2024年4月10日发(作者：庞庸)

EOS的原理以及和ESD的区别

EOS：Electrical Over Stress-指所有的过度电性应力。超过其最大指定极限后，器件

功能会减弱或损坏。

ESD：Electrical Static Discharge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。

2、区别：

2.1 EOS通常产生于：

– 电源

– 测试装置

*其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒）

*很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD 损坏相似。

*损坏表征

– 金属线会膨胀

– 通常会发热

– 功率升高

– 会出现闭锁情况

2.2 ESD属于EOS的特例

– 能量有限

– 由于静态电荷引起

*其过程持续时间为几皮秒到几纳秒

*其可见性不强

*通常导致晶体管级别的损坏。

3、导致EOS的原因：

*由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰

*电源(AC/DC) 干扰和过电压。

*测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试

信号。

*从其他装置发送的脉冲。

*工作流程不甚合理

2024年4月10日发(作者：庞庸)

EOS的原理以及和ESD的区别

EOS：Electrical Over Stress-指所有的过度电性应力。超过其最大指定极限后，器件

功能会减弱或损坏。

ESD：Electrical Static Discharge-静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。

2、区别：

2.1 EOS通常产生于：

– 电源

– 测试装置

*其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒）

*很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD 损坏相似。

*损坏表征

– 金属线会膨胀

– 通常会发热

– 功率升高

– 会出现闭锁情况

2.2 ESD属于EOS的特例

– 能量有限

– 由于静态电荷引起

*其过程持续时间为几皮秒到几纳秒

*其可见性不强

*通常导致晶体管级别的损坏。

3、导致EOS的原因：

*由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰

*电源(AC/DC) 干扰和过电压。

*测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试

信号。

*从其他装置发送的脉冲。

*工作流程不甚合理