2024年2月11日发(作者：嘉和豫)
中国集成电路ChinalntegratedCircult企业与产品航顺高性能32位MCU系列产品特点及其产品应用介绍陆建球，刘爱国刘吉平，马青松，航顺芯片1前言传统的低功耗MCU设计都是以8位MCU为主，因为8位内核阈门相对较少，运行或泄露电流低，售价也相对低廉。但是，随着物联网、5G、云计智慧家庭、智慧园区的应算、大数据以及智慧城市、用，8位内处理效率已经不能满足市场需求。近年来，鉴于以下缘由，32位低功耗MCU得以兴起。①手持式消费性电子产品与无线功能的需求要提高性能的同时又要越来越高、设计越来越复杂，兼顾低功耗，需要有一高性能低功耗的主控MCU来如远程监作为平台。②工业上的智能化也在展开，控、数字化、网络化等。简单说来，就是人物之连结物物之连结（物联网）需求越来越多，（云端应用）、运算量越来越高，导致产品功能越来越复杂，③制程主微缩技术的进步，嵌入式闪存制程普及化及降价，要成本来自内存大小及模拟外围和I/O管脚数量，更促进了高性价CPU内核的成本差异已大幅缩短，比32位低功耗MCU的快速发展。应该看到，随着集成电路制造技术的不断进步,单个芯片上集成的晶体管越来越多。这使得大规模（VLSI）集成电路的功耗成为芯片设计的关键问题，功耗对电路的影尤其是，当工艺发展到深亚微米时，响使它成为集成电路设计中必须考虑的因素。低功耗设计对提高电路可靠性和降低成本有着非常积极的作用。就数字CMOS电路功耗主要由动态开关功其中动态开关耗、漏电功耗和短路功耗三部分组成，功耗占据了总功耗的绝大部分，因此降低功耗主要通过降低动态开关功耗实现，而降低动态开关功耗又可以通过减小翻转率、减小负载电容和降低芯片供电电压等手段实现。今天，不管是通用MCU，还是低功耗MCU对于国产MCU产业面临的现实困境，想要在通用MCU领域和国外企业直面竞争，是非常不现实的。我们更倾向于在细分领域形成差异化优势，根据客户实际模拟特性等进行定的需求对产品的功能、外围电路、制化设计，以此打开市场。与此同时，航顺芯片也在加快32位MCU产品系列的扩充，其量产的通用8位MCU（HK32S003XX，（HK32F103）和M0家族家族）32位MCU-M3家族功耗更低，（HK32F030/031）已有近百个单品型号，稳定性可以通过车规级测试标准。本文将主要介绍高性能处理器芯HK32F030XX（图1、家族产品特点和市场应用等图2是其中两款。芯片的不同封装形式示意图）http：//2021·1-2·（总第260-261期）89
企业与产品中国集成电路ChinalntegratedCircult（2）具有代码安全保护功能，可分别设置读保护和写保护；可以加密Flash上存储的指令和数据，防止Flash内容被物理攻击。（3）内置高达32KB闪存（FLASH）、10KB静态随机存储器（SRAM），1个高速SPI，有4至16个可图1HK32F030F4P6TSSOP20的芯片封装图有复用的I2S接口，编程比特帖，1个I2C，支持极速（1Mbit/s）一模式,SMBus/PMBus,可从停止模式唤醒。具个USART，支持主同步SPI和调制解调器控制，有ISO7816接口、LIN、IrDA能力自动波特率检测和唤醒特性。5通道的DMA控制器，支持Timers、ADC、SPIs、I2Cs、USARTs等多种外设触发。图2HK32F030C8T6LQFP48的芯片封装图具有超宽工作电压2.0V（4）在供电模式方面，-5.5V输入供电模式：●VDD=2.0～5.5V：VDD管脚为I/O管脚和内部LDO供电；●VDDA=2.0～5.5V：为ADC、温度传感器模拟部分提供供电；VBAT=1.8~5.5V：当关闭VDD时，内部电源切换电路将通过VBAT为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。