2024年3月30日发(作者：乌致)
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用于Peltier模块的集成温度控制器
概论
MAX1978 / MAX1979是用于Peltier热电冷却器（TEC）模块的最小，最
安全，最精确完整的单芯片温度控制器。片上功率FET和热控制环路电路可最大
限度地减少外部元件，同时保持高效率。可选择的500kHz / 1MHz开关频率和
独特的纹波消除方案可优化元件尺寸和效率，同时降低噪声。内部MOSFET的
开关速度经过优化，可降低噪声和EMI。超低漂移斩波放大器可保持±0.001°C
的温度稳定性。直接控制输出电流而不是电压，以消除电流浪涌。独立的加热和
冷却电流和电压限制提供最高水平的TEC保护。
MAX1978采用单电源供电，通过在两个同步降压调节器的输出之间偏置
TEC，提供双极性±3A输出。真正的双极性操作控制温度，在低负载电流下没有
“死区”或其他非线性。当设定点非常接近自然操作点时，控制系统不会捕获，
其中仅需要少量的加热或冷却。模拟控制信号精确设置TEC电流。MAX1979提
供高达6A的单极性输出。提供斩波稳定的仪表放大器和高精度积分放大器，以
创建比例积分（PI）或比例积分微分（PID）控制器。仪表放大器可以连接外部
NTC或PTC热敏电阻，热电偶或半导体温度传感器。提供模拟输出以监控TEC
温度和电流。此外，单独的过热和欠温输出表明当TEC温度超出范围时。片上
电压基准为热敏电阻桥提供偏置。
MAX1978 / MAX1979采用薄型48引脚薄型QFN-EP封装，工作在-40°
C至+ 85°C温度范围。采用外露金属焊盘的耐热增强型QFN-EP封装可最大限
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度地降低工作结温。评估套件可用于加速设计。
应用
光纤激光模块
典型工作电路出现在数据手册的最后。
WDM，DWDM激光二极管温度控制
光纤网络设备
EDFA光放大器
电信光纤接口
ATE
特征
♦尺寸最小，最安全，最精确完整的单芯片控制器
♦片上功率MOSFET-无外部FET
♦电路占用面积<0.93in2
♦回路高度<3mm
♦温度稳定性为0.001°C
♦集成精密积分器和斩波稳定运算放大器
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2024年3月30日发(作者：乌致)
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用于Peltier模块的集成温度控制器
概论
MAX1978 / MAX1979是用于Peltier热电冷却器（TEC）模块的最小，最
安全，最精确完整的单芯片温度控制器。片上功率FET和热控制环路电路可最大
限度地减少外部元件，同时保持高效率。可选择的500kHz / 1MHz开关频率和
独特的纹波消除方案可优化元件尺寸和效率，同时降低噪声。内部MOSFET的
开关速度经过优化，可降低噪声和EMI。超低漂移斩波放大器可保持±0.001°C
的温度稳定性。直接控制输出电流而不是电压，以消除电流浪涌。独立的加热和
冷却电流和电压限制提供最高水平的TEC保护。
MAX1978采用单电源供电，通过在两个同步降压调节器的输出之间偏置
TEC，提供双极性±3A输出。真正的双极性操作控制温度，在低负载电流下没有
“死区”或其他非线性。当设定点非常接近自然操作点时，控制系统不会捕获，
其中仅需要少量的加热或冷却。模拟控制信号精确设置TEC电流。MAX1979提
供高达6A的单极性输出。提供斩波稳定的仪表放大器和高精度积分放大器，以
创建比例积分（PI）或比例积分微分（PID）控制器。仪表放大器可以连接外部
NTC或PTC热敏电阻，热电偶或半导体温度传感器。提供模拟输出以监控TEC
温度和电流。此外，单独的过热和欠温输出表明当TEC温度超出范围时。片上
电压基准为热敏电阻桥提供偏置。
MAX1978 / MAX1979采用薄型48引脚薄型QFN-EP封装，工作在-40°
C至+ 85°C温度范围。采用外露金属焊盘的耐热增强型QFN-EP封装可最大限
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度地降低工作结温。评估套件可用于加速设计。
应用
光纤激光模块
典型工作电路出现在数据手册的最后。
WDM，DWDM激光二极管温度控制
光纤网络设备
EDFA光放大器
电信光纤接口
ATE
特征
♦尺寸最小，最安全，最精确完整的单芯片控制器
♦片上功率MOSFET-无外部FET
♦电路占用面积<0.93in2
♦回路高度<3mm
♦温度稳定性为0.001°C
♦集成精密积分器和斩波稳定运算放大器
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