2024年5月15日发(作者：贵明达)
位举足轻重。国土资源部２００９年５月下发通知，对２００９年
全国钨矿、锑矿、稀土矿开采总量指标予以明确。据了解，
这是我国第一次对锑矿实行开采总量控制管理。（中国高
新技术产业导报）
当地工业主管部门备案，装置投产前要向当地工业主管部
门通报。产品包装要登记编号，加印“严禁用于食品和饲料
加工”标识。
此外， 意见 还要求进一步提高行业准入门槛，加强行
业准入管理。新建、改建、扩建三聚氰胺装置，要统筹兼顾技
三聚氰胺生产销售管理从严
工业和信息化部近只发布《关于加强三聚氰胺生产经
营管理的若干意见》，进一步明确ｊ聚氰胺牛产企业的责任
主体地位，强调将强化产品生产和出厂销售等环节的管理，
从源头上严防 聚氰胺污染事件再度发生。
意 》指出，新建、改建、扩建三聚氰胺生产装置要向
术进步、节能减排和资源综合利用等措施。新建装置应依托
现有合成氩、尿素、纯碱、碳铵等化工企业建设。新建装置的
吨产品能耗要控制在１．２ｔ标准煤以下、尿素消耗应不多于
３２００ｋｇ，废水废气要达标排放。现有装置要加大技术改造
力度，力争２０１４年底前达到ｌ述各项指标。（中国高新技术
产业导报）
欧盟批准ＮＥＣ电子瑞萨合并
日最大芯片商浮出
据国外媒体报道，１２月２日欧盟委员会已经批准日本
Ｎ Ｅ Ｃ电子与瑞萨科技合并协议，合并后的新公司也成为继
英特尔和ＡＭＤ之后世界第三大半导体生产商。
ＮＥＣ和瑞萨都因芯片需求疲软出现亏损，２００９年２家
公司的合并亏损额预计达９９０亿日元（约合１１．４亿美元）。
欧盟表示，此交易不会损害欧洲市场的竞争，合并后的新公
司依然将面临激烈的竞争。
欧盟委员会在声明中表示，在微控制器、ＳＲＡＭ、ＬＣＤ
驱动器和其他类型半导体市场，这次合并不会带来竞争担
忧。ＮＥＣ电子为收购瑞萨科技，将从母公司那里筹集２０００
亿日元资金。合并后的新公司将取名为瑞萨电子，也将成为
日本最大的芯片制造商。（ＮＥＣ官网）
特尔也借此稳固其在半导体行业中的地位。
英特尔一一直拥有ｆｊ』＝界上虽好的半导体生产技术和生
产线。为了研制３２ｒｉｍ技术，公司投资７Ｏ亿美元用于研发和
升级原有的生产线。
目前英特尔长期的ＣＰＵ对手ＡＭＤ还处在４５ｒｉｍ阶段，
而英特尔不仅已开始大量生产３２ｎｍ芯片，＿卜 代２２ｎｍ的
测试芯片已近完成，预计２０１０年推出。（英特尔官方网站）
友达光电在斯洛伐克新建工厂
友达光电近日宣布，在欧陆中心斯洛伐克共和国成立
友达光电（斯洛伐克）有限公司，以就近服务欧洲客户。规划
自２０１０年起将投资超过１．９４Ｌ欧元，负责液晶面板后段模
块制造、组装及销售。友达光电董事长李ｋ昆耀表示，欧洲为
液晶电视产品的主要市场之一 ，友达积极布局目的是为客
户提供更直接且实时的服务，强化全球布局与贴近客户是
英特尔宣布３２ｎｍ芯片本周开始
大批量生产
英特尔公司日前宣布３２ｎｍ芯片近日开始大批量生
投资的主要考虑。（中国电子报）
夏普发布ＬＥＤ电视新品
１１月２７日，夏普在北京召开新品发布会，向市场一一次
产，这一声明标志着３２ｒｉｍ技术芯片进入成熟实用阶段，英
国Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｄｕｓｔ￣
性推出了１２款最新产品，其中采用ＬＥＤ（发光二极管）背光
式的ＬＸ７１０系列备受关注。
据了解，ＬＸ７１０Ａ系列与之前的ＬＥ７００Ａ同样拥有双
重圆顶式ＬＥＤ发光管以及高开口率的Ｘ—Ｇｅｎ面板。此外，
ＬＸ７１０Ａ还有２处更新：一是产品加入１２０Ｈｚ倍频技术和极
和锆钛酸铅媲美的对环境无害的压电材料，更重要的是指出
了开发大压电性能材料的新方法。这可望导致今后出现更多
更好的无铅压电材料，从而引发长期使用有害的锆钛酸铅的
工业界向无铅压电材料的变革。（新华网）
光倍速背光插黑扫描技术，直射式ＬＥ Ｄ背光由于具有快速响