2航顺芯片HK32F030X系列应用笔记———在PH测量笔的应用介绍2.1HK32F030X系列产品介绍图1、图3显示了通用微处理器HK32F030F4P6产品的封装及其电路框架图。从图3可看出通用微处理器HK32F030XX系列产品的基本特点：（1）采用了高性能的ARM誖CortexTM-M032位的RISC内核，最高工作频率72MHz，芯片内部CPU主频不高于24MHz时，支持0等待总线周期。特性2.2PH测试笔应用笔记32F030F4P6应用在PH测量笔方案的图4显示了之前和采用HK32F030F4P6而被应用于PH测量笔方案的功能框图对比。目前，PH测试笔市场良莠不齐,但采用航顺芯片技术研发有限公司推出的高性能低成本的HK32F030F4P6应用在图3HK32F030F4P6产品框架图，HK32F030C8T6产品框架图图4PH测量笔应用框图对比1-2·90（总第260-261期）2021·http：//
中国集成电路ChinalntegratedCircultPH测量笔方案上，测量数据一致性效果不错。本案应用到HK32F030XX系列的其中几个主要特性:①最高主频72MHZ②12位的SARADC转换器③DMA控制器④定点数除法运.2.采用HK32F030F4P6的优势①采用M0的核，因为该芯片可以运行到最高主频72MHZ。这样可以利用主频快的特点，应用I/O模拟显示驱动LCD，省去了LCD驱动芯片HK1621，节省了成本。②因为HK32F030是具有真正12位ADC，这样对采样信号的精度提高了，使得测量数据的一致性比之前的普通8位机方案提高了很多。还有因为HK32F030的ADC功能可以利用采样ADC_IN17的数值，并结合Vrefint_CAL寄存器的数值可以计算实时的VDD的电压数值。同时结合DMA功能，可以在采样测量信号的ADC数据传送到指定RAM中用于计算PH值。这样不影响用IO模拟显示的实时性，也保证了采样ADC转换的实时性进一步保证了测量数据的一致性。③本系列产品通过HBN2000V/CDM500V/MM200V/LU等级测试。3航顺芯片HK32F030X系列应用笔记———在扭扭车/滑板车行业应用介绍3.1HK32F030C8T6应用在在扭扭车/滑板车方案的特性在图2、图3中，已显示了通用微处理器HK32F030C8T6产品的封装及其电路框架图。图5是扭扭车PCB板图。控制算法：FOC控制的其实是电机的电磁场方向。其控制算法的着力点：①转子的转子力矩正比于定子的磁http：//企业与产品图5扭扭车PCB板图图6滑板车成品图场向量与转子磁场矢量的矢量积。由矢量的关系可知，若使电机的转矩时刻保持最大，则定子磁场向量应与转子磁场向量相互垂直。②因为磁场的大小与方向与电流的大小与方向有着直接的关系，所以在用FOC控制算法控制BLDC时的关键就是控制三相输入的电流大小与方向。而控制电流产生定子磁场与转子磁场垂直的关键在：控制稳定的三相输入电压及其电流向量，并且我们得知道转子的实时位置。③输入电流的方向控制，FOC给出了空间电流矢量的概念。其实质是将三相的电流矢量结合，再分解为垂直和平行于转子磁体轴方向的两个分量即d-q结构。垂直方向的电流分量所产生磁场正交于转子的磁场，这就产生了旋转力矩。而平行于转子磁轴方向的电流分量，所产生的磁场与转子磁场一致，就不会产生任何的力矩。④一个好的控制算法就需要使这个平行于转子磁轴方向的电流分量尽量最小化，因为，这个电流分量只会使电机产生多余的热量，并加剧轴承的磨损。我们需要控制线圈的电流，以使垂直于转子磁轴方向的电流分量达到最大。由此而得到的电机力矩和这个电流分量的大小成比例。2021·1-2·（总第260-261期）91
