2024年4月9日发(作者：牟向荣)
维普资讯
电镀钯（Ｐｄ）
一
南京得实集团（南京Ｚ１００１８）
王丽丽
摘要概述ｊ含有Ｐｄ化台物、毗啶磺酸或其盐／毗啶籁酸或其盐等组成的Ｐｄ镀液
可以获得适用于半导体器件制造用的高纯度
｝
１ 前言
由于钯（Ｐｄ）镀层具有优良的耐蚀性、耐
光性、耐磨性和电气性能，Ｐｄ镀层比Ａｕ层廉
价许多，因此Ｐｄ镀层已广泛地应用于电气接
点、连接器、印制板和半导体器件等电子电器
产品中 实用研究发现，从传统的Ｐｄ电镀液中
获得的高纯度Ｐｄ镀层，由于镀层内应力较高，
难以获得延展性、粘结性、耐热性和易焊性等
性能优良的厚Ｐｄ镀层，而这些性能恰恰是电
子电器产品尤其半导体器件所必不可少的重要
特性。
鉴于上述状况，为了获得物理性能优良的
高纯度Ｐｄ镀层，人们对Ｐｄ电镀液进行了大量
研究，例如在Ｐｄ电镀液中添加硒（ｓｅ）或铈
（ｃｅ）等添加剂以降低Ｐｄ镀层的内应力。然而
并不足以改善其他的性能。近来开发的含有吡
啶磺酸或其盐／毗腚羧酸或其盐和脲素或其盐
的Ｐｄ电镀液，可以获得适用于半导体器件制
造用的物理性能优良的高纯度Ｐｄ镀层。
２ 工艺概述
Ｐｄ电镀液含有可溶性Ｐｄ盐，吡啶磺酸或
其盐／吡啶羧酸或其盐等组成。
目前适用的可溶性Ｐｄ盐有Ｐｄ（ＮＨ ） ＣＩ。，
Ｐｄ（ＮＨ３）＾ＣＩ２，Ｐｄ（ＮＨ ）２Ｂｒ２，Ｐｄ（ＮＨ３）·Ｂｒ２，Ｐｄ
（ＮＨａ）２（ＮＯ２）２和Ｉ＇ｄ（ＮＨ ）．（ＮＯ２）２等。以Ｐｄ
计的浓度约为１．Ｏ～４０．０ｇ／Ｌ，最好为５．０～
４２
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ｌ０Ａ／ｄｉｎ ，最好为３～８Ａ／ｄｍ。。 磺酸５ｇ／Ｌ；亚硒酸（以ｓｅ计） １Ｏｐｐｍ￣户
３镀液组成和结果
例ｌ Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／Ｌ；
（ＮＨｄ）２ＨＰＯｄ ７５ｇ／Ｌ；ＮＨ—Ｃｌ ７５ｇ／Ｌ；吡啶一
（ＮＨｄＯＨ） ７．５；ＤＨ ８Ａ／ｄｍ。；Ｔ ５０（、；ｔ
５ｓ。
从比较例镀液中获得的Ｐｄ镀层与Ａｕ线
的粘结性不良。４００ｃ／２ｍｉｎ耐热性试验时，Ｐｄ
镀层变色。
３一磺酸３ｇ／Ｌ；脲紊ｌＯｇ／Ｌ；ｐＨ（ＮＨ ＯＨ调
节） ７．５；Ｔ ５０Ｃ；ＤＫ ８Ａ／ｄｍ。；ｔ ４ｓ。
例２ Ｐｄ（ＮＨ ）２Ｂｒ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／Ｌ；
（ＮＨｄ）２ＨＰＯｄ ５０ｇ／Ｌ；ＮＨ Ｂｒ ５０ｇ／Ｌ；吡啶一
４结论
从含有Ｐｄ化合物、吡啶磺酸或其盐／吡啶
３一磺酸３ｇ／Ｌ；脲素１５ｇ／Ｌ；ｐＨ（ＮＨ ＯＨ）
７．５；Ｔ ５Ｏ℃｛ＤＫ ５Ａ／ｄｉｎ ；ｔ ５ｓ。
羧酸或其盐、脲素或其盐等组成的Ｐｄ电镀液
中可以获得富有延展性、耐热性和易焊性优良
的高纯度Ｐｄ镀层，可以取代传统的Ａｕ镀层，
适用于包括半导体器件在内的电子电器产品的
表面镀层。
倒３ Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２（以Ｐｄ计）ｌ０ｇ／Ｌ；
ＮＨｄＣｌ １５０ｇ／ｈ；Ｈ ＢＯ １０ｇ／Ｌ；吡啶一３一磺酸
２ｇ／Ｌ，吡啶一２一艘酸
ｆ ５ｓ。
２ｇ／Ｌ；脲素’ｌＯｇ／Ｌ｝
ｐＨ（ＮＨ＾ＯＨ） ７．５；Ｔ ５０℃；ＤＫ ８Ａ／ｄｍ ；
参
３
考文献
１橘车真纪夫等．Ｐｄ电镀液（目）．Ｊｐ（￣１０４７５５７．１９８９：２～
２橘本真纪夫等Ｐｄ电镀液（日） Ｊｐ０２０４３３９３ Ｉ ９９０：３
８橘本真纪夫等．Ｐｄ电镀液（日）．］ｐ０７０１１４７６，１９９５：２～
４
从倒１、例２、倒３镀液中获得的Ｐｄ镀层
与Ａｕ线的粘结性良好，４００Ｃ／２ｍｉｎ的耐热性
试验时，Ｐｄ镀层没有变色。耐热试验后的Ｐｄ镀
层易焊性良好。
比较倒Ｐｄ（ＮＨ。）。Ｃｌ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／
