2024年9月24日发(作者:公西曲文)
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信阳师范学院学报:自然科学版
Journal of Xinyang Normal University
第2l卷第3期2008年7月
Natural Science Edition Vo1.21 No.3 Ju1.2008
・
基础理论研究・
LaNi4
.
5
Gao
.
5一H的电子结构和氢原子微观组态
刘百超 ,龚 克,陈 东
(信阳师范学院物理电子工程学院,河南信阳464000)
摘要:采用全势线性缀加平面波(FP.LAPW)方法研究了1..aNi4.5Gao.5H (Y=1.0,1.5)的晶体结构,电
子结构和氢原子的微观组态.计算基于H.H间的距离不小于2.1A的准则,采用结构优化和内坐标驰豫并通过
计算氢原子占据不同格位时kINi Gao H 的总能量得出氢原子最可能占据的位置.研究发现氢原子优先占据
6m,12n 和3f位,4h格位没有氢原子占据.由于晶胞膨胀导致Ni.d带变窄,Ga原子的加入引起费米能级处态
密度的降低,H原子的作用则相反.H和Ni,Ga之间的相互作用是l_z_Ni Gao H 固溶体保持稳定的主要因
素.费米能级E,向高能区域移动的越少体系越稳定.
关键词:LaNi4 5Gao 5;氢;电子结构;FP-LAPW方法
中图分类号:TG139 文献标识码:A 文章编号:1003-0972(2008)03-0365-04
The Electronic Structure and Hydrogen Microarrangements of
LaNi4
5
Gao
5-H Systems
.
.
LIU Bai-chao’,GONG Ke,CHEN Dong
(College of Physics and Electronic Engineering,Xinyang Normal Universiyt,Xinyang 464OOO,China)
Abstract:The crystal structures,electronic structures and hydrogen occupatied sites of
LaNi4
.
5
Ga0
.
5
H (Y 1.0,1.5)have been investigated using all—electron FP—LAPW method.Their e—
quilibrium structures have been determined based on the calculated relative stabilities of hydrogen OC-
cupation sites in LaNi4
5
Gao
5
H and the rule of H—H separation to be no less than 2.1 A,as well as
..
the full optimization.The hydrogen atoms were f0und to prefer the 6m.12n‘and 3f sites.A narrowed
Ni—d band was f0und due to the lattice expansion.The Ga atom leads to a decrease of n(E,),while
the H atoms do the opposite.The interaction between Ga and Ni,H plays a dominant role in the sta-
bility of LaNi4
5
Ga0
H .The smaller the shift of E,towards higher energy region is,the more stable
.
.
5
will be the compounds.
Key words:LaNi4
5
Gao 5;hydrogen;electronic structure;FP—LAPW method
.
0 引言
乎不影响储氢量和活化能 ,而且当Ga的含量适中时合
金属氢化物最近十多年来引起了人们的广泛关
金的热力学性质能得到明显改善.
注 。 .其中LaNi 系列合金是稀土系储氢合金的典型代
由于目前对合金固溶体(0≤y≤1.5) 中H原子的
表,它具有储氢量大、易活化、平衡压力适中、吸放氢速度快
占位及其电子结构的实验研究和理论分析仍然很少,尤其
等优点,但是也存在易粉化,循环寿命短等缺陷.为了满足
是从化学键角度的研究更是很缺乏;本文通过全势线性缀
实际工作中的需要,人们用金属M取代部分Ni形成伪二
加平面波(FP-LAPW)方法,在全电子水平上计算研究了
元合金LaNis ̄M (M=Fe,Co,Mn,Ga等) ].由于其优异
LaNi Gao H 的电子结构及氢原子的微观组态,对电子结
的储氢特性,LaNi Ga 合金得到人们的广泛关注 .Ga
构与合金稳定性的关系也进行了分析.计算结果与已有的
替代Ni可以极大地提高合金的循环寿命和放电容量,却几
中子衍射实验结果吻合得相当好.