企业与产品⑤为了使与转子磁场同向的定子电流矢量最小化（为零）且垂直的磁场最大化，定子线圈内的弦波电流需要随着转子的转动角度实时地进行相位调整。控制稳定的三相电流输入可以建立P-I控制器，P-I控制是在不停的调制输入，一旦电机电流被转化成d-q结构，控制将变得非常简单。⑥我们需要两路P-I控制器；一个控制平行与转子磁场的电流，一个控制垂直向电流。因为平行向电流的控制信号为零，所以这就使电机平行向的电流分量也变成零，这也就驱使电机的电流矢量全部转化为垂直向的电流。由于只有垂直向电流才能产生有效的力矩，这样电机的效率被最大化。另一路P-I控制器主要用来控制垂直向的电流，以获得与输入信号相符的需求力矩。这也就使垂直向电流按照要求被控制以获得所需的力矩。⑦转子的实时位置的确定有两种情况：有位置传感器、无位置传感器。对于有传感器，由于电机的传感器（一般为编码器）能反馈电机转子的位置信息，因此在控制中可以不使用位置估算算法，控制起来相对无传感器简单，但是对带传感器的电机应用来说，往往对控制性能要求较高。对于无传感器，由于电机不带任何传感器，因此不能通过简单读取传感器的测量值来得到电机转子的位置信息，所以在控制中需要通过采集电机相电流，使用位置估算算法来计算转子位置。2.陀螺仪与部分平衡算法陀螺仪滤波算法图7、图8、图9分别显示了平衡车/扭扭车都算法结构、部分FOC算法及其坐标变换，图10显示图7平衡车/扭扭车算法结构图92（总第260-261期）2021·1-2·中国集成电路ChinalntegratedCircult了T1M1-电机定时器配置图。图8平衡车/扭扭车部分FOC算法图9平衡车/扭扭车部分FOC算法坐标变换http：//
中国集成电路ChinalntegratedCircult企业与产品等延时的处理函数（用for或者do…while）。对比ST同样的函数HK的芯片出现延时比ST慢，是因为HK的芯片在cpu和flash之间有一个4个word大小（编号为00，04，08，0c）的指令缓存，工程编译之后，如果函数被存放到flash的地址的尾地址没有从0开始的话，（比如函数的入口地址为0x08000004，会被放到编号04的字中，而不是编号0中），就会出现执行效率低的问题。（2）如何避免这种问题呢？我们的HK030/031/04A的应用笔记中有指导说明，今天在这里用一个例子详细说明修改方法。●用户使用的工程编译及其可能出现的情况：uint32_tGItimer=1000000;voidDelayTimer（void）{uint32_ti;for（i=0;i 企业与产品__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;}FLASH->ACR|=0x00000010;}这样修改后，就可以使调用函数延时指令执行效率与ST一样。因此用户在使用030/031/04A做开发应时如果程序中存在这样死等待的延时函数，如果在时效上想与ST接近，建议采用这种方式修改。4.2HK32芯片调试心得目前，有客户反应用在应用KEIL开发环境中应用工具J_LINK（ST_LINKV2）调试HK32程序时，下载后运行光标没有停留在C文件，而且运行不正常。（1）原因分析。这个问题其实不是Hk32芯片或者HK32的DFP开发包的问题，所有用KEIL来调试程序时不管用任何一家MCU，如果把debug下的下面2个选项勾选，都会出现执行光标不会停留在C文件的现象。这两个选项就是debug里面的setting。图11显示了KEIL工具选项调试界面。（2）解决方法。从图11看出，这两个选项不能勾选，如果勾选就会出现用户反映的情况。