应的特点，应用插黑技术更为适宜；二是ＡＲＳＳ６音箱系统，
我国全光纤激光技术取得
阶段性进展
据报道，近日中科院西安光机所瞬态光学与光子
技术国家重点实验室大功率光纤激光研究团队在全
光纤激光技术研究方面取得重要阶段性进展：输出功
率超过１ ｋ Ｗ，光一光转换效率为６２％，西安炬光科技
配备低震动杜霸重低音技术ＤｕｏＢａｓｓ，杜霸重低音技术通过
２个低音扩音器反向设置发音，减低其本身多余的震动，实现
了薄型电视机难以表现的强劲有力的低音。（中国电子报）
洛阳中硅年产２０００ｔ电子级多晶硅
项目通过验收
２００９年ｌ２月２２日，受国家发展改革委委托，河南省发
展改革委组织专家对洛阳中硅高科技有限公司承担的国家
高纯硅材料高技术产业化专项“大型高效还原技术生产电
子级高纯硅材料高技术产业化示范工程”进行了验收。验收
有限公司成功研发并推出波长为１ ５５Ｏｎｍ，最高输出
功率为２０Ｗ的传导冷却单阵列连续半导体激光器，该
产品达到了国际领先水平。这是目前国内全光纤激光
器研究达到的最高水平，为研制更大功率的全光纤激
光器奠定了必要的技术基础。（科学时报）
委员会听取了项目建设、试生产情况的汇报，审查了项目验
收材料，进行了现场实地勘察，经过质疑和讨论，专家委员
华上、山西长治签约
合资创设全新ＬＥＤ磊晶厂
据报道，Ｌ Ｅ Ｄ厂华上光电１ ２月８日宣布，董事会
通过与中国山西省长治市签订合作契约，合资在长治
会一致认为：中硅高科集成了自主开发的“高效提纯技术、
大型低温氢化技术和高效加压２４对棒还原炉技术”，高速
优质建成了三氯氢硅提纯系统、多晶硅还原系统、尾气回收
共同创设全新的ＬＥＤ磊晶厂，以生产超高亮度ＬＥＤ芯
片；华上总经理郭开元表示，这项合作案是由华上提
供技术，长治则负责资金及出海口，共同抢攻中国５大
系统、动力系统、副产物处理系统以及质量检测系统等。项
目２００８年１１月竣工投产，经１年试运行，达到并超过了原设
计年产２０００ｔ电子级多晶硅生产能力，各项指标均已达到设
计要求。项目资金使用规范、合理，符合国家相关规定，项目
的安全、环保、消防、职业卫生已通过有关部门验收，符合相
家电厂的ＬＥＤＴＶ市场，以及ＬＥＤ背光模块取代冷阴
极管（ＣＣＦＬ）的庞大商机。
这项合作案产生的全新ＬＥＤ）－一，目前暂名为“山西长治
华上有限公司”，初期预定资本额为３亿元，由长治高科产
业投资公司出资６０％，华上出资４０％；由华上提供建厂支持
及技术服务，尤其前２年的经营管理，因此初期总经理人选
关规定。生产线生产效率高、产品质量稳定、能源消耗大幅
降低，整体技术达到国际先进水平。（洛阳日报）
中国科学家首次研制出
性能优越的无铅压电材料
２００９年１ １月２７日西安交通大学的一个科学研究小组对
外宣布了一项最新研究成果：制造出 一种对环境无害的无
铅压电材料一锆钛酸钡钙，其压电性能超越ｒ全世界使用了
长达半个世纪、但对人体和环境有害的核心压电材料一锆钛
将由华上指派，而长治高科产业方面则负责资金，以及和五
大家电厂接洽等业务事宜。
这座新厂将提供超高亮度ＬＥＤ芯片，第一期规划
以１年供应ｌｏ４Ｌ片（１００ＫＫ）为产能目标，最终拉高到
５０亿片的规模；第一期预估将采购１ ２部ＭＯ ＣＶＤ机
台，预期２０１０年下半年开始交机，因此将率先把后段
设备约在３＿４月时买齐，第三季开始陆续进行ＭＯＣＶＤ
酸铅（ＰＺＴ）陶瓷。这是５０多年来无铅压电材料的性能首次超
越压电材料的经典体系。这项成果的论文已经通过国际物理
学界权威杂志一美国 物理学评论快报 的专家评议，并将于
机台装机，并陆续进入量产。
令人瞩目的是，华上将不需实际支出资金。郭开
元表示，由于华上提供相关生产技术及专利，因此双
２００９年ｌ２月刊出。专家认为，这项成果不仅研发出一种可以
新初科产业ＮＯ．１ ２０１０ ｊ强
