2024年5月15日发(作者：曲梦蕊)
这是一款全集成的CMOS 射频收发器芯片，采用了业界主流的0.18 μmCMOS 半导
体工艺制造，片内集成了射频接收机和射频发射机，同时还集成了模拟基带（ABB）功能，
能够同时支持模拟基带信号接口和数字基带信号接口。该芯片采用标准的48 脚QFN 封
装，封装尺寸只有7mm×7mm，是目前市场上同类产品中集成度最高，功能最全、成本最
低的一款产品。该芯片能够同时支持TD-SCDMA 3G 标准（3GPP）定义的两个工作频段
（1880 ~ 1920MHz 和2010 ~2025MHz）和GSM 标准定义的四个工作频段（GSM 850
MHz、EGSM 900 MHz、DCS 1800MHz 和PCS1900MHz），并且能够在这两种模式、
六个频段之间自由切换。
在架构上，该芯片的TD-SCDMA 接收机采用数字零中频（Digital Zero -
IFArchitecture）的架构，而发射机采用的是直接上变频（Direct -
UpconversionArchitecture）的架构；对于GSM 模式，其接收机采用数字近零中频架构
（Digital Low - IF Architecture），而发射机采用频率综合器直接调制架构（Sigma - Delta
Frequency Synthesizer Modulation）。该芯片片上全集成了低噪音放大器（LNA），射频
可变增益放大器（RF VGA），上、下变频混频器（Mixer），模拟LED驱动（Ffilter），模
数/数模转换器（A/D、D/A），频率综合器（Frequency Synthesizer）和数字信号处理器
（DSP）。只需要少量外围元件，就能构成完整的射频子系统，并且可以通过选择模拟或数
字基带接口支持目前市场上的所有基带芯片方案，同时比其他任何整体方案BOM 都少
20%以上。
此款芯片内还集成了数字补偿晶体振荡器（DCXO），只需要外接一个普通晶体就可以
产生精确的片上参考时钟，这不但可以降低整个方案的成本，还使得整个系统对温度变化
带来的频率漂移更加不敏感，进而满足发射接收频偏<0.1ppm 这样苛刻的GSM 标准要
求。而目前市场上大多数传统方案中，用户一般都选择更为昂贵的TCXO（温补晶振）。
作为一款全集成的TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片有着优异的射频性能，其
TD-SCDMA频段接收链噪声系数小于4dB，发射链误差矢量幅度（EVM）小于3%，远远
好于3GPP 标准要求；同时其GSM 频段接收灵敏度达-108dBm，远超过GSM 标准规定
的-102dBm；其发射频谱400kHz 的ACPR 达到-70dBc，比同类产品提高了3~5dB。
该芯片的另一卓越性能表现在其采用先进结构设计的频率综合器，它表出了优异的相
位噪声性能和快速锁相特性（小于20μs）。得益于它的快速锁相性能，整个芯片在不同模
式和不同频段之间都可以在非常短时间内完成无缝切换，接收链和发射链也能够在非常短
时间内完全打开和建立。
RDA TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片工作原理
原理框图如图1 所示。由于该芯片是一款双模芯片，这里分别描述其工作原理。
TD-SCDMA 模式
TD-SCDMA 的接收机采用先进的数字零中频架构。当芯片工作在TD-SCDMA 模式
的接收模式时，从天线接收下来的射频信号经过外接的声表面滤波器（SAW filter）送给
芯片内部的低噪声放大器（LNA），经过放大的射频信号然后送给正交下变频混频器
（Down-conversion Mixer），直接变频到零中频（Zero-IF），然后信号经过模拟滤波器
（Analog Filter）后直接送给高性能的模数转换器（Sigma-Delta A/D），之后信号被转
换为数字信号。
在芯片内部有一个功能强大的专用数字处理器（DSP），从A/D 输出的数字信号通过
DSP 后被进一步的滤波。同时，为了消除整条接收链的直流失调（DC offset），在DSP 中