这个问题94（总第260-261期）2021·1-2·中国集成电路ChinalntegratedCircult图11KEIL工具选项调试界面其实在ARMKEIL官网中就有关于这两个选项调试时出现问题的描述：VISIONDEBUGGER:ERROR57::///support/docs/?_ga=2.46374052.281696816.1576205986-1938576162.1576205986.用户只要不勾选这两个选项，下载后光标就会停留在C文件中。供客户参考，具体应用请参照应用笔记或者咨询航顺芯片工程师为准。5结论本文主要是介绍了HK32F030XX家族市场应用以及芯片的特点和应用笔记。现小结如下：通用微处理器HK32F030XX系列是面向消费类电子，智能家居，工业控制，物联网等行业应用，它是采用高性能的ARM誖CortexTM-M032位的RISC内核，主要优势：一是，三大兼容：管脚兼容、寄存器完全兼容、软件兼容，完美替代国外进口品牌。二是，性价比高，具有丰富的外设配置，广泛地适合于多种应用场景，比如：工业应用、可编程控制器、打印机、扫描仪电机驱动和调速控制、无人机飞控、云台控制、玩具产品、家用电器、智能机器人等等。http：// 中国集成电路参考文献[1]HK32F030系列数据手册.[2]HK32F030系列应用笔记.ChinalntegratedCircult企业与产品物创业之星、中国创新创业大赛深创赛人才库产业专家评审、深圳智能制造产业促进会金融服务委员会主席、中国工信部集成电路领军人才、江西省科技创新特邀评审/青创导师。马青松，航顺芯片产MCU事业部销售经理。陆建球，航顺芯片工程部应用工程师。刘爱国，航顺芯片工程部应用工程师。作者简介刘吉平，深圳市航顺芯片技术研发有限公司创始人深圳青年2018年度十大风云人/首席战略思想家、上接第74页片芯片的静电感应测试。如图5所示，使用静电枪圆头以+/-3KV~+/-30KV直接接触芯片背面衬底放电，由于芯片衬底是绝缘的，不会对芯片器件层产生直接放电。此时静电枪圆头和和不锈钢工作台之间存在两个等效串联电容，静电枪圆头和芯片金属层之间隔着绝缘的芯片衬底，形成一个等效电容。芯片金属层和不锈钢工作台形成一个等效电容。之间隔着绝缘包封体和绝缘膜，本文介绍的一种静电感应破坏测试方法弥补了当前常规静电感应测试的不足，可以评估芯片在生产各个环节以及不同应用环境中的产品形态下的静电感应破坏耐受力，通过芯片产品设计方案来提高芯片静电感应破坏的耐受力，从而增强芯片的健壮性和可靠性。无论是采用哪一种方式进行静电感应破坏测如果朝向芯片试，静电枪圆头均应朝向芯片的背面。正面，芯片器件层不在静电感应引起的最强电场内，芯片器件层难以破坏，从而失去测试的意义。4结论参考文献图5芯片衬底的静电感应破坏测试[1]IEC61000-4-2-2008Electromagneticcompatibili-ty（EMC）Part4-2:Testingandmeasurementtechniques-Electrostaticdischargeimmunitytest.静电枪圆头放电时，会在静电枪圆头和不锈钢工作台之间产生急剧变化的电场，进而在静电枪的电圆头和和芯片金属层之间产生急剧变化的电场，场穿过芯片器件层，会引起芯片器件层内器件破坏，这就是针对芯片衬底的静电感应测试。由于直接在芯片衬底上进行静电感应破坏测试形成的感应电场实际测试中，当静电枪比其它封装形式的测试更强，电压调节到+/-3KV以上时，部分芯片产品就开始出现性能异常。作者简介杨利华，北京中电华大电子设计有限责任公司失效干扰测试和分析技术主管，主要从事芯片失效分析、技术管理工作。杜新，北京中电华大电子设计有限责任公司工程师，主要从事芯片失效分析及可靠性测试等工作。http：//2021·1-2·（总第260-261期）95