收稿日期:2007-12-25;修订日期:2008-05-04; .通讯联系人,E-mail:chchendong2010@163.com
基金项目:河南省教育厅自然科学研究项目(200314(X)30)
作者简介:刘百超(1980-),男,河南南阳人,助教,主要从事材料的原子分子设计研究.
365
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第21卷第3期 信阳师范学院学报:自然科学版 2008年7月
1 晶体结构及计算方法
1. ̄rNis合金具有六方CaCu 型结构,其中IJa原子占据
la(0,0,0)Wyekoff格位,2个不等价Ni原子分别占据2c
(0.333 3,0.666 7,0)和3g(0.0,0.5,0.5)格位,空间群为
(La1Ni3),12o’(La1Ni3),3f(La2Ni3Ga1),4h( 3Ga1),
6m( Ni2),12n(La1 Nj2Ga1)和12o(La1Ni3).基于West.
1ake得到的最优化模型构造原理:①氢原子优先占据空隙
半径大于0.4 A的格位;②H.H之间的最小间距为2.1
A“ .我们对LaNi4 5Gao 5H (Y=1.0,1.5)分别构建了几
种模型,以期得到氢原子的微观组态.
P6/mmm.Jensen等” 通过 射线粉末衍射法分析得到对
于l_aNi5 Ga,合金在 ≤1.3时合金仍保持CaCu 结构.Ga
原子仅占据3g格位¨ .基于上述结果我们沿着C轴方向构
建了一个双晶胞,Ga原子替代3g格位的等价位置(0.5a,
0.5b,0.75c)的Ni原子,双晶胞中共有La原子2个、Ni原
子9个、Ga原子1个(见图1).
本文所有计算都是在密度泛函理论框架下进行的,采
用全电子水平下的全势线性缀加平面波FP—LAPW方
法¨ ,对于交换.相关势采用GGA.PBE96【】 处理.内部原
子的驰豫采用了BFGS方法.通过初始能量收敛测试得到
参数冗J【一值为8.0,对IJa、Ni、Ga、H原子分别选取月 半径
为2.0,2.0,1.8,0.7au.在不可约布里渊区中沿 ,y,z轴分
别选取了8×8×4个k点.
2结果与讨论
2.1最优化晶胞结构
通过优化计算,从表1中得到氢原子优先占据6m,
12n‘和3f格位,4h格位完全没有占据.由于目前尚没有
LaNi4
5
Gao
5
H 的晶胞参数,所以我们对LaNi4
5的晶胞
5
Gao
...
进行了优化并与实验值进行了比较,表2中给出的晶胞常
2
数最大绝对误差仅为1.3%.电子比热系数 = 砖n
(E,)” ,其中k是玻耳兹曼常数,随着氢原子的加入,晶
图1 LaNi4 5Gao
5
双晶胞结构图
.
胞主要沿着C轴方向膨胀,各向异性增强.E,处的态密度
/'t(E,)从8.95,9,21增加到9.49 states/eV.f.u,相应的电
子比热系数为21.0,21,7和22.4 mJ/mol LaNi4 5Gao 5H 一
K
.
Fig.1 Schematic double unit cell used for LaNi 5Gao
5
在LaNi5合金中共有5种格位可以储氢(3f,4h,6m,
12n,12o) ,这些格位在l_a_Ni Ga。 双晶胞中变成10
个:3f’(La2Ni4),4h (Ni4),6m’(La2Ni2),12n‘
表1 LaNi4 5Gao 5H 和LaNi4 5Gao 5H1_5的点阵常数、费米能级和总能量
Tab.1 Calculated lattice constants,E,and total energy for LaNi4
Ga0
5
HI0and LaNi4
5
Gao
5
H1
5
5
......
格位
12n.4h
a/nm
0.503 9
c/nm
0.408 0
能量/eV
.841 209.279 6
,
格位
6m12n ,3f
a/nm
0.508 2
c/nm
0.416 7
能量/eV
-841 228.277 4
6m.12n
4h,12o’
6m,12n’
12o.6m‘
0.500 8
0.502 3
0.507 6
0.507 6
0.415 8
0.410 7
0.413 8
0.413 8
1 173.828 5
—841 212.342 3
-841 212.392 7
—841 212.373 6
6m ,6m,4h
12o,12o,6m
4h,12n,12n
3f,12o’,12n‘
0.506 8
0.508 1
0,509 6
0.509 6
0.416 5
0.417 9
0.417 5
0.417 7
-841 227.658 6
—841 228.117 1
-841 228,178 2
-841 228,208 1
表2 l_aNi
o sH,的点阵常数,费米能级处的TDOS和电子比热系数
5
Ga
.