Ｌ；ＮＨｄＣｌ １００ｇ／Ｌ；Ｈ ＢＯ １０ｇ／Ｌ｛吡啶ｒ３一
４小岛和弘等．Ｐｄ电镀藏（日）．Ｊｐ０７０１１４７５，１９９５：８４４
（收椿日期１ ９９６０８０８）
１９９５年世界半导体市场比上年增加４０％
据美国ＤＡＴＡ Ｇｕｅｓｔ公司报道，ｌ９９５年世
（８３．４亿美元，比上年增加７３ ）｝第七位是美
国Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ（８０．０亿美元，比上
界半导体市场比上年增加４０ ，为１５４７亿美
元（１９９４年为ｌ】０６亿美元）。主要是ＤＲＡＭ的
高速增长。
年增加４４ ）｝第八位和第九位（与ｌ９９４年位
次相同），即富士通公司（５５．１亿美元，比上年
各半导体厂家的销售额：连续４年占第一
增加４２ ）和三菱电机公司（５１．５亿美元，比
位的是美国Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ，销售额为ｌ３８亿美元，
次相同，即ＮＥＣ公司（１１４亿美元，比上年增
上年增加３７ ）；第十位是１９９４年为十一位的
比上年增加３７ ；第二和第三位与ｌ ９９４年位
荷兰Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｎ．Ｖ（４０．４亿美元，比
上年增加３８ ）。换汇率１９９４年１美元一
ｌ０１．８日元，１９９５年ｌ美元＝９３．０４日元。
盛荣
译自：日经工 穸 口二穸工，１ ９９６｛８８３：９
加４３ ）和东芝公司（１０２亿美元，比上年增
加３５ ）；第四位是１９９４年第５位的美国Ｍｏ—
ｔｏｒｏｌａ Ｉｎｃ（９１亿美元，比上年增加２７ ）；第
六位是ｌ９９４年第七位的韩国三星电子公司
半导体垃丰１ ９９６年１２月第８期
４３
2024年4月9日发(作者：牟向荣)
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电镀钯（Ｐｄ）
一
南京得实集团（南京Ｚ１００１８）
王丽丽
摘要概述ｊ含有Ｐｄ化台物、毗啶磺酸或其盐／毗啶籁酸或其盐等组成的Ｐｄ镀液
可以获得适用于半导体器件制造用的高纯度
｝
１ 前言
由于钯（Ｐｄ）镀层具有优良的耐蚀性、耐
光性、耐磨性和电气性能，Ｐｄ镀层比Ａｕ层廉
价许多，因此Ｐｄ镀层已广泛地应用于电气接
点、连接器、印制板和半导体器件等电子电器
产品中 实用研究发现，从传统的Ｐｄ电镀液中
获得的高纯度Ｐｄ镀层，由于镀层内应力较高，
难以获得延展性、粘结性、耐热性和易焊性等
性能优良的厚Ｐｄ镀层，而这些性能恰恰是电
子电器产品尤其半导体器件所必不可少的重要
特性。
鉴于上述状况，为了获得物理性能优良的
高纯度Ｐｄ镀层，人们对Ｐｄ电镀液进行了大量
研究，例如在Ｐｄ电镀液中添加硒（ｓｅ）或铈
（ｃｅ）等添加剂以降低Ｐｄ镀层的内应力。然而
并不足以改善其他的性能。近来开发的含有吡
啶磺酸或其盐／毗腚羧酸或其盐和脲素或其盐
的Ｐｄ电镀液，可以获得适用于半导体器件制
造用的物理性能优良的高纯度Ｐｄ镀层。
２ 工艺概述
Ｐｄ电镀液含有可溶性Ｐｄ盐，吡啶磺酸或
其盐／吡啶羧酸或其盐等组成。
目前适用的可溶性Ｐｄ盐有Ｐｄ（ＮＨ ） ＣＩ。，
Ｐｄ（ＮＨ３）＾ＣＩ２，Ｐｄ（ＮＨ ）２Ｂｒ２，Ｐｄ（ＮＨ３）·Ｂｒ２，Ｐｄ
（ＮＨａ）２（ＮＯ２）２和Ｉ＇ｄ（ＮＨ ）．（ＮＯ２）２等。以Ｐｄ
计的浓度约为１．Ｏ～４０．０ｇ／Ｌ，最好为５．０～
４２
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ｌ０Ａ／ｄｉｎ ，最好为３～８Ａ／ｄｍ。。 磺酸５ｇ／Ｌ；亚硒酸（以ｓｅ计） １Ｏｐｐｍ￣户
３镀液组成和结果
例ｌ Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／Ｌ；