2024年2月11日发(作者：嘉和豫)
中国集成电路ChinalntegratedCircult企业与产品航顺高性能32位MCU系列产品特点及其产品应用介绍陆建球，刘爱国刘吉平，马青松，航顺芯片1前言传统的低功耗MCU设计都是以8位MCU为主，因为8位内核阈门相对较少，运行或泄露电流低，售价也相对低廉。但是，随着物联网、5G、云计智慧家庭、智慧园区的应算、大数据以及智慧城市、用，8位内处理效率已经不能满足市场需求。近年来，鉴于以下缘由，32位低功耗MCU得以兴起。①手持式消费性电子产品与无线功能的需求要提高性能的同时又要越来越高、设计越来越复杂，兼顾低功耗，需要有一高性能低功耗的主控MCU来如远程监作为平台。②工业上的智能化也在展开，控、数字化、网络化等。简单说来，就是人物之连结物物之连结（物联网）需求越来越多，（云端应用）、运算量越来越高，导致产品功能越来越复杂，③制程主微缩技术的进步，嵌入式闪存制程普及化及降价，要成本来自内存大小及模拟外围和I/O管脚数量，更促进了高性价CPU内核的成本差异已大幅缩短，比32位低功耗MCU的快速发展。应该看到，随着集成电路制造技术的不断进步,单个芯片上集成的晶体管越来越多。这使得大规模（VLSI）集成电路的功耗成为芯片设计的关键问题，功耗对电路的影尤其是，当工艺发展到深亚微米时，响使它成为集成电路设计中必须考虑的因素。低功耗设计对提高电路可靠性和降低成本有着非常积极的作用。就数字CMOS电路功耗主要由动态开关功其中动态开关耗、漏电功耗和短路功耗三部分组成，功耗占据了总功耗的绝大部分，因此降低功耗主要通过降低动态开关功耗实现，而降低动态开关功耗又可以通过减小翻转率、减小负载电容和降低芯片供电电压等手段实现。今天，不管是通用MCU，还是低功耗MCU对于国产MCU产业面临的现实困境，想要在通用MCU领域和国外企业直面竞争，是非常不现实的。我们更倾向于在细分领域形成差异化优势，根据客户实际模拟特性等进行定的需求对产品的功能、外围电路、制化设计，以此打开市场。与此同时，航顺芯片也在加快32位MCU产品系列的扩充，其量产的通用8位MCU（HK32S003XX，（HK32F103）和M0家族家族）32位MCU-M3家族功耗更低，（HK32F030/031）已有近百个单品型号，稳定性可以通过车规级测试标准。本文将主要介绍高性能处理器芯HK32F030XX（图1、家族产品特点和市场应用等图2是其中两款。芯片的不同封装形式示意图）http：//2021·1-2·（总第260-261期）89
企业与产品中国集成电路ChinalntegratedCircult（2）具有代码安全保护功能，可分别设置读保护和写保护；可以加密Flash上存储的指令和数据，防止Flash内容被物理攻击。（3）内置高达32KB闪存（FLASH）、10KB静态随机存储器（SRAM），1个高速SPI，有4至16个可图1HK32F030F4P6TSSOP20的芯片封装图有复用的I2S接口，编程比特帖，1个I2C，支持极速（1Mbit/s）一模式,SMBus/PMBus,可从停止模式唤醒。具个USART，支持主同步SPI和调制解调器控制，有ISO7816接口、LIN、IrDA能力自动波特率检测和唤醒特性。5通道的DMA控制器，支持Timers、ADC、SPIs、I2Cs、USARTs等多种外设触发。图2HK32F030C8T6LQFP48的芯片封装图具有超宽工作电压2.0V（4）在供电模式方面，-5.5V输入供电模式：●VDD=2.0～5.5V：VDD管脚为I/O管脚和内部LDO供电；●VDDA=2.0～5.5V：为ADC、温度传感器模拟部分提供供电；VBAT=1.8~5.5V：当关闭VDD时，内部电源切换电路将通过VBAT为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。