2024年5月15日发(作者：贵明达)
位举足轻重。国土资源部２００９年５月下发通知，对２００９年
全国钨矿、锑矿、稀土矿开采总量指标予以明确。据了解，
这是我国第一次对锑矿实行开采总量控制管理。（中国高
新技术产业导报）
当地工业主管部门备案，装置投产前要向当地工业主管部
门通报。产品包装要登记编号，加印“严禁用于食品和饲料
加工”标识。
此外， 意见 还要求进一步提高行业准入门槛，加强行
业准入管理。新建、改建、扩建三聚氰胺装置，要统筹兼顾技
三聚氰胺生产销售管理从严
工业和信息化部近只发布《关于加强三聚氰胺生产经
营管理的若干意见》，进一步明确ｊ聚氰胺牛产企业的责任
主体地位，强调将强化产品生产和出厂销售等环节的管理，
从源头上严防 聚氰胺污染事件再度发生。
意 》指出，新建、改建、扩建三聚氰胺生产装置要向
术进步、节能减排和资源综合利用等措施。新建装置应依托
现有合成氩、尿素、纯碱、碳铵等化工企业建设。新建装置的
吨产品能耗要控制在１．２ｔ标准煤以下、尿素消耗应不多于
３２００ｋｇ，废水废气要达标排放。现有装置要加大技术改造
力度，力争２０１４年底前达到ｌ述各项指标。（中国高新技术
产业导报）
欧盟批准ＮＥＣ电子瑞萨合并
日最大芯片商浮出
据国外媒体报道，１２月２日欧盟委员会已经批准日本
Ｎ Ｅ Ｃ电子与瑞萨科技合并协议，合并后的新公司也成为继
英特尔和ＡＭＤ之后世界第三大半导体生产商。
ＮＥＣ和瑞萨都因芯片需求疲软出现亏损，２００９年２家
公司的合并亏损额预计达９９０亿日元（约合１１．４亿美元）。
欧盟表示，此交易不会损害欧洲市场的竞争，合并后的新公
司依然将面临激烈的竞争。
欧盟委员会在声明中表示，在微控制器、ＳＲＡＭ、ＬＣＤ
驱动器和其他类型半导体市场，这次合并不会带来竞争担
忧。ＮＥＣ电子为收购瑞萨科技，将从母公司那里筹集２０００
亿日元资金。合并后的新公司将取名为瑞萨电子，也将成为
日本最大的芯片制造商。（ＮＥＣ官网）
特尔也借此稳固其在半导体行业中的地位。
英特尔一一直拥有ｆｊ』＝界上虽好的半导体生产技术和生
产线。为了研制３２ｒｉｍ技术，公司投资７Ｏ亿美元用于研发和
升级原有的生产线。
目前英特尔长期的ＣＰＵ对手ＡＭＤ还处在４５ｒｉｍ阶段，
而英特尔不仅已开始大量生产３２ｎｍ芯片，＿卜 代２２ｎｍ的
测试芯片已近完成，预计２０１０年推出。（英特尔官方网站）
友达光电在斯洛伐克新建工厂
友达光电近日宣布，在欧陆中心斯洛伐克共和国成立
友达光电（斯洛伐克）有限公司，以就近服务欧洲客户。规划
自２０１０年起将投资超过１．９４Ｌ欧元，负责液晶面板后段模
块制造、组装及销售。友达光电董事长李ｋ昆耀表示，欧洲为
液晶电视产品的主要市场之一 ，友达积极布局目的是为客
户提供更直接且实时的服务，强化全球布局与贴近客户是
英特尔宣布３２ｎｍ芯片本周开始
大批量生产
英特尔公司日前宣布３２ｎｍ芯片近日开始大批量生
投资的主要考虑。（中国电子报）
夏普发布ＬＥＤ电视新品
１１月２７日，夏普在北京召开新品发布会，向市场一一次
产，这一声明标志着３２ｒｉｍ技术芯片进入成熟实用阶段，英
国Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｄｕｓｔ￣
性推出了１２款最新产品，其中采用ＬＥＤ（发光二极管）背光
式的ＬＸ７１０系列备受关注。
据了解，ＬＸ７１０Ａ系列与之前的ＬＥ７００Ａ同样拥有双
重圆顶式ＬＥＤ发光管以及高开口率的Ｘ—Ｇｅｎ面板。此外，
ＬＸ７１０Ａ还有２处更新：一是产品加入１２０Ｈｚ倍频技术和极
和锆钛酸铅媲美的对环境无害的压电材料，更重要的是指出
了开发大压电性能材料的新方法。这可望导致今后出现更多
更好的无铅压电材料，从而引发长期使用有害的锆钛酸铅的
工业界向无铅压电材料的变革。（新华网）