Tab.2 Calculated lattice constants,TDOS at E,and electronic speciic heat coeffficients for LaNi4
Gao
5
Hy
5
..
2.2态密度分析
因为在计算中采用了双晶胞结构,所以TDOS和各原
366
子的分波态密度都是单胞的2倍.从图2、图3、图4中可以
看到,费米能级处的态密度主要是由Ni.3d带构成的,La-5d
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刘百超,等:1.aNI4. Ga 一H的电子结构和氢原子微观组态
的贡献很小,但也不可忽略.La-4f带的贡献很小,在我们的
计算中完全可以忽略.费米能级以下…5 l0 eV处的态
密度随着H原子的增加而增大,表明Ga.H和H—Ni间的相
互作用逐渐增强.一9.5~一5 eV处的态密度主要是由H—S
带和Ga.s,Ni,La的相互作用形成的.
Ga-H和Ga-Ni之间的相互作用是提高LaNi Ga0. H
固溶体稳定性和循环寿命的主要因素.当Y从1.0增加到
1.5时,Ni-d带变窄,这表明Ni-Ni之问的相互作用减弱.
Ga.H和Ga—Ni之间在低能区域的相互作用越高,合金稳定
2.3电子密度分析
图5表示LaNi . Gao. H . (0003)面的电子密度,可以
清晰地看到金属和氢以及金属之间的键电荷.原子核附近
的电子密度很高,氢原子主要占据电子密度较低的区域,
即:间隙区域.从图5中看不到局域的共价键电荷,说明金
属和氢之间的化学键主要是金属键.显然Ga-H问的相互作
用(~0.25 )比Ni.H之间的相互作用(~0.5 )
弱,但比La.H之间的相互作用强.La原子与H原子的电子云
几乎没有发生交叠,这说明H与h这种氢化物的形成元素之
间的化学键很弱,这与单质元素La和H之间能形成很强的化
学键是完全不同的.从图5中我们可以得出合金中存在的化学
键由强到弱依次为Ni.H,Ga-H和La-H_
1.6
性越强.费米能级E,向高能量区域移动的越少,合金越稳
定.H和Ni,Ga之间的相互作用是LaNi . Gao H 合金保持
稳定的主要因素.
摇
H-协‘
A~
n2●
‘ _
一
1 4
1,2
Ca—tot
0.12
营 器
1.
/
2:
1.
M 毗…’ \
1.0
0.8
芒
La tot ’ ‘ 。 。 。’几…
..
0 6
0.4
0.2
【】.0
图2 LaNi4.5Gao 5Hl 0中H,Ga,Ni,La的总态密度
Gao
5
H1
o,
Fig.2 Total DOS(TDOS)for LaNi4
5
.
0,0 0.1 0,2 0.3 0.4 0 5 0.6 0.7
/rmJ
0.8 O.9
H,Ga,Ni,La
p
图5 LaNi4 5Gao 5Hl 5(0003)面的电子密度
Fig.5 Charge density of LaNi4
Gao
5
Ht
5 5
.
..
…
8
八. 一^.
or fthef0003)plane
nO2
0 o00
口O_衄
.
…
—
0 . .:
, pH— 、, 、一
3 结论
通过全电子下的全势线性缀加平面波方法计算研究了
LaNi Gao
.
oo00
l
…
H (1.0≤,,≤1.5)的品胞结构,电子结构和氢原
.