2航顺芯片HK32F030X系列应用笔记———在PH测量笔的应用介绍2.1HK32F030X系列产品介绍图1、图3显示了通用微处理器HK32F030F4P6产品的封装及其电路框架图。从图3可看出通用微处理器HK32F030XX系列产品的基本特点：（1）采用了高性能的ARM誖CortexTM-M032位的RISC内核，最高工作频率72MHz，芯片内部CPU主频不高于24MHz时，支持0等待总线周期。特性2.2PH测试笔应用笔记32F030F4P6应用在PH测量笔方案的图4显示了之前和采用HK32F030F4P6而被应用于PH测量笔方案的功能框图对比。目前，PH测试笔市场良莠不齐,但采用航顺芯片技术研发有限公司推出的高性能低成本的HK32F030F4P6应用在图3HK32F030F4P6产品框架图，HK32F030C8T6产品框架图图4PH测量笔应用框图对比1-2·90（总第260-261期）2021·http：//
中国集成电路ChinalntegratedCircultPH测量笔方案上，测量数据一致性效果不错。本案应用到HK32F030XX系列的其中几个主要特性:①最高主频72MHZ②12位的SARADC转换器③DMA控制器④定点数除法运.2.采用HK32F030F4P6的优势①采用M0的核，因为该芯片可以运行到最高主频72MHZ。这样可以利用主频快的特点，应用I/O模拟显示驱动LCD，省去了LCD驱动芯片HK1621，节省了成本。②因为HK32F030是具有真正12位ADC，这样对采样信号的精度提高了，使得测量数据的一致性比之前的普通8位机方案提高了很多。还有因为HK32F030的ADC功能可以利用采样ADC_IN17的数值，并结合Vrefint_CAL寄存器的数值可以计算实时的VDD的电压数值。同时结合DMA功能，可以在采样测量信号的ADC数据传送到指定RAM中用于计算PH值。这样不影响用IO模拟显示的实时性，也保证了采样ADC转换的实时性进一步保证了测量数据的一致性。③本系列产品通过HBN2000V/CDM500V/MM200V/LU等级测试。3航顺芯片HK32F030X系列应用笔记———在扭扭车/滑板车行业应用介绍3.1HK32F030C8T6应用在在扭扭车/滑板车方案的特性在图2、图3中，已显示了通用微处理器HK32F030C8T6产品的封装及其电路框架图。图5是扭扭车PCB板图。控制算法：FOC控制的其实是电机的电磁场方向。其控制算法的着力点：①转子的转子力矩正比于定子的磁http：//企业与产品图5扭扭车PCB板图图6滑板车成品图场向量与转子磁场矢量的矢量积。由矢量的关系可知，若使电机的转矩时刻保持最大，则定子磁场向量应与转子磁场向量相互垂直。②因为磁场的大小与方向与电流的大小与方向有着直接的关系，所以在用FOC控制算法控制BLDC时的关键就是控制三相输入的电流大小与方向。而控制电流产生定子磁场与转子磁场垂直的关键在：控制稳定的三相输入电压及其电流向量，并且我们得知道转子的实时位置。③输入电流的方向控制，FOC给出了空间电流矢量的概念。其实质是将三相的电流矢量结合，再分解为垂直和平行于转子磁体轴方向的两个分量即d-q结构。垂直方向的电流分量所产生磁场正交于转子的磁场，这就产生了旋转力矩。而平行于转子磁轴方向的电流分量，所产生的磁场与转子磁场一致，就不会产生任何的力矩。④一个好的控制算法就需要使这个平行于转子磁轴方向的电流分量尽量最小化，因为，这个电流分量只会使电机产生多余的热量，并加剧轴承的磨损。我们需要控制线圈的电流，以使垂直于转子磁轴方向的电流分量达到最大。由此而得到的电机力矩和这个电流分量的大小成比例。2021·1-2·（总第260-261期）91
