
使用中超过这些绝对最大值可能对芯片造成永久损坏。
1) 输入电压VCC：4.65V ~ 18V
2) 逻辑输入脚PWM_1：SGND ~ V
CC
；
3) 逻辑输入脚PWM_2：SGND ~ V
CC
；
4) 工作温度范围T
A
：-55℃～125℃。
7. 主要电参数
注：无特别说明T
A
= -55℃~125℃，电源电压范围为4.65V~18V。
芯
参数
电源电压范围
欠压锁定阈值
欠压锁定迟滞
逻辑1，输入高电压
逻辑
0
，输入低电压
江
航
符号
V
CC
源
集
成
表 2 主要电参数
测试条件
PWM_X = SGND
电
路
科
技
有
6. 推荐工作条件
最小值
4.65
2.0
-1
0
0
V
CC
-0.025
限
典型值
4.3
300
最大值
18
4.65
0.8
+1
+3
+5
0.025
V
V
µA
公
司
8 ℃/W
单位
V
V
mV
V
V
浙
V
UVLO
V
BHY
V
IH
V
IL
逻辑输入端电流
I
PWM
PWM_X = 3.3 V
V
CC
= 10 V and 18 V
PWM_X = V
CC
-0.5 V
V
CC
= 18 V
输出逻辑高电压
输出逻辑低电压
V
OH
V
OL
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逻辑高输出阻抗
逻辑低输出阻抗
峰值输出电流
上升延迟时间
R
OH
R
OL
I
PK
t
D1
t
R
t
D2
t
F
I
S
I
OUT
= -100mA，V
CC
=10V
I
OUT
=100mA，V
CC
=10V
V
CC
=10V
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
PWM_1
= V
PWM_2
=3V
V
PWM_1
= V
PWM_2
=0V
4.5
110
30
110
30
1.4
1.9
1
1
Ω
Ω
A
ns
ns
ns
ns
mA
mA
10%
到
90%
上升时间
下降延迟时间
90%
到
10%
下降时间
静态电流
8.1 功能框图
VCC
稳压
电路
PWM
_
1
输入
缓冲
电
路
电平转换
中间级
驱动
芯
源
集
成
稳压
电路
PWM
_
2
输入
缓冲
电平转换
中间级
驱动
江
航
浙
SGND
科
技
有
OUTH_1
PGND
限
OUTL_1
OUTH_2
8. 功能框图及引脚介绍
OUTL_2
图 1 功能框图
8.2 引脚介绍
NC
1
2
16
15
14
13
12
NC
PWM_1
NC
SGND
PGND
OUTL_1
OUTH_1
3
4
5
6
7
8
VCC
VCC
OUTH_2
NC
PWM_2
11
10
OUTL_2
NCNC
9
图 2 引脚分布图(顶视图)
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公
司
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C43524RHF 产品手册
表 3 引脚介绍
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
NC
PWM_1
NC
SGND
PGND
NC
PWM_2
NC
NC
OUTH_2
OUTL_2
VCC
VCC
OUTH_1
OUTL_1
NC
引脚功能描述
空脚，无连接
PWM信号1逻辑输入
空脚，无连接
信号地
功率地
空脚，无连接
PWM信号2逻辑输入
科
技
有
路
电
驱动器1低边开漏输出
电源输入
电源输入
驱动器2高边开漏输出
驱动器2低边开漏输出
空脚，无连接
9. 功能详细说明
9.1 输入端口PWM_X
平之间有300mV的迟滞电压，提高了抗噪声干扰能力。
9.2 输出端口OUTH_X、OUTL_X
输出端口OUTH_X、OUTL_X为PWM信号输出，峰值输出电流典型值4.5A（V
CC
=10V）。低的输
出阻抗确保了即使在发生大的瞬态过程中，外部MOSFET也能保持在设定的开或者关的状态。该功能脚
可通过配置外部电阻来设置MOSFET充放电时间。
9.3 电源输入（VCC）
VCC端口是MOSFET驱动器的电源输入，其工作电压范围为4.65V~18V。电源端必须外接去耦陶瓷电
容，并尽量靠近芯片。该去耦电容提供了局部的低阻抗路径以输出大的峰值电流给负载。
9.4 地（SGND，PGND）
芯片分信号地SGND和功率地PGND，SGND供信号输入使用，PGND与外部PCB板地相连。
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浙
江
航