2024年5月15日发(作者：曲梦蕊)
这是一款全集成的CMOS 射频收发器芯片，采用了业界主流的0.18 μmCMOS 半导
体工艺制造，片内集成了射频接收机和射频发射机，同时还集成了模拟基带（ABB）功能，
能够同时支持模拟基带信号接口和数字基带信号接口。该芯片采用标准的48 脚QFN 封
装，封装尺寸只有7mm×7mm，是目前市场上同类产品中集成度最高，功能最全、成本最
低的一款产品。该芯片能够同时支持TD-SCDMA 3G 标准（3GPP）定义的两个工作频段
（1880 ~ 1920MHz 和2010 ~2025MHz）和GSM 标准定义的四个工作频段（GSM 850
MHz、EGSM 900 MHz、DCS 1800MHz 和PCS1900MHz），并且能够在这两种模式、
六个频段之间自由切换。
在架构上，该芯片的TD-SCDMA 接收机采用数字零中频（Digital Zero -
IFArchitecture）的架构，而发射机采用的是直接上变频（Direct -
UpconversionArchitecture）的架构；对于GSM 模式，其接收机采用数字近零中频架构
（Digital Low - IF Architecture），而发射机采用频率综合器直接调制架构（Sigma - Delta
Frequency Synthesizer Modulation）。该芯片片上全集成了低噪音放大器（LNA），射频
可变增益放大器（RF VGA），上、下变频混频器（Mixer），模拟LED驱动（Ffilter），模
数/数模转换器（A/D、D/A），频率综合器（Frequency Synthesizer）和数字信号处理器
（DSP）。只需要少量外围元件，就能构成完整的射频子系统，并且可以通过选择模拟或数
字基带接口支持目前市场上的所有基带芯片方案，同时比其他任何整体方案BOM 都少
20%以上。
此款芯片内还集成了数字补偿晶体振荡器（DCXO），只需要外接一个普通晶体就可以
产生精确的片上参考时钟，这不但可以降低整个方案的成本，还使得整个系统对温度变化
带来的频率漂移更加不敏感，进而满足发射接收频偏<0.1ppm 这样苛刻的GSM 标准要
求。而目前市场上大多数传统方案中，用户一般都选择更为昂贵的TCXO（温补晶振）。
作为一款全集成的TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片有着优异的射频性能，其
TD-SCDMA频段接收链噪声系数小于4dB，发射链误差矢量幅度（EVM）小于3%，远远
好于3GPP 标准要求；同时其GSM 频段接收灵敏度达-108dBm，远超过GSM 标准规定
的-102dBm；其发射频谱400kHz 的ACPR 达到-70dBc，比同类产品提高了3~5dB。
该芯片的另一卓越性能表现在其采用先进结构设计的频率综合器，它表出了优异的相
位噪声性能和快速锁相特性（小于20μs）。得益于它的快速锁相性能，整个芯片在不同模
式和不同频段之间都可以在非常短时间内完成无缝切换，接收链和发射链也能够在非常短
时间内完全打开和建立。
RDA TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片工作原理
原理框图如图1 所示。由于该芯片是一款双模芯片，这里分别描述其工作原理。
TD-SCDMA 模式
TD-SCDMA 的接收机采用先进的数字零中频架构。当芯片工作在TD-SCDMA 模式
的接收模式时，从天线接收下来的射频信号经过外接的声表面滤波器（SAW filter）送给
芯片内部的低噪声放大器（LNA），经过放大的射频信号然后送给正交下变频混频器
（Down-conversion Mixer），直接变频到零中频（Zero-IF），然后信号经过模拟滤波器
（Analog Filter）后直接送给高性能的模数转换器（Sigma-Delta A/D），之后信号被转
换为数字信号。
在芯片内部有一个功能强大的专用数字处理器（DSP），从A/D 输出的数字信号通过
DSP 后被进一步的滤波。同时，为了消除整条接收链的直流失调（DC offset），在DSP 中