子的微观组态.通过对LaNi
Gao H (Y=1.0,1.5)的研
-
16—14-12-10—8—6—4—2 0 2 4 6 8
EleV
究发现,H原子优先占据6m,12n’和3f格位.先加人的H
原子引起品格畸变,影响了后续氢原子占据的位置.品格膨
胀表明固溶体的稳定性较LaNi Gao 有所降低.态密度分
析发现Ga—S和H—S带在低能区域形成了一个新的带结构,
图3 Ga。H的分波态密度
Fig.3 Partial DOSs projected onto Ga,H
45
40
35
30
∞
Ga—P带则位于更高的能量区域并与Ni.d和La.d带产生相
互作用.
25
昌20
15
10
5
0
随着H原子的加人,品胞主要沿着C轴方向膨胀,各向
异性增强.Ga原子的加人引起费米能级处态密度的降低,H
原子的作用则相反.从电子密度分析中可以得出合金主要
存在的是金属键.La原子与Ni原子之间的相互作用由于H
El毛
原子的增加而减弱.合金中存在的化学键由强到弱依次为
Ni—H,Ga-H和La-H.如果 处于带隙的底部,则体系较稳
图4 LaN.4-5Gao.5H1.5的总态密度
ig・4 TDOS fFor LaNi4-5Gao.5H1.5
定.计算结果与已有的实验结果符合得相当好.
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责任编辑:任长江
(上接第349页)
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责任编辑:张建合
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Abstract:The crystal structures,electronic structures and hydrogen occupatied sites of
LaNi4
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.
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quilibrium structures have been determined based on the calculated relative stabilities of hydrogen OC-
cupation sites in LaNi4
5
Gao
5
H and the rule of H—H separation to be no less than 2.1 A,as well as
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the full optimization.The hydrogen atoms were f0und to prefer the 6m.12n‘and 3f sites.A narrowed
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the H atoms do the opposite.The interaction between Ga and Ni,H plays a dominant role in the sta-
bility of LaNi4
5
Ga0
H .The smaller the shift of E,towards higher energy region is,the more stable
.
.
5
will be the compounds.
Key words:LaNi4
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Gao 5;hydrogen;electronic structure;FP—LAPW method
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表,它具有储氢量大、易活化、平衡压力适中、吸放氢速度快
占位及其电子结构的实验研究和理论分析仍然很少,尤其
等优点,但是也存在易粉化,循环寿命短等缺陷.为了满足
是从化学键角度的研究更是很缺乏;本文通过全势线性缀
实际工作中的需要,人们用金属M取代部分Ni形成伪二
加平面波(FP-LAPW)方法,在全电子水平上计算研究了
元合金LaNis ̄M (M=Fe,Co,Mn,Ga等) ].由于其优异
LaNi Gao H 的电子结构及氢原子的微观组态,对电子结
的储氢特性,LaNi Ga 合金得到人们的广泛关注 .Ga
构与合金稳定性的关系也进行了分析.计算结果与已有的
替代Ni可以极大地提高合金的循环寿命和放电容量,却几
中子衍射实验结果吻合得相当好.
收稿日期:2007-12-25;修订日期:2008-05-04; .通讯联系人,E-mail:chchendong2010@163.com
基金项目:河南省教育厅自然科学研究项目(200314(X)30)
作者简介:刘百超(1980-),男,河南南阳人,助教,主要从事材料的原子分子设计研究.
365
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第21卷第3期 信阳师范学院学报:自然科学版 2008年7月
1 晶体结构及计算方法
1. ̄rNis合金具有六方CaCu 型结构,其中IJa原子占据
la(0,0,0)Wyekoff格位,2个不等价Ni原子分别占据2c
(0.333 3,0.666 7,0)和3g(0.0,0.5,0.5)格位,空间群为
(La1Ni3),12o’(La1Ni3),3f(La2Ni3Ga1),4h( 3Ga1),
6m( Ni2),12n(La1 Nj2Ga1)和12o(La1Ni3).基于West.
1ake得到的最优化模型构造原理:①氢原子优先占据空隙
半径大于0.4 A的格位;②H.H之间的最小间距为2.1
A“ .我们对LaNi4 5Gao 5H (Y=1.0,1.5)分别构建了几
种模型,以期得到氢原子的微观组态.
