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高电压作业

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2024年4月22日发(作者:狄玟丽)

高电压作业

65090414 杨彪

绪论、第一章

1.为什么长间隙击穿的平均场强远小于短间隙的平均击穿场强?

答:短间隙击穿只存在电子崩和流注形式。而长间隙击穿则存在新的放电形式——先

到放电。长间隙在击穿过程中形成了先导通道,其形成过程为正流注通道mk中的点子被

阳极吸引,当电子浓度足够高时,即有足够的电流时,流注通道中就开始热电离。热电离

引起了通道中带电质点浓度的进一步增大,即引起了电导的增加和电流的继续加大。于是,

流注通道变成了有高电导的等离子通道——先导mk。这时在先导通道mk的头部又产生

了新的流注nm,于是先到不断向前推进。先导具有高电导,相当于从电极伸出的导电棒,

它保证在其端部有高的场强,因此就容易形成新的流注。因而由于先导的存在,长间隙击

穿比短间隙击穿更易发生,因此长间隙击穿的平均场强远小于短间隙的平均击穿场强。

2. 简述汤逊理论和流注理论的异同点,并说明各自的适用范围。

答:汤逊理论和流注理论都是解释均匀电场的气体放电理论。

前者适用于均匀电场、低气压、短间隙的条件下;后者适用于均匀电场、高气压、长

间隙的条件下。

不同点:

(1)放电外形 流注放电是具有通道形式的。根据汤逊理论,气体放电应在整个间隙

中均匀连续地发展。

(2)放电时间 根据流注理论,二次电子崩的起始电子由光电离形成,而光子的速度

远比电子的大,二次电子崩又是在加强了的电场中,所以流注发展更迅速,击穿时间比由

汤逊理论推算的小得多。

(3)阴极材料的影响 根据流注理论,大气条件下气体放电的发展不是依靠正离子使

阴极表面电离形成的二次电子维持的,而是靠空间光电离产生电子维持的,故阴极材料对

气体击穿电压没有影响。根据汤逊理论,阴极材料的性质在击穿过程中应起一定作用。实

验表明,低气压下阴极材料对击穿电压有一定影响。

第二章

3.为什么高压力和高真空都能提高间隙的击穿电压?

答:高压力可以减小电子的平均自由行程,削弱电离过程,从而提高击穿电压。当间

隙距离不变时,击穿电压随压力的提高而很快的增加;但当压力增加到一定程度后,击穿

电压增加的幅度逐渐减小。在高气压下,电场的均匀程度对击穿电压的影响比大气压下要

显著的多。

高真空使得电子的自由行程变得很大,但间隙已无气体分子可供碰撞,因此电离过程

无从发展,从可可以显著提高间隙击穿电压。

4.一些卤族元素化合物(如SF6)具有高电气强度的原因是什么?

2024年4月22日发(作者:狄玟丽)

高电压作业

65090414 杨彪

绪论、第一章

1.为什么长间隙击穿的平均场强远小于短间隙的平均击穿场强?

答:短间隙击穿只存在电子崩和流注形式。而长间隙击穿则存在新的放电形式——先

到放电。长间隙在击穿过程中形成了先导通道,其形成过程为正流注通道mk中的点子被

阳极吸引,当电子浓度足够高时,即有足够的电流时,流注通道中就开始热电离。热电离

引起了通道中带电质点浓度的进一步增大,即引起了电导的增加和电流的继续加大。于是,

流注通道变成了有高电导的等离子通道——先导mk。这时在先导通道mk的头部又产生

了新的流注nm,于是先到不断向前推进。先导具有高电导,相当于从电极伸出的导电棒,

它保证在其端部有高的场强,因此就容易形成新的流注。因而由于先导的存在,长间隙击

穿比短间隙击穿更易发生,因此长间隙击穿的平均场强远小于短间隙的平均击穿场强。

2. 简述汤逊理论和流注理论的异同点,并说明各自的适用范围。

答:汤逊理论和流注理论都是解释均匀电场的气体放电理论。

前者适用于均匀电场、低气压、短间隙的条件下;后者适用于均匀电场、高气压、长

间隙的条件下。

不同点:

(1)放电外形 流注放电是具有通道形式的。根据汤逊理论,气体放电应在整个间隙

中均匀连续地发展。

(2)放电时间 根据流注理论,二次电子崩的起始电子由光电离形成,而光子的速度

远比电子的大,二次电子崩又是在加强了的电场中,所以流注发展更迅速,击穿时间比由

汤逊理论推算的小得多。

(3)阴极材料的影响 根据流注理论,大气条件下气体放电的发展不是依靠正离子使

阴极表面电离形成的二次电子维持的,而是靠空间光电离产生电子维持的,故阴极材料对

气体击穿电压没有影响。根据汤逊理论,阴极材料的性质在击穿过程中应起一定作用。实

验表明,低气压下阴极材料对击穿电压有一定影响。

第二章

3.为什么高压力和高真空都能提高间隙的击穿电压?

答:高压力可以减小电子的平均自由行程,削弱电离过程,从而提高击穿电压。当间

隙距离不变时,击穿电压随压力的提高而很快的增加;但当压力增加到一定程度后,击穿

电压增加的幅度逐渐减小。在高气压下,电场的均匀程度对击穿电压的影响比大气压下要

显著的多。

高真空使得电子的自由行程变得很大,但间隙已无气体分子可供碰撞,因此电离过程

无从发展,从可可以显著提高间隙击穿电压。

4.一些卤族元素化合物(如SF6)具有高电气强度的原因是什么?

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