企业与产品⑤为了使与转子磁场同向的定子电流矢量最小化（为零）且垂直的磁场最大化，定子线圈内的弦波电流需要随着转子的转动角度实时地进行相位调整。控制稳定的三相电流输入可以建立P-I控制器，P-I控制是在不停的调制输入，一旦电机电流被转化成d-q结构，控制将变得非常简单。⑥我们需要两路P-I控制器；一个控制平行与转子磁场的电流，一个控制垂直向电流。因为平行向电流的控制信号为零，所以这就使电机平行向的电流分量也变成零，这也就驱使电机的电流矢量全部转化为垂直向的电流。由于只有垂直向电流才能产生有效的力矩，这样电机的效率被最大化。另一路P-I控制器主要用来控制垂直向的电流，以获得与输入信号相符的需求力矩。这也就使垂直向电流按照要求被控制以获得所需的力矩。⑦转子的实时位置的确定有两种情况：有位置传感器、无位置传感器。对于有传感器，由于电机的传感器（一般为编码器）能反馈电机转子的位置信息，因此在控制中可以不使用位置估算算法，控制起来相对无传感器简单，但是对带传感器的电机应用来说，往往对控制性能要求较高。对于无传感器，由于电机不带任何传感器，因此不能通过简单读取传感器的测量值来得到电机转子的位置信息，所以在控制中需要通过采集电机相电流，使用位置估算算法来计算转子位置。2.陀螺仪与部分平衡算法陀螺仪滤波算法图7、图8、图9分别显示了平衡车/扭扭车都算法结构、部分FOC算法及其坐标变换，图10显示图7平衡车/扭扭车算法结构图92（总第260-261期）2021·1-2·中国集成电路ChinalntegratedCircult了T1M1-电机定时器配置图。图8平衡车/扭扭车部分FOC算法图9平衡车/扭扭车部分FOC算法坐标变换http：//
中国集成电路ChinalntegratedCircult企业与产品等延时的处理函数（用for或者do…while）。对比ST同样的函数HK的芯片出现延时比ST慢，是因为HK的芯片在cpu和flash之间有一个4个word大小（编号为00，04，08，0c）的指令缓存，工程编译之后，如果函数被存放到flash的地址的尾地址没有从0开始的话，（比如函数的入口地址为0x08000004，会被放到编号04的字中，而不是编号0中），就会出现执行效率低的问题。（2）如何避免这种问题呢？我们的HK030/031/04A的应用笔记中有指导说明，今天在这里用一个例子详细说明修改方法。●用户使用的工程编译及其可能出现的情况：uint32_tGItimer=1000000;voidDelayTimer（void）{uint32_ti;for（i=0;i 企业与产品__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;__nop（）;}FLASH->ACR|=0x00000010;}这样修改后，就可以使调用函数延时指令执行效率与ST一样。因此用户在使用030/031/04A做开发应时如果程序中存在这样死等待的延时函数，如果在时效上想与ST接近，建议采用这种方式修改。4.2HK32芯片调试心得目前，有客户反应用在应用KEIL开发环境中应用工具J_LINK（ST_LINKV2）调试HK32程序时，下载后运行光标没有停留在C文件，而且运行不正常。（1）原因分析。这个问题其实不是Hk32芯片或者HK32的DFP开发包的问题，所有用KEIL来调试程序时不管用任何一家MCU，如果把debug下的下面2个选项勾选，都会出现执行光标不会停留在C文件的现象。这两个选项就是debug里面的setting。图11显示了KEIL工具选项调试界面。（2）解决方法。从图11看出，这两个选项不能勾选，如果勾选就会出现用户反映的情况。