输入端口PWM_X为TTL/CMOS电平，分别控制两路PWM信号。该输入在高输入电平和低输入电
芯
源
集
成
限
驱动器1高边开漏输出
公
空脚，无连接
司
空脚，无连接
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Zhejiang HangXinYuan IC Technology Co.,Ltd
C43524RHF 产品手册
10. 芯片应用说明
10.1 典型应用图
4.65~18V
1uF
5V
0V
5V
0V
PWM_2
PWM_1
VCC
OUTH_1
OUTL_1
C43524RHF
OUTH_2
OUTL_2
PGND
SGND
11. 注意事项
11.1 产品使用注意事项
2) 电源去耦：应在靠近芯片电源引出端处采用不小于1µF的电容，首选ESR小的陶瓷电容。此外，线
路板布线应尽量短，尽量避免直角、锐角走线；
3) 芯片使用时应先接电源端，再接输入端，同时应尽量避免电源、地线及输入端的干扰。
5) 工作时先检查电源、地是否接触良好后再接通电源。
11.2 产品防护注意事项
1) 本产品可以抗1000V静电击穿，使用时应注意避免静电损伤，操作人员戴接地防静电手环，操作台面、
操作设备接地良好，拿取芯片时，最好使用真空吸笔，以免损伤芯片；
2) 真空包装好的芯片应贮存在温度10℃到30℃、相对湿度20%~70%的环境中，周围没有酸、碱或者其
它腐蚀气体，通风良好，且具备相应防静电措施；未使用的芯片应存于氮气柜中。
3) 在避免雨、雪直接影响的条件下，装有产品的包装箱可以用安全的运输工具运输。但不能和带有酸性、
碱性和其它腐蚀性物体堆放在一起。
Rev.2 Page 5
浙
江
航
端加10pF滤波电容。
芯
4) 当芯片输入端被缓慢上升和缓慢下降的信号驱动时、或者引线比较长时，为防止干扰，需在靠近输入
源
集
成
电
路
1) 芯片工作电压绝对最大额定值22V，芯片不能超过极限工作条件使用；
科
技
有
限
图 3 推荐工作电路
公
司
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C43524RHF 产品手册
12. 芯片外形尺寸
A
Q
b
e
16
1
0
6
9
5
1
1
8
L
E
3
E
2
E
D
c
公
科
技
有
数值，单位mm
公称值
2.65
0.43
0.14
9.91
6.91
2.30
—
1.27
6.85
0.90
—
S1
司
最小
2.42
0.38
0.10
9.71
6.71
2.15
0.76
1.17
6.35
0.66
0.13
尺寸符号
A
b
c
D
E
E2
E3
e
L
Q
S1
限
—
—
最大
2.88
0.48
0.18
10.11
7.11
2.45
1.37
7.36
1.14
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浙
江
航
芯
源
集
成
电
路
浙江航芯源集成电路科技有限公司
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C43524RHF 产品手册
13. 版本说明
产品型号
C43524RHF
C43524RHF
编制时间
2021.10.14
2022.04.11
版本编号
Rev.1
Rev.2
修订记录
初始版本
统一修正
Rev.2 Page 7
浙
江
航
芯
源
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科
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有
限
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双路18V，4.5A抗辐射高速MOSFET驱动器
对标RHPM4424
1.
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
➢
产品特性
单路输出电流：
4.5A
可双路并联使用：
9A
工作电压范围：
4.65V~18V
兼容
5V
输入逻辑电平
110ns
典型传播延迟
可实现与
RHRPM4424 PIN TO PIN
替代
总剂量（TID）耐受：≥100k rad(si)
2.功能描述
C43524RHF
是一款峰值电流
4.5A
的双低边
MOSFET
驱动器。芯片采用高压
CMOS
工艺设计，相比于传
C43524RHF
可在
4.65V~18V
的宽电源电压范围内工作。芯片输入端兼容
TTL
和
CMOS
电平，并且拥有
低至
-5V
高至
VCC+0.3V
的宽逻辑输入电压范围，通过并联两个
PWM
输出，可获得高至
9A
的驱动电流。
3.