P6/mmm.Jensen等” 通过 射线粉末衍射法分析得到对
于l_aNi5 Ga,合金在 ≤1.3时合金仍保持CaCu 结构.Ga
原子仅占据3g格位¨ .基于上述结果我们沿着C轴方向构
建了一个双晶胞,Ga原子替代3g格位的等价位置(0.5a,
0.5b,0.75c)的Ni原子,双晶胞中共有La原子2个、Ni原
子9个、Ga原子1个(见图1).
本文所有计算都是在密度泛函理论框架下进行的,采
用全电子水平下的全势线性缀加平面波FP—LAPW方
法¨ ,对于交换.相关势采用GGA.PBE96【】 处理.内部原
子的驰豫采用了BFGS方法.通过初始能量收敛测试得到
参数冗J【一值为8.0,对IJa、Ni、Ga、H原子分别选取月 半径
为2.0,2.0,1.8,0.7au.在不可约布里渊区中沿 ,y,z轴分
别选取了8×8×4个k点.
2结果与讨论
2.1最优化晶胞结构
通过优化计算,从表1中得到氢原子优先占据6m,
12n‘和3f格位,4h格位完全没有占据.由于目前尚没有
LaNi4
5
Gao
5
H 的晶胞参数,所以我们对LaNi4
5的晶胞
5
Gao
...
进行了优化并与实验值进行了比较,表2中给出的晶胞常
2
数最大绝对误差仅为1.3%.电子比热系数 = 砖n
(E,)” ,其中k是玻耳兹曼常数,随着氢原子的加入,晶
图1 LaNi4 5Gao
5
双晶胞结构图
.
胞主要沿着C轴方向膨胀,各向异性增强.E,处的态密度
/'t(E,)从8.95,9,21增加到9.49 states/eV.f.u,相应的电
子比热系数为21.0,21,7和22.4 mJ/mol LaNi4 5Gao 5H 一
K
.
Fig.1 Schematic double unit cell used for LaNi 5Gao
5
在LaNi5合金中共有5种格位可以储氢(3f,4h,6m,
12n,12o) ,这些格位在l_a_Ni Ga。 双晶胞中变成10
个:3f’(La2Ni4),4h (Ni4),6m’(La2Ni2),12n‘
表1 LaNi4 5Gao 5H 和LaNi4 5Gao 5H1_5的点阵常数、费米能级和总能量
Tab.1 Calculated lattice constants,E,and total energy for LaNi4
Ga0
5
HI0and LaNi4
5
Gao
5
H1
5
5
......
格位
12n.4h
a/nm
0.503 9
c/nm
0.408 0
能量/eV
.841 209.279 6
,
格位
6m12n ,3f
a/nm
0.508 2
c/nm
0.416 7
能量/eV
-841 228.277 4
6m.12n
4h,12o’
6m,12n’
12o.6m‘
0.500 8
0.502 3
0.507 6
0.507 6
0.415 8
0.410 7
0.413 8
0.413 8
1 173.828 5
—841 212.342 3
-841 212.392 7
—841 212.373 6
6m ,6m,4h
12o,12o,6m
4h,12n,12n
3f,12o’,12n‘
0.506 8
0.508 1
0,509 6
0.509 6
0.416 5
0.417 9
0.417 5
0.417 7
-841 227.658 6
—841 228.117 1
-841 228,178 2
-841 228,208 1
表2 l_aNi
o sH,的点阵常数,费米能级处的TDOS和电子比热系数
5
Ga
.
Tab.2 Calculated lattice constants,TDOS at E,and electronic speciic heat coeffficients for LaNi4
Gao
5
Hy
5
..
2.2态密度分析
因为在计算中采用了双晶胞结构,所以TDOS和各原
366
子的分波态密度都是单胞的2倍.从图2、图3、图4中可以
看到,费米能级处的态密度主要是由Ni.3d带构成的,La-5d
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刘百超,等:1.aNI4. Ga 一H的电子结构和氢原子微观组态
的贡献很小,但也不可忽略.La-4f带的贡献很小,在我们的
计算中完全可以忽略.费米能级以下…5 l0 eV处的态
密度随着H原子的增加而增大,表明Ga.H和H—Ni间的相
互作用逐渐增强.一9.5~一5 eV处的态密度主要是由H—S
带和Ga.s,Ni,La的相互作用形成的.
