2024年8月13日发(作者：赧易)
F9530N场效应管参数
1. 简介
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，它具
有高输入阻抗、低噪声、低失真和高增益等特点。F9530N是一种常见的场效应管
型号，本文将对其参数进行详细介绍和解析。
2. 参数说明
F9530N是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor），其参数包括静态和动态参数。下面将分别对这些参数进行详细说明。
2.1 静态参数
静态参数是指在直流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 雅各布斯损
耗（Junction-to-Body Schottky Diode Forward Voltage）：Vf - 阈值电压
（Gate Threshold Voltage）：Vgs(th) - 静态漏极电流（Static Drain
Current）：Idss - 静态漏源电压（Static Drain-Source Voltage）：Vds - 静
态源极电流（Static Source Current）：Iss - 静态源极电压（Static Source-
Body Voltage）：Vsb
2.2 动态参数
动态参数是指在交流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 输入电容
（Input Capacitance）：Ciss - 输出电容（Output Capacitance）：Coss - 反
馈电容（Feedback Capacitance）：Crss - 开关时间（Switching Time）：tf、
tr - 负载电容（Load Capacitance）：Cl
3. 参数解析
3.1 雅各布斯损耗（Vf）
雅各布斯损耗是指场效应管的源极与基极之间的二极管的正向电压。F9530N的Vf
一般为0.8V，该参数影响场效应管的导通特性和功耗。
3.2 阈值电压（Vgs(th)）
阈值电压是指场效应管导通的临界电压，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开
始导通。F9530N的Vgs(th)一般为2.0V，该参数决定了场效应管的灵敏度和控制
特性。
3.3 静态漏极电流（Idss）
静态漏极电流是指在Vgs=0V时，场效应管的漏极电流。F9530N的Idss一般为
10mA，该参数与场效应管的最大电流容量相关。
3.4 静态漏源电压（Vds）
静态漏源电压是指场效应管的漏极与源极之间的电压。F9530N的Vds一般为25V，
该参数决定了场效应管的最大工作电压。
3.5 静态源极电流（Iss）
静态源极电流是指在Vgs=0V时，场效应管的源极电流。F9530N的Iss一般为2mA，
该参数与场效应管的最大电流容量相关。
3.6 静态源极电压（Vsb）
静态源极电压是指场效应管的源极与基极之间的电压。F9530N的Vsb一般为0V，
该参数影响场效应管的工作状态和稳定性。
3.7 输入电容（Ciss）
输入电容是指场效应管的输入端与输出端之间的电容。F9530N的Ciss一般为
2000pF，该参数影响场效应管的输入阻抗和高频特性。
3.8 输出电容（Coss）
输出电容是指场效应管的输出端与源极之间的电容。F9530N的Coss一般为110pF，
该参数影响场效应管的输出阻抗和高频特性。
3.9 反馈电容（Crss）
反馈电容是指场效应管的源极与栅极之间的电容。F9530N的Crss一般为25pF，该
参数影响场效应管的稳定性和频率特性。
3.10 开关时间（tf、tr）
开关时间是指场效应管从导通到截止或从截止到导通的时间。F9530N的tf和tr
一般为8ns，该参数影响场效应管的开关速度和响应时间。
3.11 负载电容（Cl）
负载电容是指场效应管的输出端与负载之间的电容。F9530N的Cl一般为1000pF，
该参数影响场效应管的输出特性和负载容量。
4. 应用领域
F9530N场效应管广泛应用于电子设备和电路中，常见的应用领域包括： - 放大器
电路：利用场效应管的高增益和低噪声特性进行信号放大。 - 开关电路：利用场
效应管的开关速度和响应时间控制信号的通断。 - 逆变器电路：利用场效应管的
导电特性将直流信号转换为交流信号。 - 电源管理：利用场效应管的低功耗和高
效率进行电源开关和电流调节。
5. 总结
F9530N场效应管是一种常见的N沟道增强型MOSFET，具有许多重要的参数，包括
静态和动态参数。了解这些参数对于正确选择和应用场效应管至关重要。本文对
F9530N场效应管的参数进行了详细解析，并介绍了其在电子设备和电路中的应用