（ＮＨｄ）２ＨＰＯｄ ７５ｇ／Ｌ；ＮＨ—Ｃｌ ７５ｇ／Ｌ；吡啶一
（ＮＨｄＯＨ） ７．５；ＤＨ ８Ａ／ｄｍ。；Ｔ ５０（、；ｔ
５ｓ。
从比较例镀液中获得的Ｐｄ镀层与Ａｕ线
的粘结性不良。４００ｃ／２ｍｉｎ耐热性试验时，Ｐｄ
镀层变色。
３一磺酸３ｇ／Ｌ；脲紊ｌＯｇ／Ｌ；ｐＨ（ＮＨ ＯＨ调
节） ７．５；Ｔ ５０Ｃ；ＤＫ ８Ａ／ｄｍ。；ｔ ４ｓ。
例２ Ｐｄ（ＮＨ ）２Ｂｒ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／Ｌ；
（ＮＨｄ）２ＨＰＯｄ ５０ｇ／Ｌ；ＮＨ Ｂｒ ５０ｇ／Ｌ；吡啶一
４结论
从含有Ｐｄ化合物、吡啶磺酸或其盐／吡啶
３一磺酸３ｇ／Ｌ；脲素１５ｇ／Ｌ；ｐＨ（ＮＨ ＯＨ）
７．５；Ｔ ５Ｏ℃｛ＤＫ ５Ａ／ｄｉｎ ；ｔ ５ｓ。
羧酸或其盐、脲素或其盐等组成的Ｐｄ电镀液
中可以获得富有延展性、耐热性和易焊性优良
的高纯度Ｐｄ镀层，可以取代传统的Ａｕ镀层，
适用于包括半导体器件在内的电子电器产品的
表面镀层。
倒３ Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２（以Ｐｄ计）ｌ０ｇ／Ｌ；
ＮＨｄＣｌ １５０ｇ／ｈ；Ｈ ＢＯ １０ｇ／Ｌ；吡啶一３一磺酸
２ｇ／Ｌ，吡啶一２一艘酸
ｆ ５ｓ。
２ｇ／Ｌ；脲素’ｌＯｇ／Ｌ｝
ｐＨ（ＮＨ＾ＯＨ） ７．５；Ｔ ５０℃；ＤＫ ８Ａ／ｄｍ ；
参
３
考文献
１橘车真纪夫等．Ｐｄ电镀液（目）．Ｊｐ（￣１０４７５５７．１９８９：２～
２橘本真纪夫等Ｐｄ电镀液（日） Ｊｐ０２０４３３９３ Ｉ ９９０：３
８橘本真纪夫等．Ｐｄ电镀液（日）．］ｐ０７０１１４７６，１９９５：２～
４
从倒１、例２、倒３镀液中获得的Ｐｄ镀层
与Ａｕ线的粘结性良好，４００Ｃ／２ｍｉｎ的耐热性
试验时，Ｐｄ镀层没有变色。耐热试验后的Ｐｄ镀
层易焊性良好。
比较倒Ｐｄ（ＮＨ。）。Ｃｌ２（以Ｐｄ计） １０ｇ／
Ｌ；ＮＨｄＣｌ １００ｇ／Ｌ；Ｈ ＢＯ １０ｇ／Ｌ｛吡啶ｒ３一
４小岛和弘等．Ｐｄ电镀藏（日）．Ｊｐ０７０１１４７５，１９９５：８４４
（收椿日期１ ９９６０８０８）
１９９５年世界半导体市场比上年增加４０％
据美国ＤＡＴＡ Ｇｕｅｓｔ公司报道，ｌ９９５年世
（８３．４亿美元，比上年增加７３ ）｝第七位是美
国Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ（８０．０亿美元，比上
界半导体市场比上年增加４０ ，为１５４７亿美
元（１９９４年为ｌ】０６亿美元）。主要是ＤＲＡＭ的
高速增长。
年增加４４ ）｝第八位和第九位（与ｌ９９４年位
次相同），即富士通公司（５５．１亿美元，比上年
各半导体厂家的销售额：连续４年占第一
增加４２ ）和三菱电机公司（５１．５亿美元，比
位的是美国Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ，销售额为ｌ３８亿美元，
次相同，即ＮＥＣ公司（１１４亿美元，比上年增
上年增加３７ ）；第十位是１９９４年为十一位的
比上年增加３７ ；第二和第三位与ｌ ９９４年位
荷兰Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｎ．Ｖ（４０．４亿美元，比
上年增加３８ ）。换汇率１９９４年１美元一
ｌ０１．８日元，１９９５年ｌ美元＝９３．０４日元。
盛荣
译自：日经工 穸 口二穸工，１ ９９６｛８８３：９
加４３ ）和东芝公司（１０２亿美元，比上年增
加３５ ）；第四位是１９９４年第５位的美国Ｍｏ—
ｔｏｒｏｌａ Ｉｎｃ（９１亿美元，比上年增加２７ ）；第
六位是ｌ９９４年第七位的韩国三星电子公司
半导体垃丰１ ９９６年１２月第８期
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