➢
➢
产品应用
MOSFET驱动
开关电源模块
4.
➢
裸芯片/封装简介
本产品采用耐热增强型
CFP-16
陶瓷扁平封装
Rev.2
浙
江
航
芯
统的双极型工艺等，具有低功耗、高速、小尺寸等优点。
源
集
成
电
单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗干扰度：≥75MeV*cm
2
/mg
路
科
技
有
最大
20mV
低电平输出电压
限
最大
5ns
双通道匹配传播延迟
公
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5. 绝对最大额定值
表 1 绝对最大额定值
参数
电源电压
输入逻辑电压
符号
VCC
PWM_1
数值
22
（SGND-0.3）~（VCC+0.3）
单位
V
V
℃
℃
PWM_2
工作温度
贮存温度
热阻（芯片到壳体）
（1）
T
A
T
STG
θ
JC
-55~125
-65~150
使用中超过这些绝对最大值可能对芯片造成永久损坏。
1) 输入电压VCC：4.65V ~ 18V
2) 逻辑输入脚PWM_1：SGND ~ V
CC
；
3) 逻辑输入脚PWM_2：SGND ~ V
CC
；
4) 工作温度范围T
A
：-55℃～125℃。
7. 主要电参数
注：无特别说明T
A
= -55℃~125℃，电源电压范围为4.65V~18V。
芯
参数
电源电压范围
欠压锁定阈值
欠压锁定迟滞
逻辑1，输入高电压
逻辑
0
，输入低电压
江
航
符号
V
CC
源
集
成
表 2 主要电参数
测试条件
PWM_X = SGND
电
路
科
技
有
6. 推荐工作条件
最小值
4.65
2.0
-1
0
0
V
CC
-0.025
限
典型值
4.3
300
最大值
18
4.65
0.8
+1
+3
+5
0.025
V
V
µA
公
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8 ℃/W
单位
V
V
mV
V
V
浙
V
UVLO
V
BHY
V
IH
V
IL
逻辑输入端电流
I
PWM
PWM_X = 3.3 V
V
CC
= 10 V and 18 V
PWM_X = V
CC
-0.5 V
V
CC
= 18 V
输出逻辑高电压
输出逻辑低电压
V
OH
V
OL
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逻辑高输出阻抗
逻辑低输出阻抗
峰值输出电流
上升延迟时间
R
OH
R
OL
I
PK
t
D1
t
R
t
D2
t
F
I
S
I
OUT
= -100mA，V
CC
=10V
I
OUT
=100mA，V
CC
=10V
V
CC
=10V
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
CC
=10V
，
C
L
=10nF
V
PWM_1
= V
PWM_2
=3V
V
PWM_1
= V
PWM_2
=0V
4.5
110
30
110
30
1.4
1.9
1
1
Ω
Ω
A
ns
ns
ns
ns
mA
mA
10%
到
90%
上升时间
下降延迟时间
90%
到
10%
下降时间
静态电流
8.1 功能框图
VCC
稳压
电路
PWM
_
1
输入
缓冲
电
路
电平转换
中间级
驱动
芯
源
集
成
稳压
电路
PWM
_
2
输入
缓冲
电平转换
中间级
驱动
江
航
浙
SGND
科
技
有
OUTH_1
PGND
限
OUTL_1
OUTH_2
8. 功能框图及引脚介绍
OUTL_2
图 1 功能框图
8.2 引脚介绍
NC
1
2
16
15
14
13
12
NC
PWM_1
NC
SGND
PGND
OUTL_1
OUTH_1
3
4
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6
7
8
VCC
VCC
OUTH_2
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PWM_2
11
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OUTL_2
NCNC
9
图 2 引脚分布图(顶视图)
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表 3 引脚介绍
引脚编号
1
2
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4
5
6
7
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10
11
12
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14
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引脚名称
NC
PWM_1
NC
SGND
PGND
NC
PWM_2
NC
NC
OUTH_2
OUTL_2
VCC
VCC
OUTH_1
OUTL_1
NC
引脚功能描述
空脚，无连接