领域。通过深入了解和应用这些参数，可以充分发挥场效应管的性能，提升电路的
稳定性和可靠性。
2024年8月13日发(作者：赧易)
F9530N场效应管参数
1. 简介
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，它具
有高输入阻抗、低噪声、低失真和高增益等特点。F9530N是一种常见的场效应管
型号，本文将对其参数进行详细介绍和解析。
2. 参数说明
F9530N是一种N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor），其参数包括静态和动态参数。下面将分别对这些参数进行详细说明。
2.1 静态参数
静态参数是指在直流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 雅各布斯损
耗（Junction-to-Body Schottky Diode Forward Voltage）：Vf - 阈值电压
（Gate Threshold Voltage）：Vgs(th) - 静态漏极电流（Static Drain
Current）：Idss - 静态漏源电压（Static Drain-Source Voltage）：Vds - 静
态源极电流（Static Source Current）：Iss - 静态源极电压（Static Source-
Body Voltage）：Vsb
2.2 动态参数
动态参数是指在交流工作条件下场效应管的性能指标，主要包括： - 输入电容
（Input Capacitance）：Ciss - 输出电容（Output Capacitance）：Coss - 反
馈电容（Feedback Capacitance）：Crss - 开关时间（Switching Time）：tf、
tr - 负载电容（Load Capacitance）：Cl
3. 参数解析
3.1 雅各布斯损耗（Vf）
雅各布斯损耗是指场效应管的源极与基极之间的二极管的正向电压。F9530N的Vf
一般为0.8V，该参数影响场效应管的导通特性和功耗。
3.2 阈值电压（Vgs(th)）
阈值电压是指场效应管导通的临界电压，当栅极电压超过阈值电压时，场效应管开
始导通。F9530N的Vgs(th)一般为2.0V，该参数决定了场效应管的灵敏度和控制
特性。
3.3 静态漏极电流（Idss）
静态漏极电流是指在Vgs=0V时，场效应管的漏极电流。F9530N的Idss一般为
10mA，该参数与场效应管的最大电流容量相关。
3.4 静态漏源电压（Vds）
静态漏源电压是指场效应管的漏极与源极之间的电压。F9530N的Vds一般为25V，
该参数决定了场效应管的最大工作电压。
3.5 静态源极电流（Iss）
静态源极电流是指在Vgs=0V时，场效应管的源极电流。F9530N的Iss一般为2mA，
该参数与场效应管的最大电流容量相关。
3.6 静态源极电压（Vsb）
静态源极电压是指场效应管的源极与基极之间的电压。F9530N的Vsb一般为0V，
该参数影响场效应管的工作状态和稳定性。
3.7 输入电容（Ciss）
输入电容是指场效应管的输入端与输出端之间的电容。F9530N的Ciss一般为
2000pF，该参数影响场效应管的输入阻抗和高频特性。
3.8 输出电容（Coss）
输出电容是指场效应管的输出端与源极之间的电容。F9530N的Coss一般为110pF，
该参数影响场效应管的输出阻抗和高频特性。
3.9 反馈电容（Crss）
反馈电容是指场效应管的源极与栅极之间的电容。F9530N的Crss一般为25pF，该
参数影响场效应管的稳定性和频率特性。
3.10 开关时间（tf、tr）
开关时间是指场效应管从导通到截止或从截止到导通的时间。F9530N的tf和tr
一般为8ns，该参数影响场效应管的开关速度和响应时间。
3.11 负载电容（Cl）
负载电容是指场效应管的输出端与负载之间的电容。F9530N的Cl一般为1000pF，
该参数影响场效应管的输出特性和负载容量。
4. 应用领域
F9530N场效应管广泛应用于电子设备和电路中，常见的应用领域包括： - 放大器
电路：利用场效应管的高增益和低噪声特性进行信号放大。 - 开关电路：利用场
效应管的开关速度和响应时间控制信号的通断。 - 逆变器电路：利用场效应管的
导电特性将直流信号转换为交流信号。 - 电源管理：利用场效应管的低功耗和高
效率进行电源开关和电流调节。
5. 总结
F9530N场效应管是一种常见的N沟道增强型MOSFET，具有许多重要的参数，包括
静态和动态参数。了解这些参数对于正确选择和应用场效应管至关重要。本文对
F9530N场效应管的参数进行了详细解析，并介绍了其在电子设备和电路中的应用
领域。通过深入了解和应用这些参数，可以充分发挥场效应管的性能，提升电路的
稳定性和可靠性。