这个问题94（总第260-261期）2021·1-2·中国集成电路ChinalntegratedCircult图11KEIL工具选项调试界面其实在ARMKEIL官网中就有关于这两个选项调试时出现问题的描述：VISIONDEBUGGER:ERROR57::///support/docs/?_ga=2.46374052.281696816.1576205986-1938576162.1576205986.用户只要不勾选这两个选项，下载后光标就会停留在C文件中。供客户参考，具体应用请参照应用笔记或者咨询航顺芯片工程师为准。5结论本文主要是介绍了HK32F030XX家族市场应用以及芯片的特点和应用笔记。现小结如下：通用微处理器HK32F030XX系列是面向消费类电子，智能家居，工业控制，物联网等行业应用，它是采用高性能的ARM誖CortexTM-M032位的RISC内核，主要优势：一是，三大兼容：管脚兼容、寄存器完全兼容、软件兼容，完美替代国外进口品牌。二是，性价比高，具有丰富的外设配置，广泛地适合于多种应用场景，比如：工业应用、可编程控制器、打印机、扫描仪电机驱动和调速控制、无人机飞控、云台控制、玩具产品、家用电器、智能机器人等等。http：// 中国集成电路参考文献[1]HK32F030系列数据手册.[2]HK32F030系列应用笔记.ChinalntegratedCircult企业与产品物创业之星、中国创新创业大赛深创赛人才库产业专家评审、深圳智能制造产业促进会金融服务委员会主席、中国工信部集成电路领军人才、江西省科技创新特邀评审/青创导师。马青松，航顺芯片产MCU事业部销售经理。陆建球，航顺芯片工程部应用工程师。刘爱国，航顺芯片工程部应用工程师。作者简介刘吉平，深圳市航顺芯片技术研发有限公司创始人深圳青年2018年度十大风云人/首席战略思想家、上接第74页片芯片的静电感应测试。如图5所示，使用静电枪圆头以+/-3KV~+/-30KV直接接触芯片背面衬底放电，由于芯片衬底是绝缘的，不会对芯片器件层产生直接放电。此时静电枪圆头和和不锈钢工作台之间存在两个等效串联电容，静电枪圆头和芯片金属层之间隔着绝缘的芯片衬底，形成一个等效电容。芯片金属层和不锈钢工作台形成一个等效电容。之间隔着绝缘包封体和绝缘膜，本文介绍的一种静电感应破坏测试方法弥补了当前常规静电感应测试的不足，可以评估芯片在生产各个环节以及不同应用环境中的产品形态下的静电感应破坏耐受力，通过芯片产品设计方案来提高芯片静电感应破坏的耐受力，从而增强芯片的健壮性和可靠性。无论是采用哪一种方式进行静电感应破坏测如果朝向芯片试，静电枪圆头均应朝向芯片的背面。正面，芯片器件层不在静电感应引起的最强电场内，芯片器件层难以破坏，从而失去测试的意义。4结论参考文献图5芯片衬底的静电感应破坏测试[1]IEC61000-4-2-2008Electromagneticcompatibili-ty（EMC）Part4-2:Testingandmeasurementtechniques-Electrostaticdischargeimmunitytest.静电枪圆头放电时，会在静电枪圆头和不锈钢工作台之间产生急剧变化的电场，进而在静电枪的电圆头和和芯片金属层之间产生急剧变化的电场，场穿过芯片器件层，会引起芯片器件层内器件破坏，这就是针对芯片衬底的静电感应测试。由于直接在芯片衬底上进行静电感应破坏测试形成的感应电场实际测试中，当静电枪比其它封装形式的测试更强，电压调节到+/-3KV以上时，部分芯片产品就开始出现性能异常。作者简介杨利华，北京中电华大电子设计有限责任公司失效干扰测试和分析技术主管，主要从事芯片失效分析、技术管理工作。杜新，北京中电华大电子设计有限责任公司工程师，主要从事芯片失效分析及可靠性测试等工作。http：//2021·1-2·（总第260-261期）95