PWM信号1逻辑输入
空脚，无连接
信号地
功率地
空脚，无连接
PWM信号2逻辑输入
科
技
有
路
电
驱动器1低边开漏输出
电源输入
电源输入
驱动器2高边开漏输出
驱动器2低边开漏输出
空脚，无连接
9. 功能详细说明
9.1 输入端口PWM_X
平之间有300mV的迟滞电压，提高了抗噪声干扰能力。
9.2 输出端口OUTH_X、OUTL_X
输出端口OUTH_X、OUTL_X为PWM信号输出，峰值输出电流典型值4.5A（V
CC
=10V）。低的输
出阻抗确保了即使在发生大的瞬态过程中，外部MOSFET也能保持在设定的开或者关的状态。该功能脚
可通过配置外部电阻来设置MOSFET充放电时间。
9.3 电源输入（VCC）
VCC端口是MOSFET驱动器的电源输入，其工作电压范围为4.65V~18V。电源端必须外接去耦陶瓷电
容，并尽量靠近芯片。该去耦电容提供了局部的低阻抗路径以输出大的峰值电流给负载。
9.4 地（SGND，PGND）
芯片分信号地SGND和功率地PGND，SGND供信号输入使用，PGND与外部PCB板地相连。
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浙
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航
输入端口PWM_X为TTL/CMOS电平，分别控制两路PWM信号。该输入在高输入电平和低输入电
芯
源
集
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限
驱动器1高边开漏输出
公
空脚，无连接
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空脚，无连接
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10. 芯片应用说明
10.1 典型应用图
4.65~18V
1uF
5V
0V
5V
0V
PWM_2
PWM_1
VCC
OUTH_1
OUTL_1
C43524RHF
OUTH_2
OUTL_2
PGND
SGND
11. 注意事项
11.1 产品使用注意事项
2) 电源去耦：应在靠近芯片电源引出端处采用不小于1µF的电容，首选ESR小的陶瓷电容。此外，线
路板布线应尽量短，尽量避免直角、锐角走线；
3) 芯片使用时应先接电源端，再接输入端，同时应尽量避免电源、地线及输入端的干扰。
5) 工作时先检查电源、地是否接触良好后再接通电源。
11.2 产品防护注意事项
1) 本产品可以抗1000V静电击穿，使用时应注意避免静电损伤，操作人员戴接地防静电手环，操作台面、
操作设备接地良好，拿取芯片时，最好使用真空吸笔，以免损伤芯片；
2) 真空包装好的芯片应贮存在温度10℃到30℃、相对湿度20%~70%的环境中，周围没有酸、碱或者其
它腐蚀气体，通风良好，且具备相应防静电措施；未使用的芯片应存于氮气柜中。
3) 在避免雨、雪直接影响的条件下，装有产品的包装箱可以用安全的运输工具运输。但不能和带有酸性、
碱性和其它腐蚀性物体堆放在一起。
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浙
江
航
端加10pF滤波电容。
芯
4) 当芯片输入端被缓慢上升和缓慢下降的信号驱动时、或者引线比较长时，为防止干扰，需在靠近输入
源
集
成
电
路
1) 芯片工作电压绝对最大额定值22V，芯片不能超过极限工作条件使用；
科
技
有
限
图 3 推荐工作电路
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12. 芯片外形尺寸
A
Q
b
e
16
1
0
6
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1
1
8
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E
3
E
2
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公
科
技
有
数值，单位mm
公称值
2.65
0.43
0.14
9.91
6.91
2.30
—
1.27
6.85
0.90
—
S1
司
最小
2.42
0.38
0.10
9.71
6.71
2.15
0.76
1.17
6.35
0.66
0.13
尺寸符号
A
b
c
D
E
E2
E3
e
L
Q
S1
限
—
—
最大
2.88
0.48
0.18
10.11
7.11
2.45
1.37
7.36
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芯
源
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13. 版本说明
产品型号
C43524RHF
C43524RHF
编制时间
2021.10.14
2022.04.11
版本编号
Rev.1
Rev.2
修订记录
初始版本
统一修正
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