光倍速背光插黑扫描技术，直射式ＬＥ Ｄ背光由于具有快速响
应的特点，应用插黑技术更为适宜；二是ＡＲＳＳ６音箱系统，
我国全光纤激光技术取得
阶段性进展
据报道，近日中科院西安光机所瞬态光学与光子
技术国家重点实验室大功率光纤激光研究团队在全
光纤激光技术研究方面取得重要阶段性进展：输出功
率超过１ ｋ Ｗ，光一光转换效率为６２％，西安炬光科技
配备低震动杜霸重低音技术ＤｕｏＢａｓｓ，杜霸重低音技术通过
２个低音扩音器反向设置发音，减低其本身多余的震动，实现
了薄型电视机难以表现的强劲有力的低音。（中国电子报）
洛阳中硅年产２０００ｔ电子级多晶硅
项目通过验收
２００９年ｌ２月２２日，受国家发展改革委委托，河南省发
展改革委组织专家对洛阳中硅高科技有限公司承担的国家
高纯硅材料高技术产业化专项“大型高效还原技术生产电
子级高纯硅材料高技术产业化示范工程”进行了验收。验收
有限公司成功研发并推出波长为１ ５５Ｏｎｍ，最高输出
功率为２０Ｗ的传导冷却单阵列连续半导体激光器，该
产品达到了国际领先水平。这是目前国内全光纤激光
器研究达到的最高水平，为研制更大功率的全光纤激
光器奠定了必要的技术基础。（科学时报）
委员会听取了项目建设、试生产情况的汇报，审查了项目验
收材料，进行了现场实地勘察，经过质疑和讨论，专家委员
华上、山西长治签约
合资创设全新ＬＥＤ磊晶厂
据报道，Ｌ Ｅ Ｄ厂华上光电１ ２月８日宣布，董事会
通过与中国山西省长治市签订合作契约，合资在长治
会一致认为：中硅高科集成了自主开发的“高效提纯技术、
大型低温氢化技术和高效加压２４对棒还原炉技术”，高速
优质建成了三氯氢硅提纯系统、多晶硅还原系统、尾气回收
共同创设全新的ＬＥＤ磊晶厂，以生产超高亮度ＬＥＤ芯
片；华上总经理郭开元表示，这项合作案是由华上提
供技术，长治则负责资金及出海口，共同抢攻中国５大
系统、动力系统、副产物处理系统以及质量检测系统等。项
目２００８年１１月竣工投产，经１年试运行，达到并超过了原设
计年产２０００ｔ电子级多晶硅生产能力，各项指标均已达到设
计要求。项目资金使用规范、合理，符合国家相关规定，项目
的安全、环保、消防、职业卫生已通过有关部门验收，符合相
家电厂的ＬＥＤＴＶ市场，以及ＬＥＤ背光模块取代冷阴
极管（ＣＣＦＬ）的庞大商机。
这项合作案产生的全新ＬＥＤ）－一，目前暂名为“山西长治
华上有限公司”，初期预定资本额为３亿元，由长治高科产
业投资公司出资６０％，华上出资４０％；由华上提供建厂支持
及技术服务，尤其前２年的经营管理，因此初期总经理人选
关规定。生产线生产效率高、产品质量稳定、能源消耗大幅
降低，整体技术达到国际先进水平。（洛阳日报）
中国科学家首次研制出
性能优越的无铅压电材料
２００９年１ １月２７日西安交通大学的一个科学研究小组对
外宣布了一项最新研究成果：制造出 一种对环境无害的无
铅压电材料一锆钛酸钡钙，其压电性能超越ｒ全世界使用了
长达半个世纪、但对人体和环境有害的核心压电材料一锆钛
将由华上指派，而长治高科产业方面则负责资金，以及和五
大家电厂接洽等业务事宜。
这座新厂将提供超高亮度ＬＥＤ芯片，第一期规划
以１年供应ｌｏ４Ｌ片（１００ＫＫ）为产能目标，最终拉高到
５０亿片的规模；第一期预估将采购１ ２部ＭＯ ＣＶＤ机
台，预期２０１０年下半年开始交机，因此将率先把后段
设备约在３＿４月时买齐，第三季开始陆续进行ＭＯＣＶＤ
酸铅（ＰＺＴ）陶瓷。这是５０多年来无铅压电材料的性能首次超
越压电材料的经典体系。这项成果的论文已经通过国际物理
学界权威杂志一美国 物理学评论快报 的专家评议，并将于
机台装机，并陆续进入量产。
令人瞩目的是，华上将不需实际支出资金。郭开
元表示，由于华上提供相关生产技术及专利，因此双
２００９年ｌ２月刊出。专家认为，这项成果不仅研发出一种可以
新初科产业ＮＯ．１ ２０１０ ｊ强