Ga-H和Ga-Ni之间的相互作用是提高LaNi Ga0. H
固溶体稳定性和循环寿命的主要因素.当Y从1.0增加到
1.5时,Ni-d带变窄,这表明Ni-Ni之问的相互作用减弱.
Ga.H和Ga—Ni之间在低能区域的相互作用越高,合金稳定
2.3电子密度分析
图5表示LaNi . Gao. H . (0003)面的电子密度,可以
清晰地看到金属和氢以及金属之间的键电荷.原子核附近
的电子密度很高,氢原子主要占据电子密度较低的区域,
即:间隙区域.从图5中看不到局域的共价键电荷,说明金
属和氢之间的化学键主要是金属键.显然Ga-H问的相互作
用(~0.25 )比Ni.H之间的相互作用(~0.5 )
弱,但比La.H之间的相互作用强.La原子与H原子的电子云
几乎没有发生交叠,这说明H与h这种氢化物的形成元素之
间的化学键很弱,这与单质元素La和H之间能形成很强的化
学键是完全不同的.从图5中我们可以得出合金中存在的化学
键由强到弱依次为Ni.H,Ga-H和La-H_
1.6
性越强.费米能级E,向高能量区域移动的越少,合金越稳
定.H和Ni,Ga之间的相互作用是LaNi . Gao H 合金保持
稳定的主要因素.
摇
H-协‘
A~
n2●
‘ _
一
1 4
1,2
Ca—tot
0.12
营 器
1.
/
2:
1.
M 毗…’ \
1.0
0.8
芒
La tot ’ ‘ 。 。 。’几…
..
0 6
0.4
0.2
【】.0
图2 LaNi4.5Gao 5Hl 0中H,Ga,Ni,La的总态密度
Gao
5
H1
o,
Fig.2 Total DOS(TDOS)for LaNi4
5
.
0,0 0.1 0,2 0.3 0.4 0 5 0.6 0.7
/rmJ
0.8 O.9
H,Ga,Ni,La
p
图5 LaNi4 5Gao 5Hl 5(0003)面的电子密度
Fig.5 Charge density of LaNi4
Gao
5
Ht
5 5
.
..
…
8
八. 一^.
or fthef0003)plane
nO2
0 o00
口O_衄
.
…
—
0 . .:
, pH— 、, 、一
3 结论
通过全电子下的全势线性缀加平面波方法计算研究了
LaNi Gao
.
oo00
l
…
H (1.0≤,,≤1.5)的品胞结构,电子结构和氢原
.
子的微观组态.通过对LaNi
Gao H (Y=1.0,1.5)的研
-
16—14-12-10—8—6—4—2 0 2 4 6 8
EleV
究发现,H原子优先占据6m,12n’和3f格位.先加人的H
原子引起品格畸变,影响了后续氢原子占据的位置.品格膨
胀表明固溶体的稳定性较LaNi Gao 有所降低.态密度分
析发现Ga—S和H—S带在低能区域形成了一个新的带结构,
图3 Ga。H的分波态密度
Fig.3 Partial DOSs projected onto Ga,H
45
40
35
30
∞
Ga—P带则位于更高的能量区域并与Ni.d和La.d带产生相
互作用.
25
昌20
15
10
5
0
随着H原子的加人,品胞主要沿着C轴方向膨胀,各向
异性增强.Ga原子的加人引起费米能级处态密度的降低,H
原子的作用则相反.从电子密度分析中可以得出合金主要
存在的是金属键.La原子与Ni原子之间的相互作用由于H
El毛
原子的增加而减弱.合金中存在的化学键由强到弱依次为
Ni—H,Ga-H和La-H.如果 处于带隙的底部,则体系较稳
图4 LaN.4-5Gao.5H1.5的总态密度
ig・4 TDOS fFor LaNi4-5Gao.5H1.5
定.计算结果与已有的实验结果符合得相当好.
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